substrat autoportant de GaN

substrat autoportant de GaN

PAM-XIAMEN a mis en place la technologie de fabrication pour autoportante (nitrure de gallium) plaquette de substrat de GaN, qui est pour UHB-LED et LD. Par épitaxie en phase vapeur d'hydrure (HVPE) technologie, notre substrat de GaN a une faible densité de défauts.

  • La description

Description du produit

substrat autoportant de GaN

As a leading GaN substrate supplier, PAM-XIAMEN has established the manufacturing technology for freestanding (Gallium Nitride)GaN substrat plaquette  which is Bulk GaN substrate for UHB-LED, LD and fabrication as MOS-based devices. Grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) technology, our substrat GaN for III-nitride devices has  low defect density and less or free macro defect density. The GaN substrate thickness is 330~530μm.

In addition to power devices, gallium nitride semiconductor substrates are increasingly used in the manufacture of white light LEDs because the GaN LED substrates provide improved electrical characteristics and their performance exceeds current devices. Moreover, the rapid development of gallium nitride substrate technology has led to the development of high-efficiency GaN free standing substrates with low defect density and free macro defect density. Therefore, such GaN substrates can be increasingly used to white LEDs. As a result, the bulk GaN substrate market is growing rapidly. By the way, bulk GaN wafer can be used for testing vertical power device concepts.

Spécification du substrat autoportant GaN

 montre ici spécification particulière:

4″ N type Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Article PAM-FS-GaN100-N+
Type de Conduction N type/Si doped
Taille 4″(100)+/-1mm
Épaisseur 480+/-50
Orientation C-axe (0001) +/- 0.5o
Emplacement plat principal (10-10)+/-0.5o
Plat Longueur primaire 32+/-1mm
Location Appartement secondaire (1-210)+/-3o
Plat Longueur secondaire 18+/-1mm
Résistivité (300K) <0.05Ω·cm
Densité de Dislocation <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
ARC <=+/-30um
Finition de surface Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Retour Surface: terrain 1.Fine
2.Polished.
Surface utile ≥ 90 %

 

4″ N type Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Article PAM-FS-GaN100-N-
Type de Conduction N type/undoped
Taille 4″(100)+/-1mm
Épaisseur 480+/-50
Orientation C-axe (0001) +/- 0.5o
Emplacement plat principal (10-10)+/-0.5o
Plat Longueur primaire 32+/-1mm
Location Appartement secondaire (1-210)+/-3o
Plat Longueur secondaire 18+/-1mm
Résistivité (300K) <0.5Ω · cm
Densité de Dislocation <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
ARC <=+/-30um
Finition de surface Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Retour Surface: terrain 1.Fine
2.Polished.
Surface utile ≥ 90 %

 

4″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Article PAM-FS-GaN100-SI
Type de Conduction Semi-Insulating
Taille 4″(100)+/-1mm
Épaisseur 480+/-50
Orientation C-axe (0001) +/- 0.5o
Emplacement plat principal (10-10)+/-0.5o
Plat Longueur primaire 32+/-1mm
Location Appartement secondaire (1-210)+/-3o
Plat Longueur secondaire 18+/-1mm
Résistivité (300K) >10^6Ω·cm
Densité de Dislocation <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <=30um
ARC <=+/-30um
Finition de surface Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
Retour Surface: terrain 1.Fine
2.Polished.
Surface utile ≥ 90 %

 

2″ Si doped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Article PAM-FS-GaN50-N+
Type de Conduction N type/Si doped
Taille 2 "(50,8) +/- 1mm
Épaisseur 400+/-50
Orientation C-axe (0001) +/- 0.5o
Emplacement plat principal (10-10)+/-0.5o
Plat Longueur primaire 16 +/- 1mm
Location Appartement secondaire (1-210)+/-3o
Plat Longueur secondaire 8 +/- 1mm
Résistivité (300K) <0.05Ω·cm
Densité de Dislocation <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15UM
ARC <=+/-20um
Finition de surface Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                    2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 


 

2″ Undoped GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Article PAM-FS-GaN50-N-
Type de Conduction N type/undoped
Taille 2 "(50,8) +/- 1mm
Épaisseur 400+/-50
Orientation C-axe (0001) +/- 0.5o
Emplacement plat principal (10-10)+/-0.5o
Plat Longueur primaire 16 +/- 1mm
Location Appartement secondaire (1-210)+/-3o
Plat Longueur secondaire 8 +/- 1mm
Résistivité (300K) <0.5Ω · cm
Densité de Dislocation <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15UM
ARC <=+/-20um
Finition de surface Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                      2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 


