Plaquette de phosphure d'indium de qualité factice

Plaquette de phosphure d'indium de qualité factice

Une plaquette de phosphure d'indium monocristallin de qualité factice est disponible avec un dopage S développé par VGF. La concentration électronique de la plaquette de phosphure d'indium de type N atteint 1018cm-3, et la résistivité au phosphure d'indium est très faible, généralement 10-2~10-3Ω·cm. It is mostly used in high-speed optoelectronic devices, such as LD, LED, PIN- PD, PIN-APD and etc. EPD map of InP can be offered if necessary, please contact us at victorchan@powerwaywafer.com. The specifications of the test grade InP wafers sont répertoriés comme suit :

Plaquette de phosphure d'indium

1. Spécifications de la plaquette de phosphure d'indium au grade factice

Objet 1:

Article Paramètre UOM
Matériel Plaquette de Phosphure d'Indium
Qualité Grade factice
Diamètre 50,0 ± 0,5 mm
Épaisseur Min : 300 Max : 400 um
Orientation (100) ± 0,5°
Type de conductivité / Dopant SCN / S
Plat Longueur primaire 16 ± 2 mm
Orientation Plat principal JE (0-1-1)
Plat Longueur secondaire 7 ± 1 mm
Orientation Plat secondaire JE (0-11)
Concentration porteuse Min max: / cm-3
Résistivité Min max: / ohm-cm
Mobilité Min max: / cm2/V*Sec
EPD Moy : / Max : <1000 cm-2 cm-2
TTV 10 um
TIR 10 um
ARC 10 um
Chaîne 15 um
Surface P/P, P/E
Arrondi des bords 0,25 (conforme aux normes SEMI) mmR
Prêt pour l'épi Oui
laser Mark /
Zone jumelle lamellaire surface monocristalline utile avec une orientation (100) > 80 %
Paquet récipient individuel rempli de N2  

 

Point 2:

Article Paramètre UOM
Matériel Substrat de phosphure d'indium
Qualité Grade factice
Diamètre 76,2 ± 0,5 mm
Épaisseur Min : 600 Max : 650 um
Orientation (100) ± 0,5°
Type de conductivité / Dopant SCN / S
Plat Longueur primaire 22 ± 1 mm
Orientation Plat principal JE
Plat Longueur secondaire 12 ± 1 mm
Orientation Plat secondaire JE
Concentration porteuse Min max: / cm-3
Résistivité Min max: / ohm-cm
Mobilité Min max: / cm2/V*Sec
EPD Moy : / Max : <1000 cm-2 cm-2
TTV 10 um
TIR 10 um
ARC 10 um
Chaîne 15 um
Surface P/P, P/E
Arrondi des bords 0,25 (conforme aux normes SEMI) mmR
Prêt pour l'épi Oui
laser Mark /
Zone jumelle lamellaire surface monocristalline utile avec une orientation (100) > 80 %
Paquet récipient individuel rempli de N2

 

Point 3:

Article Paramètre UOM
Matériel Plaquette de Phosphure d'Indium
Qualité Grade factice
Diamètre 100,0 ± 0,5 mm
Épaisseur Min : 600 Max : 650 um
Orientation (100) ± 0,5°
Type de conductivité / Dopant SCN / S
Plat Longueur primaire 32,5 ± 1 mm
Orientation Plat principal JE
Plat Longueur secondaire 18 ± 1 mm
Orientation Plat secondaire JE
Concentration porteuse Min max: / cm-3
Résistivité Min max: / ohm-cm
Mobilité Min max: / cm2/V*Sec
EPD Moy : / Max : <1000 cm-2 cm-2
TTV 10 um
TIR 10 um
ARC 10 um
Chaîne 15 um
Surface P/P, P/E
Arrondi des bords 0,25 (conforme aux normes SEMI) mmR
Prêt pour l'épi Oui
laser Mark /
Zone jumelle lamellaire surface monocristalline utile avec une orientation (100) > 80 %
Paquet récipient individuel rempli de N2

 

 

2. Applications de phosphure d'indium de qualité factice

Une plaquette d'InP de qualité factice est utilisée pour le test du processus de croissance épi et la caractérisation de la composition sur la couche épitaxiale. Il n'est pas adapté pour graver des structures de dispositifs, par exemple un guide d'ondes et une grille optique en raison des cristaux jumeaux et des trous possibles de l'orientation de la plaquette sur le côté jumeau.

Un microjumeau ou un lignage de la surface de la plaquette < 20 % est acceptable.

3. Propriétés du phosphure d'indium

Indium phosphide is a group III-V compound semiconductor material compounded by the combination of group III element indium (In) and group V element phosphorus (P). It has a zinc blende structure with a indium phosphide lattice constant of 0.586 9 nm. InP single crystal is soft and brittle, silver-gray with metallic luster. The indium phosphide band gap at room temperature is 1.344 eV, which is a direct transition band structure. The emission wavelength is 0.92 um, the intrinsic carrier concentration of InP at room temperature is 2×107cm-3, et la mobilité des électrons et des trous est de 4 500 cm2/Vs et 150 cm2/V·s respectivement.

Structure cristalline de phosphure d'indium

Structure cristalline de phosphure d'indium

4. Processus de fabrication de plaquettes InP

Le phosphure d'indium a presque la même structure cristalline cubique à faces centrées que l'arséniure de gallium GaAs et la plupart des semi-conducteurs III-V. Les plaquettes de phosphure d'indium doivent être préparées avant la fabrication du dispositif et doivent être superposées pour éliminer les dommages de surface lors du tranchage. La plaquette factice d'InP subit ensuite un polissage mécano-chimique (CMP) pour l'étape finale d'enlèvement de matière, permettant d'obtenir une surface miroir avec une rugosité ultra-plate à l'échelle atomique.

However, the growth process of indium phosphide from raw materials to ingots to wafers is very difficult. During the growth process, a high temperature of 1070℃ and extreme pressure are required. In addition, the atomic structure may change. What comes out may not meet expectations. From raw materials to ingots to a 2-inch or 4-inch indium phosphide single crystal wafer, the yield is generally about 28%, and the technical threshold is very high. Therefore, PAM-XIAMEN is one of the indium phosphide wafer suppliers that can successfully control the growth technology of indium phosphide. Relying on VGF, VB method crystal growth technology, high surface quality wire cutting technology, ultra-flat mechanical chemical polishing technology, ultra-clean surface cleaning technology and other related core technologies, the commercialization of indium phosphide wafers tends to be stable, and the products provided by PAM-XIAMEN are mainly used in optical fiber communications, optical detectors, infrared optics, high-frequency millimeter wave communications and other fields. In addition to the current application areas, the monocrystalline indium phosphide wafer substrate will expand in the terahertz field used in 6G communications.

5. Développement futur du matériel InP

In fact, InP substrate material is the most critical core material in the optical communication industry chain, ultra-high frequency millimeter wave radar, infrared detection and other fields. It is  inseparable from indium phosphide since the demand for higher bandwidth continues to grow, especially in the Human-driven cars, 5G communications, even the implementation and application of 6G, 7G, and 8G in the future. The indium phosphide wafer market at dummy or prime grade will usher in rapid growth, thereby, the indium phosphide wafer cost will go down.

powerwaywafer

Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail à victorchan@powerwaywafer.com et powerwaymaterial@gmail.com.

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