Modèles GaN

PAM-Xiamen les Modèles de produits constitués de couches cristallines de (nitrure de gallium) modèles GaN, (nitrure d'aluminium) modèle de AlN, (nitrure de gallium aluminium) modèles de AlGaN et (nitrure de gallium indium) modèles de InGaN, qui sont déposés sur saphir
  • La description

Description du produit

GaN (le nitrure de gallium ) Modèles

les Modèles de produits de PAM-XIAMEN se composent de couches cristallines de nitrure de gallium (GaN), le nitrure d'aluminium (AlN), le nitrure de gallium d'aluminium (AlGaN) et le nitrure de gallium et d'indium (InGaN), qui sont déposés sur des substrats de saphir. Les Modèles de produits de PAM-XIAMEN permettent des temps de cycle plus courts 20-50% épitaxie et couches de dispositif épitaxiale de qualité supérieure, avec une meilleure qualité structurelle et une conductivité thermique plus élevée, ce qui peut améliorer les dispositifs du coût, le rendement et la performance.

2 "(50,8 mm)Modèles GaNÉpitaxie sur des substrats de saphir

Article PAM-2inch-GANT-N PAM-2inch-GANT-SI
Type de Conduction De type N Semi-isolante
dopant Si dopé ou non Fe dopés
Taille 2 "(50 mm) de diamètre.
Épaisseur 4um, 20um, 30um, 50um, 100um 30um, 90um
Orientation C-axe (0001) +/- 1 °
Résistivité (300K) <0.05Ω · cm > 1 × 106Ω · cm
Densité de Dislocation <1x108cm-2
Structure du substrat GaN sur saphir (0001)
Finition de surface Simple ou double côté poli, epi-prêt
Surface utile ≥ 90%

2 "(50,8 mm) GaN Modèles épitaxie sur des substrats de saphir

Article PAM-P-GANT
Type de Conduction De type P,
dopant mg dopée
Taille 2 "(50 mm) de diamètre.
Épaisseur 5um, 20um, 30um, 50um, 100um
Orientation C-axe (0001) +/- 1 °
Résistivité (300K) <1Ω · cm ou sur mesure
Concentration dopant 1E17 (cm-3) ou personnalisé
Structure du substrat GaN sur saphir (0001)
Finition de surface Simple ou double côté poli, epi-prêt
Surface utile ≥ 90%

 3 "(76,2 mm) GaN Modèles épitaxie sur des substrats de saphir

Article PAM-3inch-GANT-N
Type de Conduction De type N
dopant Si dopé ou non
Zone d'exclusion: 5 mm de diamètre extérieur
Épaisseur: 20um, 30um
densité de Dislocation <1x108cm-2
résistance à la feuille (300K): <0.05Ω · cm
substrat: saphir
Orientation: C-plan
épaisseur Sapphire: 430um
Polissage: Un seul côté poli, epi prêt, avec des étapes atomiques.
revêtement Backside: (Mesure) de revêtement de titane de haute qualité, d'épaisseur> 0,4 ​​pm
Emballage: Individuellement emballé sous argon
Atmosphère scellée sous vide dans une salle blanche de classe 100.

3 "(76,2 mm) GaN Modèles épitaxie sur des substrats de saphir

Article PAM-3inch-GANT-SI
Type de Conduction Semi-isolante
dopant Fe dopé
Zone d'exclusion: 5 mm de diamètre extérieur
Épaisseur: 20um, 30um, 90um (20um est le meilleur)
densité de Dislocation <1x108cm-2
résistance à la feuille (300K): > 106 ohm.cm
substrat: saphir
Orientation: C-plan
épaisseur Sapphire: 430um
Polissage: Un seul côté poli, epi prêt, avec des étapes atomiques.
revêtement Backside: (Mesure) de revêtement de titane de haute qualité, d'épaisseur> 0,4 ​​pm
Emballage: Conditionnement individuel sous vide argon de l'atmosphère scellée dans la classe 100 salles blanches.

Modèles GaN de 4 ″ (100 mm) épitaxiaux sur des substrats en saphir

Article PAM-4inch-GANT-N
Type de Conduction De type N
dopant non dopé
Épaisseur: 4um
densité de Dislocation <1x108cm-2
résistance à la feuille (300K): <0.05Ω · cm
substrat: saphir
Orientation: C-plan
épaisseur Sapphire:
Polissage: Un seul côté poli, epi prêt, avec des étapes atomiques.
Emballage: Individuellement emballé sous argon Atmosphere
scellé sous vide dans la classe 100 salles blanches.

