Points forts

•Le schéma de fabrication de circuits Si-à-InP hétérogènes au niveau de la tranche est décrit.
•Précision d'alignement de tranche à tranche supérieure à 4 à 8 μm après l'obtention du collage.
•Interconnexions avec d'excellentes performances démontrées jusqu'à 220 GHz.
•Barrière palladium nécessaire lors de la combinaison de la technologie à base d'aluminium avec celle à base d'or.

---

Abstrait

Afin de bénéficier des propriétés matérielles des deuxInP-HBTet les technologies SiGe-BiCMOS, nous avons utilisé un schéma d'intégration de liaison de tranches tridimensionnelles (3D) à base de benzocyclobutène (BCB). Un procédé de fabrication de plaquettes monolithiques basé sur la technologie du substrat de transfert a été développé, permettant la réalisation de circuits haute fréquence hétéro-intégrés complexes. Des interconnexions verticales miniaturisées (vias) avec une faible perte d'insertion et d'excellentes propriétés à large bande permettent une transition transparente entre les sous-circuits InP et BiCMOS.

---

 

---

Abstrait

Afin de bénéficier des propriétés matérielles des deuxInP-HBTet les technologies SiGe-BiCMOS, nous avons utilisé un schéma d'intégration de liaison de tranches tridimensionnelles (3D) à base de benzocyclobutène (BCB). Un procédé de fabrication de plaquettes monolithiques basé sur la technologie du substrat de transfert a été développé, permettant la réalisation de circuits haute fréquence hétéro-intégrés complexes. Des interconnexions verticales miniaturisées (vias) avec une faible perte d'insertion et d'excellentes propriétés à large bande permettent une transition transparente entre les sous-circuits InP et BiCMOS.

---

Résumé graphique

 

 

Mots clés

• Transistors bipolaires à hétérojonction;
• Phosphure d'indium;
• Circuits intégrés monolithiques;
• Circuits intégrés tridimensionnels;
• Collage de plaquettes;
• Intégration à l'échelle de la tranche