 

2″ Semi-Insulating GaN(Gallium Nitride) Free-standing Substrate

Article PAM-FS-GaN50-SI
Type de Conduction Semi-Insulating
Taille 2 "(50,8) +/- 1mm
Épaisseur 400+/-50
Orientation C-axe (0001) +/- 0.5o
Emplacement plat principal (10-10)+/-0.5o
Plat Longueur primaire 16 +/- 1mm
Location Appartement secondaire (1-210)+/-3o
Plat Longueur secondaire 8 +/- 1mm
Résistivité (300K) >10^6Ω·cm
Densité de Dislocation <5x106cm-2
FWHM <=100arc.sec
TTV <= 15UM
ARC <=+/-20um
Finition de surface Front Surface:Ra<=0.3nm.Epi-ready polished
                             Back Surface:1.Fine ground 
                                                      2.Polished.
Usable Area  ≥ 90 % 

15 mm, 10 mm, 5 mmFree-standingSubstrat GaN

Article PAM-FS-GaN15-N PAM-FS-GaN15-SI
PAM-FS-GaN10-N PAM-FS-GaN10-SI
PAM-FS-N-GaN5 PAM-FS-GaN5-SI
Type de Conduction De type N Semi-isolante
Taille 14.0mm*15mm   10.0mm*10.5mm   5.0*5.5mm
Épaisseur 330-450um
Orientation C-axe (0001) +/- 0.5o
Emplacement plat principal  
Plat Longueur primaire  
Location Appartement secondaire  
Plat Longueur secondaire  
Résistivité (300K) <0.5Ω · cm > 106Ω · cm
Densité de Dislocation <5x106cm-2
Marco Densité Defect 0cm-2
TTV <= 15UM
ARC <= 20um
Finition de surface Surface avant: Ra <0.2nm.Epi prêt poli
  Retour Surface: 1.Fine sol
    2.Rough moulue
Surface utile ≥ 90%


            

Remarque:

Validation Wafer: Considering convenience of usage, PAM-XIAMEN offers 2″ Sapphire Validation wafer for below 2″ size Freestanding GaN Substrate

Application de substrat GaN

Solid State Lighting: Appareils de GaN sont utilisés comme des diodes émettrices de lumière de très haute luminosité (LED), des téléviseurs, des automobiles, et l'éclairage général

DVD Storage: Blue laser diodes

Power Device: Devices fabricated on GaN bulk substrate are used as various components in high-power and high-frequency power electronics like cellular base stations, satellites, power amplifiers, and inverters/converters for electric vehicles (EV) and hybrid electric vehicles (HEV). GaN’s low sensitivity to ionizing radiation (like other group III nitrides) makes it a suitable material for spaceborne applications such as solar cell arrays for satellites and high-power, high-frequency devices for communication, weather, and surveillance satellites


Pure Gallium Nitride Substrate Ideal for III-Nitrides re-growth

Stations de base sans fil: des transistors de puissance RF

Sans fil à large bande d'accès: MMIC à haute fréquence, RF Circuits MMIC

Capteurs de pression: MEMS

Capteurs de chaleur: Détecteurs Pyro-électriques

Peurs Conditionnement: signaux mixtes GaN / Intégration Si

Electronique automobile: l'électronique haute température

Lignes de transmission de puissance: l'électronique à haute tension

Capteurs Frame: détecteurs UV

Solar Cells: GaN’s wide band gap covers the solar spectrum from 0.65 eV to 3.4 eV (which is practically the entire solar spectrum), making indium gallium nitride

(InGaN) alliages parfaits pour la création d'un matériau de cellule solaire. En raison de cet avantage, les cellules solaires InGaN cultivées sur des substrats de GaN sont en voie de devenir l'une des plus importantes nouvelles applications et le marché de croissance pour des plaquettes de substrat GaN.

Idéal pour HEMT, FETs

GaN Schottky projet diode: Nous acceptons les spécifications personnalisées des diodes Schottky fabriquées sur les couches de types p-n et HVPE cultivés, nitrure de gallium libre debout (GaN).
Les deux contacts ohmiques (et Schottky) ont été déposés sur la surface supérieure en utilisant Al / Ti et Pd / Ti / Au.
Nous offrirons des rapports d'essai, s'il vous plaît voir ci-dessous un exemple:

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