substrat autoportant de GaN

Description du produit

substrat autoportant de GaN

En tant que fournisseur leader de substrat GaN, PAM-XIAMEN a mis en place la technologie de fabrication pour autoportant (nitrure de gallium)GaN substrat plaquettequi est un substrat Bulk GaN pour UHB-LED, LD et la fabrication en tant que dispositifs à base de MOS. Développé par la technologie d'épitaxie en phase vapeur d'hydrure (HVPE), notresubstrat GaNpour les dispositifs au nitrure III a une faible densité de défauts et une densité de macro-défauts moindre ou libre. L'épaisseur du substrat GaN est de 330 ~ 530 μm.

En plus des dispositifs de puissance, les substrats semi-conducteurs de nitrure de gallium sont de plus en plus utilisés dans la fabrication de LED à lumière blanche car les substrats de LED GaN offrent des caractéristiques électriques améliorées et leurs performances dépassent les dispositifs actuels. De plus, le développement rapide de la technologie des substrats en nitrure de gallium a conduit au développement de substrats autonomes GaN à haut rendement avec une faible densité de défauts et une densité de macro-défauts libres. Par conséquent, de tels substrats GaN peuvent être de plus en plus utilisés pour les LED blanches. En conséquence, le marché des substrats de GaN en vrac se développe rapidement. Soit dit en passant, la tranche de GaN en vrac peut être utilisée pour tester des concepts de dispositifs d'alimentation verticaux.

1. Specification of Freestanding GaN substrate

 montre ici spécification particulière:

1.1 4″ N type Si doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.2 4″ N Type Low Doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.3 4″ Semi-Insulating GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.4 2″ Si doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.5 2″ Low doped GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.6 2″ Semi-Insulating GaN（Gallium Nitride) Free-standing Substrate

1.7 15mm,10mm,5mm Free-standingSubstrat GaN

Remarque:

Plaquette de validation :Compte tenu de la commodité d'utilisation, PAM-XIAMEN propose une plaquette de validation de saphir de 2 "pour un substrat de GaN autonome de taille inférieure à 2"

2. Properties of Freestanding GaN Substrate

3. Application of GaN Substrate

Solid State Lighting: Appareils de GaN sont utilisés comme des diodes émettrices de lumière de très haute luminosité (LED), des téléviseurs, des automobiles, et l'éclairage général

Stockage DVD : Diodes laser bleues

Dispositif d'alimentation : les dispositifs fabriqués sur un substrat en vrac de GaN sont utilisés comme divers composants dans l'électronique de puissance haute puissance et haute fréquence comme les stations de base cellulaires, les satellites, les amplificateurs de puissance et les onduleurs/convertisseurs pour véhicules électriques (EV) et véhicules électriques hybrides (HEV). ). La faible sensibilité du GaN aux rayonnements ionisants (comme les autres nitrures du groupe III) en fait un matériau approprié pour les applications spatiales telles que les réseaux de cellules solaires pour les satellites et les dispositifs haute puissance et haute fréquence pour les satellites de communication, météorologiques et de surveillance.

Substrat de nitrure de gallium pur Ideal pour la repousse des nitrures III

Stations de base sans fil: des transistors de puissance RF

Sans fil à large bande d'accès: MMIC à haute fréquence, RF Circuits MMIC

Capteurs de pression: MEMS

Capteurs de chaleur: Détecteurs Pyro-électriques

Peurs Conditionnement: signaux mixtes GaN / Intégration Si

Electronique automobile: l'électronique haute température

Lignes de transmission de puissance: l'électronique à haute tension

Capteurs Frame: détecteurs UV

Cellules solaires : la large bande interdite de GaN couvre le spectre solaire de 0,65 eV à 3,4 eV (qui est pratiquement tout le spectre solaire), ce qui rend le nitrure d'indium et de gallium

(InGaN) alliages parfaits pour la création d'un matériau de cellule solaire. En raison de cet avantage, les cellules solaires InGaN cultivées sur des substrats de GaN sont en voie de devenir l'une des plus importantes nouvelles applications et le marché de croissance pour des plaquettes de substrat GaN.

Idéal pour HEMT, FETs

Projet de diode GaN Schottky : nous acceptons les spécifications personnalisées des diodes Schottky fabriquées sur les couches de nitrure de gallium (GaN) autoportantes cultivées en HVPE de types n et p.

Les deux contacts (ohmique et Schottky) ont été déposés sur la surface supérieure en utilisant Al/Ti et Pd/Ti/Au.

Remarque:
Le gouvernement chinois a annoncé de nouvelles limites à l'exportation de matériaux Gallium (tels que GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs et GaSb) et de matériaux Germanium utilisés pour fabriquer des puces semi-conductrices. À partir du 1er août 2023, l'exportation de ces matériaux n'est autorisée que si nous obtenons une licence du ministère chinois du Commerce. J'espère pour votre compréhension et votre coopération!