Le lingot de Germanium (Ge) monocristallin est fourni avec le type P par PAM-XIAMEN. Cristal de germanium does not contain large-angle grain boundaries or twin crystals. It has a diamond-shaped crystal structure and is an important semiconductor material. According different applications, single crystal germanium ingot can be divided into solar-grade germanium single crystal, infrared-grade germanium single crystal and detector-grade germanium single crystal. Among them, infrared-grade Ge single crystal is used to prepare basic materials for infrared windows, infrared lenses and other optical components; Ge ingot for semiconductor devices is used to make substrate material for various transistors and solar cells; Detector-grade single crystal Ge is used to prepare high-resolution gamma radiation detector. Take the following specification for example:
1. Spécification du lingot de germanium monocristallin
No.1 Germanium Cubic Crystal
PAM181102-GE
| Article | Cristal cubique de germanium |
| Type de conduite | SCP |
| dopant | Ge-Ga |
| Longueur | 150 mm |
| Diamètre | 100,0 ± 0,4 mm |
| Orientation | (100)6° off Vers<111>+5° |
| Angle d'orientation | 135° |
| plat principal | (100)+2° |
| Longueur à plat | 32,5+2,5 mm |
| plat secondaire | Aucun |
| CC | 1E18 – 2.5 E18 |
| EPD | Moy< 500 /cm3 |
| Résistivité | 0,01-0,04 Ohm*cm |
No.2 Germanium Ingot Optical Grade
PAM200408-GE
Germanium ingot D26-0.3mm*L100mm
Germanium ingot D30-0.3mm*L100mm
Type: N-type
Orientation: <111>
Resistivity: 5-40 Ohm*cm
Absorption coefficient: 0.03cm/max @ λ= 10.6um
Refractive index heterogeneity: 5.0*10-9 max @ λ=10.6 um
2. Normes de l'industrie pour la croissance des cristaux de germanium
La surface du monocristal de germanium après sphéronisation doit être exempte de fissures, de trous, de rayures et la surface cylindrique ne doit avoir aucun endroit déroulé.
Le type de conductivité du germanium de type lingot doit répondre aux exigences du tableau 1 :
Tableau 1 Type de conductivité du lingot de germanium monocristallin
| Type de conductivité | dopant | Résistivité p(23 ±0.5℃) ohm-cm |
| De type P, | Géorgie | 0,001 ~ 45,0 |
| Dans | 0,001 ~ 45,0 | |
| Au+Ga(ln) | 0.5～5.0 | |
| De type N | Sb | 0,001 ~ 45,0 |
| non dopé | 35,0 ~ 50,0 |
La variation de résistivité radiale de la boule monocristalline en germanium doit répondre aux exigences du tableau 2 :
Tableau 2 Variation de la résistivité radiale du cristal de germanium
| Diamètre (mm) | Variation de résistivité radiale (valeur absolue) |
| 10≤d≤50 | ≤10% |
| 50≤d≤100 | ≤15% |
| 100≤d≤150 | 20% |
| 150≤d≤200 | 25% |
| 200≤d≤300 | 30% |
| Remarque : le diamètre fait référence à la taille du monocristal de germanium non arrondi. | |
La densité de dislocation du lingot de Ge à différentes fins doit répondre aux exigences du tableau 3:
Tableau 3 Densité de luxation du germanium
| Application | Densité de luxation Pcs/cm2 |
| Dispositif semi-conducteur | 1 000 |
| Composant laser | ≤5 000 |
| Composant optique infrarouge | ≤100000 |
Mark : Les exigences relatives aux paramètres du cristal de germanium pur produit seront plus élevées que les normes industrielles.
3. FAQ for Germanium Ingot
Q: What is the difference of germanium ingot between electronic grade and optical grade?
A: Optical grade germanium single crystal generally is lower requirement to electronic grade, they require transmission rate and different polished condition and orientation, but we often use low electronic grade for optical grade.
Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail à victorchan@powerwaywafer.com et powerwaymaterial@gmail.com.