Epi Wafer pour diode laser

Description du produit

Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN), un fournisseur de tranches épitaxiales LD, se concentre sur les tranches épi de diode laser à base de GaAs et d'InP développées par les réacteurs MOCVD pour la communication par fibre optique, les applications industrielles et les usages spéciaux. PAM-XIAMEN peut proposer une plaquette d'épitaxie LD basée sur un substrat GaAs pour divers domaines, comme le VCSEL, l'infrarouge, le photodétecteur, etc. Pour plus de détails sur le matériau de la plaquette d'épitaxie LD, veuillez vous référer au tableau ci-dessous :

Matériau du substrat	capacité matériel	Longueur d'ondes	Application
GaAs	GaAs / GaInP / AlGaInP / GaInP	635nm
	GaAs Based Epi-plaquette	650nm	Laser à émission de surface à cavité verticale (VCSEL) RCLED
	GaAs / GaInP / AlGaInP / GaInP	660nm
	GaAs / AlGaAs / GaInP / AlGaAs / GaAs	703nm
	GaAs / GaInP / AlGaInP / GaInP	780nm
	GaAs / GaInP / AlGaInP / GaInP	785nm
	GaAs Based Epi-plaquette	800-1064nm	LD infrarouge
	GaAs / GaInP / AlGaInP / GaInP	808nm	LD infrarouge
	GaAs Based Epi-plaquette	850nm	Laser à émission de surface à cavité verticale (VCSEL) RCLED
	GaAs Based Epi-plaquette	<870nm	Photo-détecteur
	GaAs Based Epi-plaquette	850-1100nm	Laser à émission de surface à cavité verticale (VCSEL) RCLED
	GaAs / AlGaAs / GaInAs / AlGaAs / GaAs	905nm
	GaAs / AlGaAs / InGaAs / AlGaAs / GaAs	950nm
	GaAs Based Epi-plaquette	980nm	LD infrarouge
	InP à base Epi-plaquette	1250-1600nm	Avalanche photo-détecteur
	GaAs Based Epi-plaquette	1250-1600nm/>2.0um (Couche absorbante InGaAs)	Photo-détecteur
	GaAs Based Epi-plaquette	1250-1600nm/<1.4μm (Couche absorbante InGaAsP)	Photo-détecteur
	InP à base Epi-plaquette	1270-1630nm	laser DFB
	substrat GaAsP / GaAs / GaAs	1300nm
	InP à base Epi-plaquette	1310nm	laser FP
	substrat GaAsP / GaAs / GaAs	1550nm	laser FP
		1654nm
	InP à base Epi-plaquette	1900nm	laser FP
		2004nm

 

À propos des applications et du marché des plaquettes d'épitaxie LD

Les applications de la plaquette d'épitaxie LD à base de GaAs dans le domaine laser peuvent être divisées en VCSEL et non-VCSEL. Les applications actuelles d'épitaxie LD à base de GaAs résident principalement dans les VCSEL. Le VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser), basé sur des matériaux GaAs, est principalement utilisé pour la reconnaissance faciale. On s'attend à ce qu'il ait un taux de croissance élevé à l'avenir. EEL (Edge Emitting Laser) est un dispositif non VCSEL, principalement utilisé dans le domaine du lidar automobile, et la demande devrait augmenter avec l'expansion du marché des voitures sans conducteur.

Le substrat GaAs utilisé dans le domaine des lasers nécessite des indicateurs techniques élevés et le prix unitaire de la tranche épitaxiale est nettement supérieur à celui des autres domaines. Le futur espace de marché de l'épitaxie LD peut être attendu. Les applications laser sont les plus sensibles à la densité de dislocation. Il existe une forte exigence pour les matériaux de substrat GaAs dans les applications laser. Par conséquent, l'exigence la plus élevée est imposée aux fabricants de tranches épitaxiées LD et au processus de tranches épitaxiées LD. À l'heure actuelle, le laser à semi-conducteur à bande proche infrarouge (760 ~ 1060 nm) basé sur un substrat GaAs a le développement le plus mature et l'application la plus répandue, et il a déjà été commercialisé.

 

Remarque:
Le gouvernement chinois a annoncé de nouvelles limites à l'exportation de matériaux Gallium (tels que GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs et GaSb) et de matériaux Germanium utilisés pour fabriquer des puces semi-conductrices. À partir du 1er août 2023, l'exportation de ces matériaux n'est autorisée que si nous obtenons une licence du ministère chinois du Commerce. J'espère pour votre compréhension et votre coopération!

Veuillez voir ci-dessous les spécifications détaillées de la plaquette d'épitaxie LD :

Puce de plaquette laser VCSEL

Plaquette épi laser VCSEL

diode laser à 703nm plaquette epi

diode laser 808nm epi plaquette-1

diode laser à 780nm plaquette epi

diode laser à 650nm plaquette epi

diode laser à 785nm plaquette epi

Plaquettes épi de diode laser 808nm-2

diode laser à 850nm plaquette epi

diode laser à 905nm plaquette epi

Plaquette épi de diode laser 940nm

diode laser à 950nm plaquette epi

Plaquette laser haute puissance 1060nm

Plaquette de diode laser 1300nm

Plaquette de diode laser à pompe 1460nm

diode laser 1550nm plaquette epi

diode laser 1654nm plaquette epi

diode laser 2004nm plaquette epi

Épitaxie GaAs avec croissance épaisse

MOCVD Epi Structure à base de GaAs développé pour l'émetteur de lumière

Puits quantique étroit InGaAsP développé sur une plaquette InP

Couches de points quantiques InAs sur substrat InP

Plaquette laser FP (Fabry-Perot)

Plaquette PCSEL

Plaquette Laser Cascade Quantique

 

Chips EMETTEUR simples

Un seul émetteur LD Chip 755nm @ 8W

Un seul émetteur LD Chip 808nm @ 8W

Un seul émetteur LD Chip 808nm @ 10W

Un seul émetteur LD Chip 830nm @ 2W

Un seul émetteur LD Chip 880nm @ 8W

Un seul émetteur LD Chip 900 nm + @ 10W

Un seul émetteur LD Chip 900 nm + @ 15W

Un seul émetteur LD Chip 905nm @ 25W

Un seul émetteur LD Chip 1470nm @ 3W

PAM XIAMEN propose une seule puce laser haute puissance 1470/1550nm comme suit :

LD Bare Bar

LD Bar nu pour 780nm @ cavité 2.5mm

LD Bar nu pour cavité 808nm @ 2 mm

LD Bar nu pour 808nm @ cavité 1,5mm

LD Bar nu pour la cavité 880nm de 2 mm @

LD Bar nu pour cavité 940nm @ 2 mm

LD Bar nu pour cavité 940nm @ 3 mm

LD Bare Bar pour 940nm @ cavité 4 mm

LD Bar nu pour cavité 940nm @ 2 mm

LD Bare Bar pour 976nm @ cavité 4 mm

LD Bar nu pour la cavité 1470nm de 2 mm @

LD Bar nu pour cavité 1550nm @ 2 mm