Le niobate de lithium (LiNbO3) est un composé de niobium, de lithium et d'oxygène. Ses monocristaux sont un matériau important pour les guides d'ondes optiques, les téléphones portables, les capteurs piézoélectriques, les modulateurs optiques et diverses autres applications optiques linéaires et non linéaires. Une plaquette de niobate de lithium monocristallin coupée en Z. Une fois qu'un cristal a grandi, il est découpé en tranches de différentes orientations. Les orientations courantes sont la coupe en Z, la coupe en X, la coupe en Y et les coupes avec des angles de rotation de l'axe précédent.

Powerway Wafer Co., Limitée complète l'implantation ionique et la plate-forme de processus de fractionnement + broyage et offre l'implantation, le collage et le pelage de plaquettes de 3 à 6 pouces

Produits réguliers	Structure	Remarque
LNOI (Épaisseur de la couche supérieure 50-1000nm)	Film mince monocristallin LN SiO2(2 μm) Substrat LN (500 μm)	Grande différence d'indice de réfraction Application: Modulateurs électro-optiques, guides d'ondes optiques, résonateurs, dispositifs SAW, dispositifs de mémoire FRAM
LN sur Si avec SiO2 (Épaisseur de la couche supérieure 50-1000nm)	Film mince monocristallin LN SiO2 Substrat Si (400 ou 500 μm)	Grande différence d'indice de réfraction Intégration avec du silicium Application: Modulateurs électro-optiques, guides d'ondes optiques, résonateurs, dispositifs SAW, dispositifs de mémoire FRAM
LT sur Si (Épaisseur de la couche supérieure 5-50μm)	Film mince LT monocristallin Substrat Si	Collage direct Intégration avec le silicium Application: dispositifs SAW
LN sur Si (Épaisseur de la couche supérieure 5-50μm)	Film mince monocristallin LN Substrat Si	Collage direct Intégration avec le silicium Application: dispositifs SAW
LT sur SiO2/Si (Épaisseur de la couche supérieure 50-1000nm)	Film mince LT monocristallin SiO2 Substrat Si	Augmentation des propriétés pyroélectriques Sensibilité accrue des dispositifs pyroélectriques Application: capteurs pyroélectriques, dispositifs SAW
LN dopé au MgO (Épaisseur de la couche supérieure 50-1000nm)	Film mince LN dopé au MgO SiO2 Substrat LN	Résistant au démage optique Capacité à supporter une intensité lumineuse élevée Inclinaison à la polarisation en couche mince Application: Modulateurs électro-optiques, génération Terahertz
LN avec électrode (Épaisseur de la couche supérieure 50-1000nm)	Film mince LN SiO2 Électrode (100 nm) Substrat LN	Application: Modulateurs électro-optiques Guides d'ondes optiques Résonateurs
	Film mince LN Elctrode SiO2 Substrat LN	Application: Dispositifs SAW Dispositifs de mémoire FARM

 

Spécification des produits de la série LNOI
Couche fonctionnelle supérieure de LN
Diamètre	3 pouces (76,2 mm) / 4 pouces (100 mm)
Épaisseur	50 ~ 1000 nm
Indice de réflexion	non≈ ± 2,2860
	ne≈ ± 2.2024
Exclusion de bord	5 mm
Orientation	Z, X, Y, Y-128 ° etc.
Vides	<10
TTV	± 5%
Couche d'isolation
Méthode de préparation	PECVD, oxyde thermique
Épaisseur	1000 à 4000 nm
Indice de réflexion	1,46 à 1,48
TTV	± 5%
Substrat facultatif
Si, LN, Quartz, Verre
Couche d'électrode facultative (au-dessus ou sous la couche d'isolation de SiO2)
Matériel	Pt / Au
Gamme d'épaisseur	100 à 400 nm

Veuillez voir ci-dessous les spécifications détaillées:

