Modèles GaN

PAM-Xiamen les Modèles de produits constitués de couches cristallines de (nitrure de gallium) modèles GaN, (nitrure d'aluminium) modèle de AlN, (nitrure de gallium aluminium) modèles de AlGaN et (nitrure de gallium indium) modèles de InGaN, qui sont déposés sur saphir
  • La description

Description du produit

GaN (le nitrure de gallium ) Modèles

les Modèles de produits de PAM-XIAMEN se composent de couches cristallines de nitrure de gallium (GaN), le nitrure d'aluminium (AlN), le nitrure de gallium d'aluminium (AlGaN) et le nitrure de gallium et d'indium (InGaN), qui sont déposés sur des substrats de saphir. Les Modèles de produits de PAM-XIAMEN permettent des temps de cycle plus courts 20-50% épitaxie et couches de dispositif épitaxiale de qualité supérieure, avec une meilleure qualité structurelle et une conductivité thermique plus élevée, ce qui peut améliorer les dispositifs du coût, le rendement et la performance.

2 "(50,8 mm)Modèles GaNÉpitaxie sur des substrats de saphir

Article PAM-2inch-GANT-N PAM-2inch-GANT-SI
Type de Conduction De type N Semi-isolante
dopant Si dopé ou non Fe dopés
Taille 2 "(50 mm) de diamètre.
Épaisseur 4um, 20um, 30um, 50um, 100um 30um, 90um
Orientation C-axe (0001) +/- 1 °
Résistivité (300K) <0.05Ω · cm > 1 × 106Ω · cm
Densité de Dislocation <1x108cm-2
Structure du substrat GaN sur saphir (0001)
Finition de surface Simple ou double côté poli, epi-prêt
Surface utile ≥ 90%

2 "(50,8 mm) GaN Modèles épitaxie sur des substrats de saphir

Article PAM-P-GANT
Type de Conduction De type P,
dopant Mg doped
Taille 2 "(50 mm) de diamètre.
Épaisseur 5um, 20um, 30um, 50um, 100um
Orientation C-axe (0001) +/- 1 °
Résistivité (300K) <1Ω · cm ou sur mesure
Concentration dopant 1E17 (cm-3) ou personnalisé
Structure du substrat GaN sur saphir (0001)
Finition de surface Simple ou double côté poli, epi-prêt
Surface utile ≥ 90%

 3 "(76,2 mm) GaN Modèles épitaxie sur des substrats de saphir

Article PAM-3inch-GANT-N
Type de Conduction De type N
dopant Si dopé ou non
Zone d'exclusion: 5 mm de diamètre extérieur
Épaisseur: 20um, 30um
densité de Dislocation <1x108cm-2
résistance à la feuille (300K): <0.05Ω · cm
substrat: saphir
Orientation: C-plan
épaisseur Sapphire: 430um
Polissage: Un seul côté poli, epi prêt, avec des étapes atomiques.
revêtement Backside: (Mesure) de revêtement de titane de haute qualité, d'épaisseur> 0,4 ​​pm
Emballage: Individuellement emballé sous argon
Atmosphere vacuum sealed in class 100 clean room.

3 "(76,2 mm) GaN Modèles épitaxie sur des substrats de saphir

Article PAM-3inch-GANT-SI
Type de Conduction Semi-isolante
dopant Fe dopé
Zone d'exclusion: 5 mm de diamètre extérieur
Épaisseur: 20um, 30um, 90um (20um est le meilleur)
densité de Dislocation <1x108cm-2
résistance à la feuille (300K): > 106 ohm.cm
substrat: saphir
Orientation: C-plan
épaisseur Sapphire: 430um
Polissage: Un seul côté poli, epi prêt, avec des étapes atomiques.
revêtement Backside: (Mesure) de revêtement de titane de haute qualité, d'épaisseur> 0,4 ​​pm
Emballage: Conditionnement individuel sous vide argon de l'atmosphère scellée dans la classe 100 salles blanches.

4″(100mm)GaN Templates Epitaxial on Sapphire Substrates

Article PAM-4inch-GANT-N
Type de Conduction De type N
dopant non dopé
Épaisseur: 4um
densité de Dislocation <1x108cm-2
résistance à la feuille (300K): <0.05Ω · cm
substrat: saphir
Orientation: C-plan
épaisseur Sapphire:
Polissage: Un seul côté poli, epi prêt, avec des étapes atomiques.
Emballage: Individuellement emballé sous argon Atmosphere
scellé sous vide dans la classe 100 salles blanches.

