Freestanding GaN substrate
PAM-XIAMEN a établi la technologie de fabrication pour la plaquette de substrat GAn autoportante (nitrure de gallium), qui est pour UHB-LED et LD. Cultivés par la technologie Epitaxy en phase de vapeur hydrure (HVPE), notre substrat GaN a une faible densité de défauts.
- Description
Description
Substrat GaN autoportant
En tant que fournisseur de substrat GAN leader, Pam-Xiamen a établi la technologie de fabrication pour le personnel (nitrure de gallium)Plaquette de substrat GaNqui est un substrat GaN en vrac pour UHB-LED, LD et la fabrication de dispositifs basés sur MOS. Cultivé grâce à la technologie d'épitaxie en phase vapeur d'hydrure (HVPE), notre substrat GaN pour dispositifs au nitrure III présente une faible densité de défauts et une densité de macro-défauts moindre ou libre. L'épaisseur du substrat GaN est de 330 à 530 μm.
En plus des dispositifs d'alimentation, les substrats de semi-conducteurs de nitrure de gallium sont de plus en plus utilisés dans la fabrication de LED de lumière blanche car les substrats LED GaN offrent des caractéristiques électriques améliorées et leurs performances dépassent les dispositifs actuels. De plus, le développement rapide de la technologie du substrat de nitrure de gallium a conduit au développement de substrats autonomes GAN à haute efficacité avec une densité à faible défaut et une densité macro-défaut libre. Par conséquent, ces substrats GaN peuvent être de plus en plus utilisés aux LED blanches. En conséquence, le marché du substrat en vrac GaN augmente rapidement. Soit dit en passant, la plaquette GaN en vrac peut être utilisée pour tester les concepts de dispositifs de puissance verticale.
1. Spécification du substrat GAn autonome
Ici montre les spécifications détaillées:
1,1 4 ″ N Type SI dopé Gan （nitrure de gallium) substrat libre
| Article | PAM-FS-GaN100-N+ |
| Type de conduction | Type N/dopé Si |
| Taille | 4″(100)+/-1mm |
| Épaisseur | 480+/-50 |
| Orientation | Axe C (0001) +/-0,5o |
| Emplacement principal de l'appartement | (10-10)+/-0.5o |
| Longueur plate principale | 32+/-1mm |
| Emplacement secondaire de l'appartement | (1-210)+/-3o |
| Longueur plate secondaire | 18+/-1mm |
| Résistivité (300K) | <0.05Ω·cm |
| Densité de luxation | <5x106cm-2 |
| FWHM | <=100arc.sec |
| TTV | <=30um |
| ARC | <=+/-30um |
| Finition de surface | Surface avant: RA <= 0,3 nm |
| — | Surface arrière : 1. Sol fin. |
| — | 2.Poli. |
| Surface utilisable | ≥ 90 % |
1,2 4 ″ N de type gan dopé （nitrure de gallium) substrat libre
| Article | PAM-FS-GaN100-N- |
| Type de conduction | Type N |
| Taille | 4″(100)+/-1mm |
| Épaisseur | 480+/-50 |
| Orientation | Axe C (0001) +/-0,5o |
| Emplacement principal de l'appartement | (10-10)+/-0.5o |
| Longueur plate principale | 32+/-1mm |
| Emplacement secondaire de l'appartement | (1-210)+/-3o |
| Longueur plate secondaire | 18+/-1mm |
| Résistivité (300K) | <0,5Ω·cm |
| Densité de luxation | <5x106cm-2 |
| FWHM | <=100arc.sec |
| TTV | <=30um |
| ARC | <=+/-30um |
| Finition de surface | Surface avant: RA <= 0,3 nm |
| — | Surface arrière : 1. Sol fin. |
| — | 2.Poli. |
| Surface utilisable | ≥ 90 % |
1,3 4 ″ GAN semi-isolant （nitrure de gallium) substrat libre
| Article | PAM-FS-GaN100-SI |
| Type de conduction | Semi-isolant |
| Taille | 4″(100)+/-1mm |
| Épaisseur | 480+/-50 |
| Orientation | Axe C (0001) +/-0,5o |
| Emplacement principal de l'appartement | (10-10)+/-0.5o |
| Longueur plate principale | 32+/-1mm |