Wafer LiNbO3 piézoélectrique

1. Exigences générales relatives aux plaquettes de cristal LN ： piezocristal
Orientation ： À être comme demandé ± 0,20, sauf indication contraire.
Diamètre ： (1) Φ76,2 ± 0,5 mm (2) Φ100,0 ± 0,5 mm
Épaisseur ： （1） 0,50 ± 0,05 mm (2) 0,35 ± 0,03 mm
Arc ： ≤ 40um
Cône ： ≤ 20um

La position à plat d'identification et la longueur doivent être les suivantes
Emplacement à plat principal ： Doit être compris entre ± 0,20, sauf indication contraire.
Longueur plate principale ： （1） 22 ± 2 mm （2） 32 ± 2 mm sauf indication contraire.
Longueur à plat secondaire ： （1） 10 ± 3 mm （2） 12 ± 3 mm sauf indication contraire.

Qualité polonaise de surface ：
Polissage de surface ： Poli miroir 10—15A
Polissage arrière: rodé avec du sable diamant GC240 ou GC1000 et gravé.
Edge Chips ： Arrondissement des bords
Curie Temp. ： 1142 ± 30C

2. Orientation individuelle de la tranche ＂Spéciale＂ Exigence ：
1) Orientation ： 127,860Y ± 0,20
Direction plate principale ： Axe X.
Appartement secondaire ： aucun
640Y-coupe

2) Orientation ： 640Y ± 0,20
Direction à plat primaire ： axe X
Plat secondaire ： 1800 dans le sens des aiguilles d'une montre à partir du plat principal si nécessaire.

3) coupe YZ
Orientation ： axe Y ± 0,20
Direction à plat primaire axis axe Z
Plat secondaire ： axe X

3. plaquette de LiNbO3 optique
Orientation du cristal: X, Z
Fluctuation d'orientation: ± 0,30, deux extrémités du cristal doivent être polies.
Diamètre: 76,2 ± 0,5 mm
Longueur: 50 ～ 80 mm.
Curie Temp.1142 ± 20C
Orientation du premier plat de référence: selon les besoins ± 0,20.
Longueur du premier plat de référence: 22 ± 2 mm d'inspection poli.
Deuxième plat de référence: disponible si nécessaire, la longueur doit être de 10 ± 3 mm
Apparence: sans fissure, sans pore, sans inclusion.

4. caractéristiques optiques:
Plage transparente: 370—5000nm
Indice de réfraction: （633 nm） non = 2,286 ne = 2,200
Gradient de réfraction （633nm） ≤5 × 10-5 / cm
Transmittivité （633nm） ≥68%
Indice de Briefringence: △ n = non - ne≈0.08
Wafer de quartz piézoélectronique

5.Exigences générales relatives aux plaquettes de quartz ：
Diamètre ： (1) Φ76,2 ± 0,5 mm
Épaisseur ： (1) 0,35 ± 0,05 mm (2) 0,40 ± 0,05 mm (3) 0,50 ± 0,05 mm
Arc ： ≤ 40um
Cône ： ≤ 20um
Orientation ： À être comme demandé ± 0,20, sauf indication contraire.
La position à plat d'identification et la longueur doivent être les suivantes ：
Emplacement à plat principal ： Doit être compris entre ± 0,20, sauf indication contraire.
Longueur plate principale ： 22 ± 2 mm sauf indication contraire.
Longueur à plat secondaire ： 10 ± 3 mm sauf indication contraire.
Qualité polonaise de surface ：
Poli de surface ： Poli miroir 10—15A
Polissage arrière: rodé avec du sable diamant GC600 ou GC1200 et gravé.
Edge Chips ： Arrondissement des bords
Emplacement des semences ： Pour être au centre de 6,5 mm de la plaquette ou non requis.
Facteur Q ： ≥ 2 millions min.