2 "(50.8mm) AlGaN, InGaN, AIN Epitaxie sur les modèles Sapphire: sur mesure
Épitaxie AlN de 2 po (50,8 mm) sur des modèles en saphir

Article PAM-ALnt-SI
Type de Conduction semi-isolante
Diamètre Ф 50,8 ± 1mm
Épaisseur: 1000nm de 10%
substrat: saphir
Orientation: C-axe (0001) +/- 1 °
Orientation plat Un avion
XRD de FWHM (0002) <200 arcsec.
Surface utilisable ≥90%
Polissage: Aucun

2” (50,8 mm)InGaN épitaxie sur Modèles Sapphire

Article PAM-Ingan
Type de Conduction
Diamètre Ф 50,8 ± 1mm
Épaisseur: 100-200nm, coutume
substrat: saphir
Orientation: C-axe (0001) +/- 1O
dopant Dans
Densité de Dislocation ~ 108 cm-2
Surface utilisable ≥90%
Finition de surface Simple ou double côté poli, epi-prêt

2” (50,8 mm) AlGaN épitaxie sur Modèles Sapphire

Article PAM-ALnt-SI
Type de Conduction semi-isolante
Diamètre Ф 50,8 ± 1mm
Épaisseur: 1000nm de 10%
substrat: saphir
Orientation: C-plan
Orientation plat Un avion
XRD de FWHM (0002) <200 arcsec.
Surface utilisable ≥90%
Polissage: Aucun

Modèle GaN sur saphir et silicium

2 "(50,8 mm) de GaN sur un substrat de SiC 4H ou 6H

1) tampon GaN non dopé ou un tampon d'AlN sont disponibles;
2) de type n (Si dopé ou non dopé), de type p ou des couches épitaxiales en GaN semi-isolant disponible;
3) structures conductrices verticales sur SiC de type n;
4) AlGaN - 20-60nm épais, (20% -30% Al), le tampon dopée Si;
5) couche de type n à base de GaN sur 330μm +/- 25um d'épaisseur plaquette 2” .
6) simple ou double face polie, epi-ready, Ra <0.5um
7) Valeur typique de diffraction des rayons X:
ID wafer ID du support XRD (102) XRD (002) Épaisseur
#2153 X-70105033 (avec AlN) 298 167 679um
2 "(50,8 mm) GaN sur silicium substrat
1) l'épaisseur de la couche de GaN: 50nm-4um;
2) de type N ou GaN semi-isolante sont disponibles;
3) simple ou double face polie, epi-ready, Ra <0.5um

6 "(150mm) n-GaN sur double côté poli saphir plat2 "(50,8 mm) de GaN sur un substrat de SiC 4H ou 6H

Cible remarque
diamètre du substrat 150 mm +/- 0,15 mm
Epaisseur du substrat 1300 um ou 1000um +/- 25 um
c-plan (0001), l'angle vers offcut m-plan 0,2 deg +/- 0,1 °
longueur plat primaire à l'unité 47,5 mm +/- 1 mm
Orientation plat un avion +/- 0,2 °
n-GaN épaisseur dopée au Si 4 um +/- 5%
Si la concentration en n-GaN 5e18 cm-3 oui
épaisseur u-GaN 1 um pas cette couche
courbe de basculement XRD (002) <250 arcsec <300 arcsec
courbe de basculement XRD (102) <250 arcsec <350 arcsec
densité de Dislocation <5E8 cm-2 oui
Face avant, AFM (5 × 5 um2) Ra <0,5 nm, Epi-prêt oui
Retour côté surfac \ e 0,6 à 1,2 um, finement broyé oui
bombement wafer <100 um pas ces données
résistivité n-GaN (300K) <0,01 ohm-cm2 oui
variation d'épaisseur totale <25 um <10um
densité de défauts Défauts macro (> 100 um): <1 / wafer Micro défauts (1-100 um): <1 / cm2 Défauts macro (> 100 um): <10 / wafer Micro défauts (1-100 um): <10 / cm2
marquage laser à l'arrière de la plaquette plate oui
Paquet emballé dans un environnement de salle blanche de classe 100, en cassettes de 25 pièces ou en conteneurs simples, sous atmosphère d'azote, double scellage oui
exclusion de bord <3 mm oui
surface utile > 90% oui

Procédé d'épitaxie en phase vapeur d'hydrure (HVPE)

Développé par processus et technologie HVPE pour la production de semi-conducteurs composés tels que GaN, AlN et AlGaN. Ilssont utilisés dans de nombreuses applications: éclairage à semi-conducteurs, optoélectronique à courte longueur d'onde et dispositif d'alimentation RF.

Dans le procédé HVPE, les nitrures du groupe III (tels que GaN, AlN) sont formés en faisant réagir des chlorures métalliques gazeux chauds (tels que GaCl ou AlCl) avec du gaz ammoniac (NH3). Les chlorures métalliques sont générés en faisant passer du gaz HCl chaud sur les métaux chauds du groupe III. Toutes les réactions sont effectuées dans un four à quartz à température contrôlée.

Nous offrirons des rapports d'essai, s'il vous plaît voir ci-dessous un exemple:

AlGaN rapport de structure de modèle

rapport FWHM et XRD

AlN Single Crystal Substrate& Template on Sapphire/Silicon

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