Modèle GaN sur saphir et silicium

PAM XIAMEN propose un modèle GaN sur Sapphire et Silicon.

N°1 : GaN dopé sur saphir
Modèle 1-1GaN (0001) (N+, dopé Si) sur Saphir, 2″x 5um,1sp
Modèle 1-2GaN (0001) (N+, dopé Si) sur saphir, 2″x 5um,2sp
Modèle 1-3GaN (0001) (semi-isolant, dopé au Fe) sur saphir, 2″x 2um, 1sp
Gabarit GaN dopé 1-4Si (0001) sur type Sapphire N+, 4″x 5 microns, 1sp
Modèle GaN de type P dopé à 1-5 Mg (0001) sur saphir 10x10x 2 microns, 1sp, Concentration de dopage : 5E17/cc
Modèle GaN de type P dopé 1-6Mg (0001) sur saphir 2″x 2 microns, 1sp, Concentration de dopage : 5E17/cc
Modèle épitaxial GaN de type P dopé 1-7Mg (0001) sur saphir 2″x 2 microns, 2sp

N°2 : Modèle GaN non dopé sur Sapphire

Gabarit 2-1GaN sur Saphir, plan C 5×5 mmx 5 microns d'épaisseur, 1sp
Gabarit 2-2GaN sur Saphir, plan C, 10 x 10 mm x 5 microns, 1sp
Gabarit 2-3GaN sur Saphir, plan M, 10 x 10 mm x 5 microns, 1sp
Gabarit 2-4GaN sur Saphir, plan C, 10×10 x0,5 mm, Film : 5 microns d'épaisseur
Gabarit 2-5GaN sur Saphir (plan C), type N, non dopé, 2″x 5 microns, 1sp
Gabarit 2-6GaN sur Saphir (plan C), type N, non dopé, 2″x 5 microns, 2sp
Gabarit 2-7GaN sur saphir (plan C), type N, non dopé, 4″ x 5 microns – qualité production

N°3 : GaN GaN sur Silicium

Gabarit 3-1GaN sur plaquette de silicium 2″, film GaN, type N, non dopé sur substrats Si (111), 2″x 2um, 1sp
Gabarit 3-2GaN sur plaquette de silicium 2″, film GaN, type N, dopé Si sur substrats Si (111), 2″x 2um, 1sp
Gabarit 3-3GaN sur plaquette de silicium 2″, film GaN, type P, dopé au Mg sur substrats Si (111), 2″x 2um, 1sp
Gabarit 3-4GaN sur plaquette de silicium 2″, film GaN, semi-isolant sur substrats Si (111), 2″x 2um, 1sp
Gabarit 3-5GaN sur plaquette de silicium 4″, film GaN, type N, non dopé sur substrats Si (111), 4″x 2um, 1sp
Gabarit 3-6GaN sur plaquette de silicium 4″, film GaN, type N, dopé Si sur substrats Si (111), 4″x 2um, 1sp
Gabarit 3-7GaN sur plaquette de silicium 4″, film GaN, type P, dopé au Mg sur substrats Si (111), 4″x 2um, 1sp
Gabarit 3-8GaN sur plaquette de silicium 4″, film GaN, semi-isolant sur substrats Si (111), 4″x 2um, 1sp

L'exemple de spécification détaillée ci-dessous est répertorié :

4″ de diamètre, GaN sur silicium (GaN sur Si)
Dimension:100 +/-0,1 mm
Épaisseur de la couche GaN : 2um
Conductivité de la couche GaN : type n, dopé Si.
Structure : GaN sur Silicium (111).
Concentration de dopage : xxxcm-3
XRD(102)<xx arc.sec
XRD(002)<xx arc.sec
Poli d'un seul côté, prêt pour l'épi, Ra<0,5 nm
Emballage : Emballé dans un environnement de salle blanche de classe 100, dans un conteneur unique, sous atmosphère d'azote.

FAQ sur le modèle GaN

Q1 :Avez-vous du GaN cultivé sur GaAs ?

UN:Il n'est pas possible de faire croître du GaN sur du GaAs, mais il peut s'agir de GaN sur du silicium, du SiC et du saphir.

T2 :Pour la structure épi GaN Tamplate sur SiC et Si, quel pourrait être le niveau de dopage maximum dans la couche de nucléation GaN et AlN ?

UN:Couche AlN : 60-100 nm, niveau de dopage : 1E16-1E19

Q3 :Comment initier la croissance de vos plaquettes GaN sur substrats saphir ? Cela s'est transformé en points quantiques comme la croissance de Gan-on-GaN, même au stade initial de croissance avec des gouttelettes de Ga à la surface.

UN:Nous cultivons du GaN sur le saphir, du côté saphir par MOCVD, puis la face N se connecte au saphir, la face Ga est pour l'épi-croissance.

T4 :Les dopants Mg dans les modèles GaN de type p (dopés au Mg) sur Sapphire ont-ils été activés ? DONC, sont-ils prêts à être utilisés, ou devons-nous les activer nous-mêmes ?
UN:Les dopants Mg dans les modèles GaN sur Sapphire ont été activés, vous n'avez pas besoin de les activer.

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