6.Orientation individuelle des plaquettes ＂Exigence spéciale ：
1) 360Y-cu
Orientation ： 360Y ± 0.20
Direction plate principale ： Axe X.
Appartement secondaire ： Deux plats, 90 et 270 du plat primaire si nécessaire.
340Y-coupe

2) Orientation ： 340Y ± 0,20
Direction à plat primaire ： axe X
Plat secondaire ： 900 dans le sens des aiguilles d'une montre à partir du plat principal si nécessaire.
42,750Ycut

3) Orientation ： 42,750Y ± 0,20
Direction à plat primaire ： axe X

7. tantalate de lithium
1) Exigences générales relatives aux wafers LT Crystal ：
Diamètre ： (1) Φ76,2 ± 0,5 mm (2) Φ100,0 ± 0,5 mm
Épaisseur ： (1) 0,50 ± 0,03 mm (2) 0,40 ± 0,03 mm
Arc ： ≤ 40um
Cône ： ≤ 20um
Orientation ： À être comme demandé ± 0,20, sauf indication contraire.

La position à plat d'identification et la longueur doivent être les suivantes ：
Emplacement à plat principal ： Doit être compris entre ± 0,20, sauf indication contraire.
Longueur plate principale ： (1) 22 ± 2 mm (2) 32 ± 2 mm sauf indication contraire.
Longueur à plat secondaire ： (1) 10 ± 3 mm (2) 12 ± 3 mm sauf indication contraire.

8. qualité polonaise de surface ：
Poli de surface ： Poli miroir 10—15A
Polissage arrière: rodé avec du sable diamant GC1200 et gravé.
Edge Chips ： Arrondissement des bords
Curie Temp. ： 605 ± 30C

Orientation individuelle des plaquettes ＂Spéciale＂ Exigence ：
1) coupe 360Y
Orientation ： 360Y ± 0.20
Direction plate principale ： Axe X.
Appartement secondaire ： aucun

2) coupe 420Y
Orientation ： 420Y ± 0,20

Direction plate principale ： Axe X.
Plat secondaire ： 1800 dans le sens des aiguilles d'une montre à partir du plat principal si nécessaire.
X-1120Ycut
Orientation ： Axe X ± 0,20
Direction plate primaire ： + 1120Y

9. plaquette de quartz piézoélectronique
Exigences générales relatives aux plaquettes de quartz ：
Diamètre ： (1) Φ76,2 ± 0,5 mm
Épaisseur ： (1) 0,35 ± 0,05 mm (2) 0,40 ± 0,05 mm (3) 0,50 ± 0,05 mm
Arc ： ≤ 40um
Cône ： ≤ 20um
Orientation ： À être comme demandé ± 0,20, sauf indication contraire.
La position à plat d'identification et la longueur doivent être les suivantes ：
Emplacement à plat principal ： Doit être compris entre ± 0,20, sauf indication contraire.
Longueur plate principale ： 22 ± 2 mm sauf indication contraire.
Longueur à plat secondaire ： 10 ± 3 mm sauf indication contraire.

10.Qualité polonaise de surface ：
Poli de surface ： Poli miroir 10—15A
Polissage arrière: rodé avec du sable diamant GC600 ou GC1200 et gravé.
Edge Chips ： Arrondissement des bords
Emplacement des semences ： Pour être au centre de 6,5 mm de la plaquette ou non requis.
Facteur Q ： ≥ 2 millions min.

Orientation individuelle des plaquettes ＂Spéciale＂ Exigence ：
1) 360Y-cu
Orientation ： 360Y ± 0.20
Direction plate principale ： Axe X.
Appartement secondaire ： Deux plats, 90 et 270 du plat primaire si nécessaire.

2) coupe 340Y
Orientation ： 340Y ± 0,20
Direction à plat primaire ： axe X
Plat secondaire ： 900 dans le sens des aiguilles d'une montre à partir du plat principal si nécessaire.

3) 42,750Ycut
Orientation ： 42,750Y ± 0,20
Direction à plat primaire ： axe X

4) Autres disponibles si nécessaire

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Mots-clés:
Implantation ionique
plaquette de tantalate de lithium
couche de niobate de lithium
LN sur Quartz
Film mince LN
Plaquette de quartz SAW
couche de tantalate de lithium
substrat de tantalate de lithium
couche mince de tantalate de lithium
LT sur SiO2 / Si
LN avec électrode
Substrat LN
Niobate de lithium noir
niobate de lithium sur Si
LT sur Si

4 "film mince sur LiNbO3 Silicon Wafer

3 "LiNbO3 seul film mince de cristal

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