Ce que nous proposons :
| Article | non dopé N- | Si dopé N+ | Semi-isolante | P+ |
| substrat autoportant de GaN | oui | oui | oui | |
| GaN sur saphir | oui | oui | oui | oui |
| InGaN sur saphir | oui | *** | ||
| AlN sur saphir | oui | |||
| plaquette LED | (p+GaN/MOW/N+GaN/N-AlGaN/N+GaN/N-GaN/saphir) | |||
Substrat GaN autoportant/GaN sur plaque saphir/LED :
Pour les spécifications du substrat GaN autoportant/GaN sur plaquette saphir/LED, veuillez consulterPlaquette de nitrure de gallium:
http://www.qualitymaterial.net/products_7.html
InGaN sur Sapphire :
Pour la spécification d'InGaN sur le modèle de saphir, veuillez consulterSubstrat InGaN:
https://www.powerwaywafer.com/InGaN-Substrates.html
AlN sur Sapphire :
Pour la spécification de l'AlN sur le modèle de saphir, veuillez consulterSubstrat AIN:
http://www.qualitymaterial.net/AlN-Substrat.html
AlGaN/GaN sur Saphir：
Pour le modèle AlGaN/GaN sur saphir, veuillez consulterAlGaN/GaN:
https://www.powerwaywafer.com/GaN-HEMT-epitaxial-wafer.html
Constante de réseau du substrat GaN
Les paramètres de réseau du nitrure de gallium ont été mesurés par diffraction des rayons X à haute résolution
GaN,structure wurtzite. Les constantes de réseau a en fonction de la température.
GaN,structure wurtzite. Les constantes de réseau c en fonction de la température
Propriétés desubstrat GaN
| PROPRIÉTÉ / MATÉRIEL | GaN cubique (bêta) | Hexagonal (Alpha) GaN |
| . | . | . |
| Structure | Mélange de zinc | Wurzite |
| Groupe de l'espace | F barre4 3m | C46v( = P63mc) |
| Stabilité | Méta-stable | Stable |
| Paramètre(s) de réseau à 300K | 0,450 nm | a0 = 0,3189 nm |
| c0 = 0,5185 nm | ||
| Densité à 300K | 6,10 g.cm-3 | 6,095 g.cm-3 |
| Modules élastiques à 300 K | . . . | . . . |
| Coeff. | . . . | Le long de a0 : 5,59×10-6K-1 |
| à 300 K | Le long de c0 : 7,75×10-6K-1 | |
| Polarisations spontanées calculées | N'est pas applicable | – 0,029 Cm-2 |
| Bernardini et al 1997 | ||
| Bernardini & Fiorentini 1999 | ||
| Coefficients piézo-électriques calculés | N'est pas applicable | e33 = + 0,73 Cm-2 |
| e31 = – 0,49 Cm-2 | ||
| Bernardini et al 1997 | ||
| Bernardini & Fiorentini 1999 | ||
| A1(TO) : 66,1 meV | ||
| E1(TO) : 69,6 meV | ||
| Phonon Energies | À : 68,9 meV | E2 : 70,7 meV |
| LO : 91,8 meV | A1(LO): 91,2 meV | |
| E1(LO): 92,1 meV | ||
| Température d'arrêt | 600K (estimé) | |
| Slack, 1973 | ||
| . . . | Unités : Wcm-1K-1 | |
| 1.3, | ||
| Tansley et al 1997b | ||
| 2,2±0,2 | ||
| pour GaN épais et autoportant | ||
| Vaudo et al, 2000 | ||
| 2,1 (0,5) | ||
| pour le matériel LEO | ||
| où peu (beaucoup) de luxations | ||
| Conductivité thermique | Florescu et al, 2000, 2001 | |
| près de 300K | ||
| environ 1,7 à 1,0 | ||
| pour n=1×1017à 4×1018cm-3 | ||
| en matériau HVPE | ||
| Florescu, Molnar et al, 2000 | ||
| 2,3 ± 0,1 | ||
| en matériau HVPE dopé Fe | ||
| d'env. 2x108 ohm-cm, | ||
| & densité de luxation env. dix5cm-2 | ||
| (les effets de T et de la densité de dislocation sont également donnés). | ||
| Mion et al, 2006a, 2006b | ||
| Point de fusion | . . . | . . . |
| Constante diélectrique | . . . | Le long de a0 : 10,4 |
| à basse/faible fréquence | Le long de c0 : 9,5 | |
| Indice de réfraction | 2,9 à 3eV | 2,67 à 3,38 eV |
| Tansley et al 1997b | Tansley et al 1997b | |
| Nature de l'écart énergétique, par exemple | Direct | Direct |
| Écart énergétique par exemple à 1237K | 2,73 eV | |
| Ching-Hua Su et al, 2002 | ||
| Écart énergétique par exemple à 293-1237 K | 3,556 – 9,9×10-4T2 / (T+600) eV | |
| Ching-Hua Su et al, 2002 | ||
| Écart énergétique par exemple à 300 K | 3,23 eV | 3,44 eV |
| Ramirez-Flores et al 1994 | Monémar 1974 | |
| . | . | |
| 3,25 eV | 3,45 eV | |
| Logothetidis et al 1994 | Koide et al 1987 | |
| . | ||
| 3.457 eV | ||
| Ching-Hua Su et al, 2002 | ||
| Écart énergétique Par exemple à env. 0 K | 3,30 eV | 3,50 eV |
| Ramirez-Flores et al1994 | Dingle et al 1971 | |
| Ploog et al 1995 | Monémar 1974 | |
| Conc. porteuse intrinsèque à 300 K | . . . | . . . |
| Énergie d'ionisation de . . . Donneur | . . . . | . . . . |
| Masse efficace d'électrons moi*/ m0 | . . . | 0.22 |
| Moore et al, 2002 | ||
| Mobilité électronique à 300 K | . . . | . |
| pour n = 1×1017cm-3: | Californie. 500cm2V-1s-1 | |
| pour n = 1×1018cm-3: | Californie. 240cm2V-1s-1 | |
| pour n = 1×1019cm-3: | Californie. 150cm2V-1s-1 | |
| Rode & Gaskill, 1995 | ||
| Tansley et al 1997a | ||
| Mobilité électronique à 77 K | . . . . | . . . . |
| pour n = . . | ||
| Énergie d'ionisation des accepteurs | . . . | mg : 160 meV |
| Amano et al 1990 | ||
| mg : 171 meV | ||
| Zolper et al 1995 | ||
| Ca : 169 meV | ||
| Zolper et al 1996 | ||
| Trou Hall Mobilité à 300 K | . . . | . . . . |
| pour p= . . . | ||
| Trou Hall Mobilité à 77 K | . . . . | . . . |
| pour p= . . . | ||
| . | GaN cubique (bêta) | Hexagonal (Alpha) GaN |
Application du substrat GaN
Le nitrure de gallium (GaN), avec une bande interdite directe de 3,4 eV, est un matériau prometteur dans le développement de dispositifs émetteurs de lumière à courte longueur d'onde. D'autres applications de dispositifs optiques pour GaN incluent les lasers à semi-conducteurs et les détecteurs optiques.