GaAs (arséniure de gallium) Wafers

GaAs (arséniure de gallium) Wafers

As a leading GaAs substrate supplier, PAM-XIAMEN manufactures Epi-ready GaAs(Gallium Arsenide) Wafer Substrate including semi-conducting n type, semi-conductor undoped and p type with prime grade and dummy grade. The GaAs substrate resistivity depends on dopants, Si doped or Zn doped is (0.001~0.009) ohm.cm, undoped one is >=1E7 ohm.cm. The GaAs wafer crystal orientation should be (100) and (111). For (100) orientation, it can be 2°/6°/15° off. The EPD of GaAs wafer normally is <5000/cm2 for LED or <500/cm2 for LD or microelectronics.

  • La description

Description du produit

(arséniure de gallium) GaAs Wafer

PAM-XIAMEN develops and manufactures compound semiconductor substrates-gallium arsenide crystal and wafer. We has used advanced crystal growth technology, vertical gradient freeze(VGF) and GaAs wafer manufacturing process, established a production line from crystal growth, cutting, grinding to polishing processing and built a 100-class clean room for GaAs wafer cleaning and packaging. Our GaAs wafers include 2~6 inch ingot/wafers for LED, LD and Microelectronics applications. We are always dedicated to improve the quality of currently GaAs wafer substrates and develop large size substrates. The GaAs wafer size offered is in 2”, 3”, 4” and 6”, and the thickness should be 220-700um. Moreover, the GaAs wafer price from us is competitive.

1. GaAs Wafer Specifications

1.1 (GaAs)arséniure de galliumGaufrettes pour les applications LED

Article Caractéristiques Remarques
Type de Conduction SC / type n SC / p type avec la dope Zn Disponible
Procédé de croissance VGF  
dopant Silicium Zn disponible
wafer Diamter 2, 3 & 4 pouces Lingot ou comme coupe-availalbe
cristal Orientation (100) 2 °/ 6 ° / 15 ° hors tension (110) Autres mésorientation disponibles
DE EJ ou US  
Concentration porteuse (0,4 ~ 2,5) E18 / cm3  
Résistivité à la température ambiante (1,5 ~ 9) E-3 Ohm.cm  
Mobilité 1500 ~ 3000cm2 / V.sec  
Etch Densité Pit <5000 / cm2  
Marquage laser à la demande  
Finition de surface P / E ou P / P  
Épaisseur 220 ~ 450um  
Prêt Epitaxie Oui  
Paquet récipient de plaquettes à l'unité ou de la cassette

 

1.2 (GaAs)arséniure de galliumGaufrettes pour les applications LD

Article Caractéristiques Remarques
Type de Conduction SC / type n  
Procédé de croissance VGF  
dopant Silicium  
wafer Diamter 2, 3 & 4 pouces Lingot ou coupe disponibles
cristal Orientation (100) 2 °/ 6 ° / 15 ° hors tension (110) Autres mésorientation disponibles
DE EJ ou US  
Concentration porteuse (0,4 ~ 2,5) E18 / cm3  
Résistivité à la température ambiante (1,5 ~ 9) E-3 Ohm.cm  
Mobilité 1500 ~ 3000 cm2 / V.sec  
Etch Densité Pit <500 / cm2  
Marquage laser à la demande  
Finition de surface P / E ou P / P  
Épaisseur 220 ~ 350um  
Prêt Epitaxie Oui  
Paquet récipient de plaquettes à l'unité ou de la cassette

 

1.3 (GaAs)arséniure de galliumGaufrettes, Applications semi-isolant pour la microélectronique

Article Caractéristiques Remarques
Type de Conduction Isolant  
Procédé de croissance VGF  
dopant non dopé  
wafer Diamter 2, 3 & 4 pouces  Ingot available
cristal Orientation (100)+/- 0.5°  
DE EJ, États-Unis ou de l'encoche  
Concentration porteuse n / a  
Résistivité à la température ambiante > 1E7 Ohm.cm  
Mobilité > 5000 cm2 / V.sec  
Etch Densité Pit <8000 / cm2  
Marquage laser à la demande  
Finition de surface P / P  
Épaisseur 350 ~ 675um  
Prêt Epitaxie Oui  
Paquet récipient de plaquettes à l'unité ou de la cassette