| Emplacement secondaire de l'appartement | (1-210)+/-3o |
| Longueur plate secondaire | 18+/-1mm |
| Résistivité (300K) | >10^6Ω·cm |
| Densité de luxation | <5x106cm-2 |
| FWHM | <=100arc.sec |
| TTV | <=30um |
| ARC | <=+/-30um |
| Finition de surface | Surface avant: RA <= 0,3 nm |
| — | Surface arrière : 1. Sol fin. |
| — | 2.Poli. |
| Surface utilisable | ≥ 90 % |
1,4 2 ″ SI Gan dopé （nitrure de gallium) substrat libre
| Article | PAM-FS-GaN50-N+ | |||
| Type de conduction | Type N/dopé Si | |||
| Taille | 2″(50,8)+/-1mm | |||
| Épaisseur | 400+/-50 | |||
| Orientation | Axe C (0001) +/-0,5o | |||
| Emplacement principal de l'appartement | (10-10)+/-0.5o | |||
| Longueur plate principale | 16+/-1mm | |||
| Emplacement secondaire de l'appartement | (1-210)+/-3o | |||
| Longueur plate secondaire | 8+/-1mm | |||
| Résistivité (300K) | <0.05Ω·cm | |||
| Densité de luxation | <5x106cm-2 | |||
| FWHM | <=100arc.sec | |||
| TTV | <=15um | |||
| ARC | <=+/-20um | |||
| Finition de surface | Surface avant: RA <= 0,3 nm | |||
| Surface arrière: 1. sol de fin | ||||
| 2. Polie. | ||||
| Surface utilisable | ≥ 90 % | |||
1,5 2 ″ Gan dopé à faible （nitrure de gallium) substrat libre
| Article | PAM-FS-GaN50-N- | ||||
| Type de conduction | Type N | ||||
| Taille | 2″(50,8)+/-1mm | ||||
| Épaisseur | 400+/-50 | ||||
| Orientation | Axe C (0001) +/-0,5o | ||||
| Emplacement principal de l'appartement | (10-10)+/-0.5o | ||||
| Longueur plate principale | 16+/-1mm | ||||
| Emplacement secondaire de l'appartement | (1-210)+/-3o | ||||
| Longueur plate secondaire | 8+/-1mm | ||||
| Résistivité (300K) | <0,5Ω·cm | ||||
| Densité de luxation | <5x106cm-2 | ||||
| FWHM | <=100arc.sec | ||||
| TTV | <=15um | ||||
| ARC | <=+/-20um | ||||
| Finition de surface | Surface avant: RA <= 0,3 nm | ||||
| Surface arrière: 1. sol de fin | |||||
| 2. Polie. | |||||
| Surface utilisable | ≥ 90 % | ||||
1,6 2 ″ GAN semi-isolant （nitrure de gallium) substrat libre
| Article | PAM-FS-GaN50-SI | ||||
| Type de conduction | Semi-isolant | ||||
| Taille | 2″(50,8)+/-1mm | ||||
| Épaisseur | 400+/-50 | ||||
| Orientation | Axe C (0001) +/-0,5o | ||||
| Emplacement principal de l'appartement | (10-10)+/-0.5o | ||||
| Longueur plate principale | 16+/-1mm | ||||
| Emplacement secondaire de l'appartement | (1-210)+/-3o | ||||
| Longueur plate secondaire | 8+/-1mm | ||||
| Résistivité (300K) | >10^6Ω·cm | ||||
| Densité de luxation | <5x106cm-2 | ||||
| FWHM | <=100arc.sec | ||||
| TTV | <=15um | ||||
| ARC | <=+/-20um | ||||
| Finition de surface | Surface avant: RA <= 0,3 nm | ||||
| Surface arrière: 1. sol de fin | |||||
| 2. Polie. | |||||
| Surface utilisable | ≥ 90 % | ||||
1.7 15mm,10mm,5mmAutonomeSubstrat GaN
| Article | PAM-FS-GaN15-N | PAM-FS-GaN15-SI | |
| PAM-FS-GaN10-N | PAM-FS-GaN10-SI | ||
| PAM-FS-GaN5-N | PAM-FS-GaN5-SI | ||
| Type de conduction | Type N | Semi-isolant | |
| Taille | 14,0 mm * 15 mm 10,0 mm * 10,5 mm 5,0 * 5,5 mm | ||
| Épaisseur | 330-450um | ||
| Orientation | Axe C (0001) +/-0,5o | ||
| Emplacement principal de l'appartement | |||
| Longueur plate principale | |||
| Emplacement secondaire de l'appartement | |||
| Longueur plate secondaire | |||
| Résistivité (300K) | <0,5Ω·cm | >106Ω·cm | |
| Densité de luxation | <5x106cm-2 | ||
| Densité des défauts Marco | 0cm-2 | ||
| TTV | <=15um | ||
| ARC | <=20um | ||
| Finition de surface | Surface avant: RA <0,2 nm. | ||
| Surface arrière: 1. sol de fin | |||
