Epi Wafer pour diode laser

Epi Wafer pour diode laser

GaAs based LD epitaxy wafer, which can generate stimulate emission, is widely used for fabricating laser diode since the superior GaAs epitaxial wafer properties make the device a low energy consumption, high efficiency, long lifetime and etc. In addition to gallium arsenide LD epi wafer, commonly used semiconductor materials are cadmium sulfide (CdS), indium phosphide (InP), and zinc sulfide (ZnS).

  • La description

Description du produit

Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), a LD epitaxial wafer supplier, focuses on the GaAs and InP based laser diode epi wafers grown by MOCVD reactors for fiber-optic communication, industrial application, and special-purpose usage. PAM-XIAMEN can offer LD epitaxy wafer based on GaAs substrate for various fields, like VCSEL, infrared, photo-detector and etc. More details about the LD epitaxy wafer material, please refer to the table below:

Matériau du substrat capacité matériel Longueur d'ondes Application
GaAs GaAs / GaInP / AlGaInP / GaInP 635nm  
GaAs Based Epi-plaquette 650nm Laser à émission de surface à cavité verticale (VCSEL)
RCLED
GaAs / GaInP / AlGaInP / GaInP 660nm  
GaAs / AlGaAs / GaInP / AlGaAs / GaAs 703nm  
GaAs / GaInP / AlGaInP / GaInP 780nm  
GaAs / GaInP / AlGaInP / GaInP 785nm  
GaAs Based Epi-plaquette 800-1064nm LD infrarouge
GaAs / GaInP / AlGaInP / GaInP 808nm LD infrarouge
GaAs Based Epi-plaquette 850nm Laser à émission de surface à cavité verticale (VCSEL)
RCLED
GaAs Based Epi-plaquette <870nm Photo-détecteur
GaAs Based Epi-plaquette 850-1100nm Laser à émission de surface à cavité verticale (VCSEL)
RCLED
GaAs / AlGaAs / GaInAs / AlGaAs / GaAs 905nm  
GaAs / AlGaAs / InGaAs / AlGaAs / GaAs 950nm  
GaAs Based Epi-plaquette 980nm LD infrarouge
InP à base Epi-plaquette 1250-1600nm Avalanche photo-détecteur
GaAs Based Epi-plaquette 1250-1600nm /> 2.0um
(Couche absorbante InGaAs)
Photo-détecteur
GaAs Based Epi-plaquette 1250 à 1600 nm / <1,4 μm
(Couche absorbante InGaAsP)
Photo-détecteur
InP à base Epi-plaquette 1270-1630nm laser DFB
substrat GaAsP / GaAs / GaAs 1300nm  
InP à base Epi-plaquette 1310nm laser FP
substrat GaAsP / GaAs / GaAs 1550nm laser FP
  1654nm  
InP à base Epi-plaquette 1900nm laser FP
  2004nm  

 

About LD Epitaxy Wafer Applications & Market

The applications of GaAs based LD epitaxy wafer in the laser field can be divided into VCSELs and non-VCSELs. The current GaAs based LD epitaxy applications mainly lies in VCSELs. VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser), based on GaAs materials, is mainly used for face recognition. It is expected to have a high growth rate in the future. EEL (Edge Emitting Laser) is a non-VCSEL device, mainly used in the field of automotive lidar, and the demand is expected to increase with the expansion of the driverless car market.

The GaAs substrate used in the laser field requires high technical indicators, and the unit epitaxial wafer price is significantly higher than that of other fields. The future LD epitaxial market space can be expected. Laser applications are the most sensitive to dislocation density. There is a high requirement for the GaAs substrate materials in laser applications. Therefore, the higher requirement is put forward on LD epitaxial wafer manufacturers and LD epitaxial wafer process. At present, the near-infrared band (760~1060 nm) semiconductor laser based on GaAs substrate has the most mature development and the most widespread application, and it has already been commercialized.

Please see below detail specification of LD epitaxy wafer:

Puce de plaquette laser VCSEL

Plaquette Epi Laser VCSEL

diode laser à 703nm plaquette epi

diode laser 808nm epi plaquette-1

diode laser à 780nm plaquette epi

diode laser à 650nm plaquette epi

diode laser à 785nm plaquette epi

Plaquettes épi à diode laser 808 nm-2

diode laser à 850nm plaquette epi

diode laser à 905nm plaquette epi

diode laser à 950nm plaquette epi

diode laser 1550nm plaquette epi

diode laser 1654nm plaquette epi

diode laser 2004nm plaquette epi

 

Chips EMETTEUR simples

Puce LD à émetteur unique 755 nm à 8 W

Puce LD à émetteur unique 808 nm à 8 W

Puce LD à émetteur unique 808 nm à 10 W

Puce LD à émetteur unique 830 nm à 2 W

Puce LD à émetteur unique 880 nm à 8 W

Puce LD à émetteur unique 900 + nm @ 10W

Puce LD à émetteur unique 900 + nm @ 15W

Puce LD à émetteur unique 905 nm à 25 W

Puce LD à émetteur unique 1470 nm à 3 W

PAM XIAMEN propose une seule puce laser haute puissance 1470 / 1550nm comme suit:

LD Bare Bar

LD Bare Bar pour 780 nm à cavité 2,5 mm

Barre nue LD pour 808 nm @ cavité 2 mm

Barre nue LD pour 808 nm à cavité 1,5 mm

Barre nue LD pour 880 nm @ cavité 2 mm

LD Bare Bar pour 940 nm @ cavité 2 mm

LD Bare Bar pour 940 nm à cavité 3 mm

Barre nue LD pour 940 nm à cavité 4 mm

LD Bare Bar pour 940 nm @ cavité 2 mm

Barre nue LD pour 976 nm à cavité 4 mm

LD Bare Bar pour 1470 nm @ cavité 2 mm

Barre nue LD pour 1550 nm @ cavité 2 mm