 

1.4 6″ (150mm)(GaAs)arséniure de galliumGaufrettes, Applications semi-isolant pour la microélectronique

Article Caractéristiques Remarques
Type de Conduction Semi-isolante  –
Méthode croître VGF  –
dopant non dopé  –
Type N  –
Diamater (mm) 150 ± 0,25  –
Orientation (100)0°±3.0°  –
Orientation NOTCH 〔010〕±2°  –
NOTCH Deepth (mm) (1-1.25)mm   89°-95°  –
Concentration porteuse please consult our sales team  –
Résistivité (ohm.cm) >1.0×107  –
Mobilité (cm2 / vs) please consult our sales team  –
Dislocation please consult our sales team  –
Epaisseur (um) 675 ± 25  –
Exclusion de bord pour arc et de chaîne (mm) please consult our sales team  –
Bow (pm) please consult our sales team  –
Chaîne (pm) ≤20.0  –
TTV (pm) ≤10.0  –
TIR (pm) ≤10.0  –
LFPD (pm) please consult our sales team  –
Polissage P / P Epi-Ready  –

 

1.5 2″(50.8mm) LT-GaAs (Basse température-Grown arséniure Galium) Spécifications Wafer

Article Caractéristiques
Type de Conduction Semi-isolante
Méthode croître VGF
dopant non dopé
Type N
Diamater (mm) 150 ± 0,25
Orientation (100)0°±3.0°
Orientation NOTCH 〔010〕±2°
NOTCH Deepth (mm) (1-1.25)mm   89°-95°
Concentration porteuse please consult our sales team
Résistivité (ohm.cm) >1.0×107 or 0.8-9 x10-3
Mobilité (cm2 / vs) please consult our sales team
Dislocation please consult our sales team
Epaisseur (um) 675 ± 25
Exclusion de bord pour arc et de chaîne (mm) please consult our sales team
Bow (pm) please consult our sales team
Chaîne (pm) ≤20.0
TTV (pm) ≤10.0
TIR (pm) ≤10.0
LFPD (pm) please consult our sales team
Polissage P / P Epi-Ready
 
* Nous pouvons également fournir bar GaAs de cristal poly, 99,9999% (6N).

 

2. GaAs Wafer Market & Application

Gallium arsenide is an important semiconductor material. It belongs to group III-V compound semiconductors and the zinc blende crystal lattice structure, with a lattice constant of 5.65×10-10m, a melting point of 1237°C, and a band gap of 1.4 electron volts. Gallium arsenide can be made into semi-insulating high-resistance materials, which can be used to make integrated circuit substrates, infrared detectors, gamma photon detectors, etc. Because its electron mobility is 5 to 6 times greater than silicon, SI GaAs substrate has been importantly used in the fabrication of microwave devices and high-speed digital circuits. Semiconductor devices fabricated on gallium arsenide have the advantages of high frequency, high temperature, low temperature performance, low noise, and strong radiation resistance, which make the GaAs substrate market enlarge.

 

3. Test certificate of GaAs wafer can include below analysis if necessary:

1/Surface roughness of Gallium Arsenide including front side and backside(nanometers).

2/Doping concentration of Gallium Arsenide(cm-3)

3/EPD of Gallium Arsenide(cm-2)

4/Mobility of Gallium Arsendie(V.sec)

5/X-ray diffraction analysis (rocking curves) of Gallium Arsenide: Diffraction reflection curve half-width

6/Low-temperature photoluminescence (emission spectra in the range 0.7-1.0 μm) of Gallium Arsenide: The fraction of exciton photoluminescence in the emission spectrum of the near-IR range at a temperature of 4K or 5 K and an optical excitation density of 1 W / cm2

7/Transmission rate or Absorption coefficient: for instant, we can measure absorption coefficient of single crystal undoped GaAs at 1064nm: <0.6423 cm-1, and this corresponds to a transmission minimum of 33.2% for an exactly 6.5mm thick blank at 1064nm.

 

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