| 2.Rough Grided | |||
| Surface utilisable | ≥ 90 % | ||
Noter:
Plaquette de validation :Considérant la commodité de l'utilisation, Pam-Xiamen propose une plaquette de validation en saphir de 2 ″ pour un substrat de Gan autoportant de taille inférieure à 2 ″
2. Propriétés du substrat de Gan autoportant
| Paramètres de réseau | a = 0,3189 nm ; c = 0,5185 nm |
| Bande interdite | 3,39eV |
| Densité | 6,15 g/cm3 |
| Thermie. Coefficient de dilatation | une : 5,59 × 10-6/K; c : 3,17 × 10-6/K |
| Indice de réfraction | 2.33-2.7 |
| Constante diélectrique | 9.5 |
| Conductivité thermique | 1,3 W/(cm*k) |
| Champ électrique de panne | 3,3 MV/cm |
| Vitesse de dérive de saturation | 2,5E7cm/s |
| Mobilité électronique | 1300cm2/(Contre) |
3. Application du substrat GAn
Éclairage à l'état solide: les dispositifs GAn sont utilisés comme diodes émettrices de lumière ultra élevée (LED), téléviseurs, automobiles et éclairage général
Stockage DVD : Diodes laser bleues
Dispositif d'alimentation: les appareils fabriqués sur un substrat en vrac GaN sont utilisés comme différents composants dans l'électronique de puissance haute puissance et haute fréquence comme les stations de base cellulaire, les satellites, les amplificateurs de puissance et les onduleurs / convertisseurs pour les véhicules électriques (EV) et les véhicules électriques hybrides (HEV). La faible sensibilité de Gan aux rayonnements ionisants (comme les autres nitrides du groupe III) en fait un matériau approprié pour les applications d'origine spatiale telles que les réseaux de cellules solaires pour les satellites et les appareils à haute fréquence de haute puissance pour la communication, la météo et les satellites de surveillance
Substrat de nitrure de gallium pur iDeal pour III-Nitrides Reprouillement
Stations de base sans fil: transistors RF Power
Accès à haut débit sans fil: MMIC à haute fréquence, Circuits RF
Capteurs de pression : MEMS
Capteurs de chaleur: détecteurs pyro-électriques
PConditionnement OWER: Intégration Gan / SI du signal mixte
Électronique automobile: électronique à haute température
Lignes de transmission d'alimentation: électronique haute tension
Capteurs de cadre : détecteurs UV
Cellules solaires: la bande interdite large de Gan couvre le spectre solaire de 0,65 eV à 3,4 eV (qui est pratiquement tout le spectre solaire), ce qui fait du nitrure d'indium gallium
(Ingan) Alloys parfaits pour créer des matériaux de cellules solaires. En raison de cet avantage, les cellules solaires d'Ingan cultivées sur des substrats GaN sont sur le point de devenir l'une des nouvelles applications les plus importantes et le marché de la croissance pour les plaquettes de substrat GaN.
Idéal pour les HEMT, les FET
Projet de diodes Gan Schottky: Nous acceptons les spécifications personnalisées des diodes Schottky fabriquées sur les couches de nitrure de gallium (GAN) cultivées en HVPE (GAN) de types N et P.
Les deux contacts (Ohmic et Schottky) ont été déposés sur la surface supérieure en utilisant Al / Ti et Pd / Ti / Au.
Remarque:
Le gouvernement chinois a annoncé de nouvelles limites à l'exportation de matériaux de gallium (tels que GaAs, Gan, Ga2O3, Gap, Ingaas et GasB) et des matériaux de germanium utilisés pour fabriquer des copeaux de semi-conducteurs. À partir du 1er août 2023, l'exportation de ces documents n'est autorisée que si nous obtenons une licence du ministère chinois du commerce. Espérez pour votre compréhension et votre coopération!
