La plaquette GaAs est un important semi-conducteur composé III-V, une structure de réseau de sphalérite avec une constante de réseau de 5,65 x 10-10 m, un point de fusion de 1237 C et une bande interdite de 1,4 électron-volt. La plaquette d'arséniure de gallium peut être transformée en matériaux semi-isolants avec résistivité supérieure à celle du silicium et du germanium de trois ordres de grandeur, qui peut être utilisée pour fabriquer des substrats de circuits intégrés, des détecteurs infrarouges, des détecteurs de photons gamma, etc. Sa mobilité électronique étant 5 à 6 fois supérieure à celle du silicium, il a été largement utilisé dans la fabrication de dispositifs micro-ondes et de circuits numériques à grande vitesse. Les dispositifs semi-conducteurs en GaAs présentent les avantages d'une haute fréquence, d'une haute température, de bonnes performances à basse température, d'un faible bruit et d'une forte résistance aux rayonnements. De plus, il peut également être utilisé pour fabriquer des dispositifs de transfert – des dispositifs à effet de masse.
(Arséniure de Gallium) Plaquette GaAs et Epitaxie : plaquette GaAs, type N, type P ou semi-isolant, taille de 2″ à 6″ ; Plaquette épi GaAs pour HEMT, pHEMT, mHEMT et HBT
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Plaquette Epi pour Diode Laser
La plaquette d'épitaxie LD à base de GaAs, qui peut générer une émission stimulée, est largement utilisée pour la fabrication de diodes laser, car les propriétés supérieures de la plaquette épitaxiale de GaAs font du dispositif une faible consommation d'énergie...
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Plaquettes de GaAs (arséniure de gallium)
En tant que fournisseur leader de substrats GaAs, PAM-XIAMEN fabrique des substrats de plaquettes GaAs (arséniure de gallium) prêts à l'emploi, notamment des semi-conducteurs de type n, des semi-conducteurs dopés C et des semi-conducteurs de type p avec qualité principale et qualité factice. La résistivité du substrat GaAs dépend des dopants, Si…
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GaAs Epiwafer
PAM-XIAMEN fabrique divers types de matériaux semi-conducteurs de type n dopés au silicium épi III-V à base de Ga, Al, In, As et P cultivés par MBE ou MOCVD. Nous fournissons du GaAs personnalisé…