Avec le développement du cloud computing, de la mobilité, de l'Internet des objets, de l'apprentissage automatique, etc., la demande de stockage de données volumineuses et de traitement informatique a également considérablement augmenté. Plus de traitement de données signifie plus de consommation d'énergie, ce qui conduit à la construction de centres de données supplémentaires et d'infrastructures de support. Avec l'expansion des centres de données dans le monde, il est nécessaire de gérer les centres de données de manière plus fiable et plus efficace. Le nitrure de gallium (GaN), en particulier la plaquette épi GaN HEMT, est l'un des matériaux semi-conducteurs idéaux pour les centres de données, qui peuvent être proposés par PAM-XIAMEN. Pour plus de plaquettes GaN HEMT, veuillez consulterhttps://www.powerwaywafer.com/gan-wafer/gan-hemt-epitaxial-wafer.html.
En tant que semi-conducteur à large bande interdite, la principale caractéristique du nitrure de gallium (GaN) est son efficacité de conversion de puissance élevée. En particulier dans les scénarios à forte consommation d'énergie tels que les centres de données, le GaN apportera des effets d'économie d'énergie significatifs en raison de son rendement élevé. C'est pourquoi choisissez le matériau GaN pour les centres de données. Plus précisément comme suit :
Actuellement, il y a plus de 7 millions de centres de données en activité dans le monde, consommant l'équivalent de 2 % de la consommation mondiale d'électricité en 2019. De ce nombre, environ 30 % de l'électricité est utilisée pour refroidir l'installation. Par conséquent, en augmentant l'efficacité du serveur et en réduisant les pertes de puissance et de chaleur, des économies d'énergie importantes peuvent être réalisées ; coûts d'électricité et CO2les émissions peuvent être réduites.
Data Center
1. Économiser de l'énergie avec le GaN
Le coût d'exploitation le plus important d'un centre de données est l'alimentation des serveurs, qui peut représenter jusqu'à 40 % du coût d'exploitation total. Habituellement, environ 5 à 10 % de l'énergie électrique est gaspillée. De plus, d'ici 2020, la consommation d'énergie des centres de données devrait atteindre environ 140 milliards de kilowattheures par an, ce qui se traduit par 13 milliards de dollars de factures d'électricité annuelles et près de 150 millions de tonnes d'émissions de carbone.
Les avancées dans la conception de l'alimentation utilisant du GaN au lieu de transistors au silicium devraient réduire la consommation d'énergie de plusieurs pour cent. En plus des avantages d'économie d'énergie, ces technologies peuvent faciliter l'adoption de blocs d'alimentation moins nombreux ou plus petits dans le centre de données, réduisant ainsi le besoin d'espace et d'alimentation du centre de données.
2. Améliorer l'efficacité avec GaN
La consommation d'énergie dans un centre de données est une combinaison complexe de perte de puissance et de refroidissement. Dans un centre de données, l'alimentation fournie aux serveurs nécessite de multiples conversions et environ 30 % de l'énergie est perdue en raison d'un manque d'efficacité.
La technologie GaN peut augmenter l'efficacité globale du centre de données à 84 %. Les dispositifs GaN utilisés pour la conversion de puissance du courant alternatif (AC) en courant continu (DC), puis pour la conversion de puissance en courant continu (DC) des charges, peuvent augmenter l'efficacité globale de l'original de 77 % à 84 %, en gardant le centre de données fonctionner correctement.
3. Réduction des coûts grâce au GaN
Il est rapporté que les dispositifs GaN peuvent réduire les coûts d'alimentation de plus de 2 300 dollars par rack et économiser plus de 240 millions de dollars en coûts d'exploitation globaux. Les densités de puissance des centres de données augmenteront de plus de 25 %, ajoutant 1,4 milliard de dollars d'opportunités de revenus aux opérateurs de centres de données du monde entier, tout en reportant près de 1,1 milliard de dollars de dépenses d'investissement en retardant la construction du centre de données.
Les quantités massives de données à venir engendrent le besoin d'une infrastructure de centre de données de plus en plus évolutive, efficace et flexible. Les systèmes d'alimentation utilisant des dispositifs au nitrure de gallium (GaN) offrent une efficacité de conversion de puissance supérieure. Les investissements dans cette technologie haute performance signifient une plus grande efficacité énergétique et spatiale en créant des systèmes d'alimentation plus petits, plus légers, moins coûteux et plus efficaces. La technologie du nitrure de gallium (GaN) permettra aux opérateurs de centres de données non seulement de mieux gérer leurs activités, mais aussi de jouer un rôle important dans l'évolution du monde de l'énergie et des données.
Par conséquent, l'utilisation d'un matériau semi-conducteur GaN pour créer un système d'alimentation plus petit, plus léger, moins coûteux et plus efficace peut offrir une efficacité de conversion de puissance plus élevée, répondant aux besoins de développement des centres de données.
Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail à victorchan@powerwaywafer.com et powerwaymaterial@gmail.com.