2 "(50.8mm) AlGaN, InGaN, AIN Epitaxie sur les modèles Sapphire: sur mesure
2”(50.8mm)AlN Epitaxy on Sapphire Templates

Article PAM-ALnt-SI
Type de Conduction semi-isolante
Diamètre Ф 50,8 ± 1mm
Épaisseur: 1000nm de 10%
substrat: saphir
Orientation: C-axe (0001) +/- 1 °
Orientation plat Un avion
XRD de FWHM (0002) <200 arcsec.
Surface utilisable ≥90%
Polissage: Aucun

2” (50,8 mm)InGaN épitaxie sur Modèles Sapphire

Article PAM-Ingan
Type de Conduction
Diamètre Ф 50,8 ± 1mm
Épaisseur: 100-200nm, coutume
substrat: saphir
Orientation: C-axe (0001) +/- 1O
dopant Dans
Densité de Dislocation ~ 108 cm-2
Surface utilisable ≥90%
Finition de surface Simple ou double côté poli, epi-prêt

2” (50,8 mm) AlGaN épitaxie sur Modèles Sapphire

Article PAM-ALnt-SI
Type de Conduction semi-isolante
Diamètre Ф 50,8 ± 1mm
Épaisseur: 1000nm de 10%
substrat: saphir
Orientation: C-plan
Orientation plat Un avion
XRD de FWHM (0002) <200 arcsec.
Surface utilisable ≥90%
Polissage: Aucun

GaN Template on Sapphire& Silicon

2 "(50,8 mm) de GaN sur un substrat de SiC 4H ou 6H

1) tampon GaN non dopé ou un tampon d'AlN sont disponibles;
2) de type n (Si dopé ou non dopé), de type p ou des couches épitaxiales en GaN semi-isolant disponible;
3) structures conductrices verticales sur SiC de type n;
4) AlGaN - 20-60nm épais, (20% -30% Al), le tampon dopée Si;
5) couche de type n à base de GaN sur 330μm +/- 25um d'épaisseur plaquette 2” .
6) simple ou double face polie, epi-ready, Ra <0.5um
7) Valeur typique de diffraction des rayons X:
ID wafer ID du support XRD (102) XRD (002) Épaisseur
#2153 X-70105033 (avec AlN) 298 167 679um
2 "(50,8 mm) GaN sur silicium substrat
1) l'épaisseur de la couche de GaN: 50nm-4um;
2) de type N ou GaN semi-isolante sont disponibles;
3) simple ou double face polie, epi-ready, Ra <0.5um

6 "(150mm) n-GaN sur double côté poli saphir plat2 "(50,8 mm) de GaN sur un substrat de SiC 4H ou 6H

Cible remarque
diamètre du substrat 150 mm +/- 0,15 mm
Epaisseur du substrat 1300 um ou 1000um +/- 25 um
c-plan (0001), l'angle vers offcut m-plan 0,2 deg +/- 0,1 °
Single primary flat length 47.5 mm +/- 1 mm
Flat orientation a-plane +/- 0.2 deg
Si-doped n-GaN thickness 4 um +/- 5%
Si concentration in n-GaN 5e18 cm-3 yes
u-GaN thickness 1 um no this layer
XRD rocking curve (002) < 250 arcsec <300 arcsec
XRD rocking curve (102) < 250 arcsec <350 arcsec
densité de Dislocation < 5e8 cm-2 yes
Front side surface, AFM (5×5 um2) Ra < 0.5 nm, Epi-ready yes
Back side surfac\e 0.6 – 1.2 um, fine ground yes
Wafer bowing < 100 um no this data
n-GaN resistivity (300K) < 0.01 ohm-cm2 yes
Total thickness variation < 25 um <10um
Defect density Macro defects (>100 um):< 1/wafer  Micro defects (1-100 um):< 1/cm2 Macro defects (>100 um):< 10/wafer Micro defects (1-100 um):< 10/cm2
Laser marking on the backside of the wafer flat yes
Package packaged in a class 100 clean room environment, in cassettes of 25 pcs or single wafer containers, under nitrogen atmosphere, double sealed yes
Edge exclusion < 3 mm yes
Useable surface area > 90% yes

Hydride Vapour Phase Epitaxy (HVPE) process

Grown by HVPE process and technology for the production of compound semiconductors such as GaN, AlN, and AlGaN. They are used in a wide applications:solid state lighting, short wavelength optoelectronics and RF power device.

In the HVPE process, Group III nitrides (such as GaN, AlN) are formed by reacting hot gaseous metal chlorides (such as GaCl or AlCl) with ammonia gas (NH3). The metal chlorides are generated by passing hot HCl gas over the hot Group III metals. All reactions are done in a temperature controlled quartz furnace.

Nous offrirons des rapports d'essai, s'il vous plaît voir ci-dessous un exemple:

AlGaN rapport de structure de modèle

rapport FWHM et XRD

AlN Single Crystal Substrate& Template-4

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