GaN à base de LED épitaxiales Wafer
GaN de PAM-XIAMEN (nitrure de gallium) à base de plaquette épitaxiale de LED est de très haute luminosité de lumière bleue et verte diodes électroluminescentes (LED) et des diodes laser d'application (LD).
- La description
Description du produit
La plaquette épitaxiale LED est un substrat chauffé à une température appropriée. Le matériau des plaquettes LED est la pierre angulaire du développement technologique pour l’industrie de l’éclairage à semi-conducteurs. Différents matériaux de substrat nécessitent différentes technologies de croissance de tranches épitaxiales LED, technologies de traitement de puces et technologies d'emballage de dispositifs différentes. Le substrat pour plaquette épi LED détermine la voie de développement de la technologie d’éclairage à semi-conducteurs. Pour obtenir une efficacité lumineuse, les fournisseurs de plaquettes épitaxiales accordent plus d'attention aux plaquettes épitaxiales à LED à base de GaN, car le prix des plaquettes épitaxiales est faible et la densité de défauts des plaquettes épi est faible. L'avantage de la plaquette épi LED sur le substrat GaN est la réalisation d'un rendement élevé, d'une grande surface, d'une lampe unique et d'une puissance élevée, ce qui simplifie la technologie de processus et améliore le taux de rendement élevé. Les perspectives de développement du marché des plaquettes LED épi sont optimistes.
1. Liste des plaquettes LED
|
Plaquette épitaxiale LED |
||||||||
| Article | Taille | Orientation | Émission | Longueur d'onde | Épaisseur | Substrat | Surface | Surface utilisable |
| PAM-50-LED-BLEU-F | 50mm | 0°±0,5° | lumière bleue | 445-475nm | 425um +/-25um | Saphir | PL | >90% |
| PAM-50-LED-BLEU-PSS | 50mm | 0°±0,5° | lumière bleue | 445-475nm | 425um +/-25um | Saphir | PL | >90% |
| PAM-100-LED-BLEU-F | 100mm | 0°±0,5° | lumière bleue | 445-475nm | / | Saphir | PL | >90% |
| PAM-100-LED-BLEU-PSS | 100mm | 0°±0,5° | lumière bleue | 445-475nm | / | Saphir | PL | >90% |
| PAM-150-LED-BLEU | 150mm | 0°±0,5° | lumière bleue | 445-475nm | / | Saphir | PL | >90% |
| PAM-100-LED-BLEU-SIL | 50mm | 0°±0,5° | lumière bleue | 445-475nm | / | Silicium | PL | >90% |
| PAM-100-LED-BLEU-SIL | 100mm | 0°±0,5° | lumière bleue | 445-475nm | / | Silicium | PL | >90% |
| PAM-150-LED-BLEU-SIL | 150mm | 0°±0,5° | lumière bleue | 445-475nm | / | Silicium | PL | >90% |
| PAM-200-LED-BLEU-SIL | 200mm | 0°±0,5° | lumière bleue | 445-475nm | / | Silicium | PL | >90% |
| PAM-50-LED-VERT-F | 50mm | 0°±0,5° | lumière verte | 510-530nm | 425um +/-25um | Saphir | PL | >90% |
| PAM-50-LED-VERT-PSS | 50mm | 0°±0,5° | lumière verte | 510-530nm | 425um +/-25um | Saphir | PL | >90% |
| PAM-100-LED-VERT-F | 100mm | 0°±0,5° | lumière verte | 510-530nm | / | Saphir | PL | >90% |
| PAM-100-LED-VERT-PSS | 100mm | 0°±0,5° | lumière verte | 510-530nm | / | Saphir | PL | >90% |
| PAM-150-LED-VERT | 150mm | 0°±0,5° | lumière verte | 510-530nm | / | Saphir | PL | >90% |
| PAM-100-LED-ROUGE-GAAS-620 | 100mm | 15°±0,5° | lumière rouge | 610-630nm | / | AsGa | PL | >90% |
| PAM210527-LED-660 | 100mm | 15°±0,5° | lumière rouge | 660 nm | / | AsGa | PL | >90% |
| PAM-210414-850nm-LED | 100mm | 15°±0,5° | IR | 850 nm | / | AsGa | PL | >90% |
| PAMP21138-940LED | 100mm | 15°±0,5° | IR | 940 nm | / | AsGa | PL | >90% |
| PAM-50-LED-UV-365-PSS | 50mm | 0°±0,5° | UVA | 365 nm | 425um +/-25um | Saphir | ||
| PAM-50-LED-UV-405-PSS | 50mm | 0°±0,5° | UVA | 405 nm | 425um +/-25um | Saphir | ||
| PAM-50-LED-UVC-275-PSS | 50mm | 0°±0,5° | UVC | 275 nm | 425um +/-25um | Saphir | ||
| PAM-50-LD-UV-405-SIL | 50mm | 0°±0,5° | UV | 405 nm | / | Silicium | PL | >90% |
| PAM-50-LD-BLEU-450-SIL | 50mm | 0°±0,5° | lumière bleue | 450 nm | / | Silicium | PL | >90% |
As a LED epitaxial wafer manufacturer, PAM-XIAMEN can offer activated and unactivated GaN Epi LED wafer for LED and laser diodes (LD) application,such as For micro LED or ultra thin wafer or UV LED researches or LED manufacturers. LED epitaxial wafer on GaN is grown by MOCVD with PSS or flat sapphire for LCD back light, mobile, electronic or UV(ultraviolet), with blue or green or red emission, including InGaN/GaN active area and AlGaN layers with GaN well/AlGaN barrier for different chip sizes.
