PAM-XIAMENpeut fournir une structure laser InP avec un puits quantique InAlGaAs pour les lasers 1300nm. Les systèmes de matériaux à puits quantiques InGaAsP / InP et AlGaInAs / InP sont devenus les milieux de gain les plus largement utilisés. Comparé au matériau InGaAsP / InP, AlGalnAs / InP a un décalage de bande de conduction plus important que le matériau InGaAsP / InP, de sorte qu'il peut empêcher plus efficacement la fuite de streamers sous haute température et haute injection, et améliorer les caractéristiques à haute température du dispositif laser. Le système de matériaux AlGaInAs / InP est à 1,3 um et 1,55 um. Les structures laser ont été largement utilisées. Prenons par exemple la structure épitaxiale à base de puits quantique AlGaInAs/InP :
1. Épi-structure de la diode laser InAlGaAs / InP
No.1 3inch InP Epitaxy Structure PAMP22246 – 1300LD
| Couche n° | Couche Épi | Matériel | Dopage(cm-3) | Épaisseur (um) | Al | Géorgie | Dans | P | Comme |
| 15 | Casquette | InP | non dopé | – | |||||
| 14 | Casquette | InGaAs (réseau apparié) | – | – | 0.15 | 0.85 | – | – | |
| 13 | Super réseau | InP de type n | – | – | |||||
| 12 | Super réseau | InGaAsP de type n | – | – | – | – | – | ||
| 11 | Contact N | InP de type n | – | 0.13 | |||||
| 10 | Barrière | InAlGaAs | – | – | – | – | – | – | |
| 9 | Puits quantique | InAlGaAs | – | – | – | – | – | – | |
| 8 | Barrière | InAlGaAs | – | – | – | – | – | – | |
| 7 | Blocage d'électrons | InAlGaAs | – | – | – | – | – | – | |
| 6 | SCH | InAlGaAs de type p | 1.00E+17 | – | – | – | – | – | |
| 5 | Bardage | InP de type p | – | 1.5 | |||||
| 4 | Couche de contact P (correspondant au réseau) | InGaAs de type P | – | – | – | – | – | ||
| 3 | Arrêt de gravure | InP | – | – | |||||
| 2 | Arrêt de gravure | InGaAs | non dopé | – | – | – | – | ||
| 1 | Amortir | InP | – | – | |||||
| Substrat | InP |
No. 2 3inch III-V Epitaxy PAMP21120 – 1300LD
| Couche n° | Layer Type | Matériel | PL wavelength (nm) | Thickness(nm) | Dopant | Taper |
| 11 | sacrificial | InP | – | – | – | |
| 10 | sacrificial | GaInAs | – | – | – | |
| 9 | bonding layer | InP | – | – | – | |
| 8 | InP | – | Si | N | ||
| 7 | AlGaInAs MQW | 1280~1310 | – | – | – | |
| 6 | InP | – | Zn | P | ||
| 5 | GaInAsP | – | – | – | ||
| 4 | GaInAs | 170 | – | – | ||
| 3 | InP | – | – | – | ||
| 2 | etch stop | GaInAs | – | – | – | |
| 1 | buffer | InP | – | – | – | |
| 0 | substrate | InP |
2. Pourquoi cultiver le matériau InAlGaAs en tant que puits quantique pour la fabrication au laser InP ?
AlGalnAs est un matériau alternatif qui se développe rapidement ces dernières années. InAlGaAs est un matériau idéal pour les lasers à semi-conducteur non refroidis à haute température en raison des caractéristiques suivantes :
1) AlGaInAs n'a qu'un seul élément du groupe V, ce qui facilite le contrôle de la qualité de croissance du matériau, ce qui est propice à l'obtention de bonnes performances de zone luminescente.
2) Par rapport au matériau InGaAsP, l'indice de réfraction du matériau AlGalnAs avec la même bande interdite est supérieur à celui du matériau InGaAsP, ce qui fait que les dispositifs laser au phosphure d'indium ont non seulement un grand confinement électronique mais également un plus grand confinement optique ;
3) En raison de l'effet de contrainte de traction des puits quantiques AlGaInAs par rapport aux substrats InP, la contrainte de traction peut fournir une meilleure séparation des bandes et des niveaux de gain ;
4) La polarisation de la bande de conduction de InAlGaAs / InP est grande et a une forte capacité à empêcher les électrons de déborder du puits quantique à des températures élevées. Les caractéristiques à haute température des lasers AlGaInAs / InP MQW sont bien meilleures que celles des lasers InGaAsP / InP MQW. Dans le même temps, l'effet de contrainte améliore la structure de la bande de valence des puits quantiques, réduit la recombinaison Auger et l'absorption de la bande de valence, augmente la concentration des porteurs transparents et l'efficacité quantique, et améliore encore les caractéristiques de température du dispositif laser épi.
Remarque:
Le gouvernement chinois a annoncé de nouvelles limites à l'exportation de matériaux au gallium (tels que GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs et GaSb) et aux matériaux au germanium utilisés pour fabriquer des puces semi-conductrices. À compter du 1er août 2023, l’exportation de ces matériaux n’est autorisée que si nous obtenons une licence du ministère chinois du Commerce. J'espère votre compréhension et votre coopération !
Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail àvictorchan@powerwaywafer.cometpowerwaymaterial@gmail.com.