substrat autoportant de GaN

substrat autoportant de GaN

PAM-XIAMEN a mis en place la technologie de fabrication pour autoportante (nitrure de gallium) plaquette de substrat de GaN, qui est pour UHB-LED et LD. Par épitaxie en phase vapeur d'hydrure (HVPE) technologie, notre substrat de GaN a une faible densité de défauts.

  • La description

Description du produit

substrat autoportant de GaN

PAM-XIAMEN a mis en place la technologie de fabrication pour autoportant (Nitrure de Gallium)GaN substrat plaquettequi est pour UHB-LED et LD. Par épitaxie en phase vapeur d'hydrure (HVPE) technologie, nossubstrat GaNa une faible densité de défauts et inférieure ou densité de défauts macro libre.

Spécification du substrat autoportant GaN

 montre ici spécification particulière:

4″ N type Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Article PAM-FS-GaN100-N+
Type de Conduction N type/Si doped
Taille 4″(100)+/-1mm
Épaisseur 480+/-50
Orientation C-axe (0001) +/- 0.5o
Emplacement plat principal (10-10)+/-0.5o
Plat Longueur primaire 32+/-1mm
Location Appartement secondaire (1-210)+/-3o
Plat Longueur secondaire 16 +/- 1mm
Résistivité (300K) <0.05Ω·cm
Densité de Dislocation <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
ARC <=+/-30um
Finition de surface Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Retour Surface: terrain 1.Fine
2.Polished.
Surface utile ≥ 90 %

 

4″ N type Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Article PAM-FS-GaN100-N-
Type de Conduction N type/undoped
Taille 4″(100)+/-1mm
Épaisseur 480+/-50
Orientation C-axe (0001) +/- 0.5o
Emplacement plat principal (10-10)+/-0.5o
Plat Longueur primaire 32+/-1mm
Location Appartement secondaire (1-210)+/-3o
Plat Longueur secondaire 16 +/- 1mm
Résistivité (300K) <0.5Ω · cm
Densité de Dislocation <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
ARC <=+/-30um
Finition de surface Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Retour Surface: terrain 1.Fine
2.Polished.
Surface utile ≥ 90 %

 

4″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Article PAM-FS-GaN100-SI
Type de Conduction Semi-Insulating
Taille 4″(100)+/-1mm
Épaisseur 480+/-50
Orientation C-axe (0001) +/- 0.5o
Emplacement plat principal (10-10)+/-0.5o
Plat Longueur primaire 32+/-1mm
Location Appartement secondaire (1-210)+/-3o
Plat Longueur secondaire 16 +/- 1mm
Résistivité (300K) >10^6Ω·cm
Densité de Dislocation <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
ARC <=+/-30um
Finition de surface Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Retour Surface: terrain 1.Fine
2.Polished.
Surface utile ≥ 90 %

 

2 "(50,8 mm)Free-standing(le nitrure de gallium)GaNsubstrat

Article PAM-FS-N-GaN50 PAM-FS-GaN50-SI
Type de Conduction De type N Semi-isolante
Taille 2 "(50,8) +/- 1mm
Épaisseur 330-450um
Orientation C-axe (0001) +/- 0,5 °
Emplacement plat principal (1-100) +/- 0,5 °
Plat Longueur primaire 16 +/- 1mm
Location Appartement secondaire (11-20) +/- 3 °
Plat Longueur secondaire 8 +/- 1mm
Résistivité (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
Densité de Dislocation <5x106cm-2
Marco Densité Defect Une note <= 2cm-2 grade B> 2cm-2
TTV <= 15UM
ARC <= 20um
Finition de surface Surface avant: Ra <0.2nm.Epi prêt poli
  Retour Surface: 1.Fine sol
2.Rough moulue
Surface utile ≥ 90%


 