2. InGaN/GaNPlaquette épitaxiale LED à base de nitrure de gallium
GaN sur Al2O3-2” wafer epi Specification (plaquette LED épitaxiales)
| Blanc : 445 ~ 460 nm |
| Bleu : 465 ~ 475 nm |
| Vert : 510 ~ 530 nm |
1. Technique de croissance - MOCVD
2.Wafer diamètre: 50,8 mm
Matériau du substrat 3.Wafer : substrat saphir à motifs (Al2O3) ou saphir plat
4.Wafer taille de motif: 3X2X1.5μm
3. Structure de la plaquette :
| Structure de couches | Épaisseur (μm) |
| p-GaN | 0.2 |
| p-AlGaN | 0.03 |
| InGaN / GaN (Région actif) | 0.2 |
| n-GaN | 2.5 |
| u- GaN | 3.5 |
| Al2O3 (substrat) | 430 |
4. Paramètres des plaquettes pour fabriquer des puces :
| em | Couleur | Taille de puce | Caractéristiques | Apparition | |
| PAM1023A01 | Bleu | 10mil x 23mil |  |
Éclairage | |
| Vf = 2,8 ~ 3.4V | LCD rétro-éclairage | ||||
| Po = 18 ~ 25mW | appareils mobiles | ||||
| Dv 450 ~ 460nm | électronique grand public | ||||
| PAM454501 | Bleu | 45mil x 45mil | Vf = 2,8 ~ 3.4V |  |
éclairage général |
| Po = 250 ~ 300mW | LCD rétro-éclairage | ||||
| Dv 450 ~ 460nm | affichage extérieur |
5. Application de la plaquette épitaixale LED :
*Si vous avez besoin d'informations plus détaillées sur la plaquette épitaxiale à LED bleue, veuillez contacter notre service commercial.
Éclairage
LCD rétro-éclairage
appareils mobiles
électronique grand public
6. Spécification de LED Epi Wafer à titre d'exemple :
Spécification PAM190730-LED
– taille : 4 pouces
– WD : 455 ± 10nm
– luminosité : > 90mcd
– VF : < 3,3V
– Épaisseur n-GaN : <4.1㎛
– épaisseur u-GaN : <2.2㎛
– substrat : substrat saphir à motifs (PSS)
7. Matériau de la plaquette LED à base de GaAs (arséniure de gallium) :
En ce qui concerne la plaquette LED GaAs, elles sont cultivées par MOCVD, voir ci-dessous longueur d'onde de GaAs plaquette LED:
Rouge: 585nm, 615 nm, 620 ~ 630nm
Jaune : 587 ~ 592 nm
Jaune/Vert : 568 ~ 573 nm
8. Définition de la plaquette épitaxiale LED :
Ce que nous proposons est une plaquette épi LED nue ou une plaquette non traitée sans processus de lithographie, contacts n- et métalliques, etc. Et vous pouvez fabriquer la puce LED à l'aide de votre équipement de fabrication pour différentes applications telles que la recherche en nano-optoélectronique.
Remarque:
Le gouvernement chinois a annoncé de nouvelles limites à l'exportation de matériaux au gallium (tels que GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs et GaSb) et aux matériaux au germanium utilisés pour fabriquer des puces semi-conductrices. À compter du 1er août 2023, l’exportation de ces matériaux n’est autorisée que si nous obtenons une licence du ministère chinois du Commerce. J'espère votre compréhension et votre coopération !
Pour ces détails caractéristiques GaAs plaquette LED, visitez s'il vous plaît:GaAs Epi Wafer pour LED
Pour les spécifications LED UV gaufrettes, visitez s'il vous plaît:LED UV Epi Wafer
Pour la tranche LED sur les spécifications de silicium, visitez s'il vous plaît:LED Wafer sur silicium
Blue GaN LD spécifications Wafer, visitez s'il vous plaît: Bleu GaN LD Wafer
Pour la plaquette Violet GaN LD, veuillez visiter :Plaquette de diode laser GaN 405 nm
Plaquette LED infrarouge 850 nm et 940 nm
Plaquette épi LED AlGaAs/GaAs infrarouge rouge 850-880 nm et 890-910 nm
Plaquettes GaN pour fabriquer des dispositifs LED
Epitaxie de Structure LED GaN sur Substrat Saphir Plat ou PSS
Croissance épitaxiale GaN sur saphir pour LED
Structure du photodétecteur PIN GaN à base de Si
Pour plus de services de fonderie, veuillez visiter :Services de fonderie GaN pour la fabrication de LED
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