 1,5 "(38,1 mm)Free-standingSubstrat GaN

Article PAM-FS-N-GaN38 PAM-FS-GaN38-SI
Type de Conduction De type N Semi-isolante
Taille 1,5 "(38,1) +/- 0.5mm
Épaisseur 330-450um
Orientation C-axe (0001) +/- 0.5o
Emplacement plat principal (1-100) +/- 0.5o
Plat Longueur primaire 12 +/- 1mm
Location Appartement secondaire (20/11) +/- 3o
Plat Longueur secondaire 6 +/- 1mm
Résistivité (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
Densité de Dislocation <5x106cm-2
Marco Densité Defect Une note <= 2cm-2 grade B> 2cm-2
TTV <= 15UM
ARC <= 20um
Finition de surface Surface avant: Ra <0.2nm.Epi prêt poli
  Retour Surface: terrain 1.Fine
  2.Rough rectifiées
Surface utile ≥ 90%


 

15 mm, 10 mm, 5 mmFree-standingSubstrat GaN

Article PAM-FS-GaN15-N PAM-FS-GaN15-SI
PAM-FS-GaN10-N PAM-FS-GaN10-SI
PAM-FS-N-GaN5 PAM-FS-GaN5-SI
Type de Conduction De type N Semi-isolante
Taille 14.0mm*15mm   10.0mm*10.5mm   5.0*5.5mm
Épaisseur 330-450um
Orientation C-axe (0001) +/- 0.5o
Emplacement plat principal  
Plat Longueur primaire  
Location Appartement secondaire  
Plat Longueur secondaire  
Résistivité (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
Densité de Dislocation <5x106cm-2
Marco Densité Defect 0cm-2
TTV <= 15UM
ARC <= 20um
Finition de surface Surface avant: Ra <0.2nm.Epi prêt poli
  Retour Surface: 1.Fine sol
    2.Rough moulue
Surface utile ≥ 90%


            

Remarque:

Validation Wafer:Compte tenu de la commodité d'utilisation, PAM-XIAMEN offre 2 "Sapphire plaquette de validation pour moins de 2" taille autoportant substrat GaN

Application de substrat GaN

Solid State Lighting: Appareils de GaN sont utilisés comme des diodes émettrices de lumière de très haute luminosité (LED), des téléviseurs, des automobiles, et l'éclairage général

DVD Stockage: diodes laser bleu

Périphérique d'alimentation: dispositifs GaN sont utilisés comme divers composants de l'électronique de haute puissance et d'énergie à haute fréquence tels que des stations de base cellulaires, des satellites, des amplificateurs de puissance, et les onduleurs / convertisseurs pour véhicules électriques (EV) et les véhicules électriques hybrides (HEV). faible sensibilité de GaN aux rayonnements ionisants (par exemple un autre groupe III nitrures) en fait un matériau approprié pour des applications spatiales telles que les réseaux de cellules solaires pour satellites et de grande puissance, des dispositifs à haute fréquence pour la communication, la météo, et des satellites de surveillance

Idéal pour III-nitrures re-croissance

Stations de base sans fil: des transistors de puissance RF

Sans fil à large bande d'accès: MMIC à haute fréquence, RF Circuits MMIC

Capteurs de pression: MEMS

Capteurs de chaleur: Détecteurs Pyro-électriques

Peurs Conditionnement: signaux mixtes GaN / Intégration Si

Electronique automobile: l'électronique haute température

Lignes de transmission de puissance: l'électronique à haute tension

Capteurs Frame: détecteurs UV

Solar Cells: large bande de GaN couvre le spectre solaire de 0,65 eV à 3,4 eV (qui est pratiquement la totalité du spectre solaire), ce qui rend le nitrure de gallium indium

(InGaN) alliages parfaits pour la création d'un matériau de cellule solaire. En raison de cet avantage, les cellules solaires InGaN cultivées sur des substrats de GaN sont en voie de devenir l'une des plus importantes nouvelles applications et le marché de croissance pour des plaquettes de substrat GaN.

Idéal pour HEMT, FETs

GaN Schottky projet diode: Nous acceptons les spécifications personnalisées des diodes Schottky fabriquées sur les couches de types p-n et HVPE cultivés, nitrure de gallium libre debout (GaN).
Les deux contacts ohmiques (et Schottky) ont été déposés sur la surface supérieure en utilisant Al / Ti et Pd / Ti / Au.
Nous offrirons des rapports d'essai, s'il vous plaît voir ci-dessous un exemple:

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