Niobate de lithium

Le niobate de lithium (LiNbO3) est un composé de niobium, de lithium et d'oxygène. Ses monocristaux constituent un matériau important pour les guides d'ondes optiques, les téléphones mobiles, les capteurs piézoélectriques, les modulateurs optiques et diverses autres applications optiques linéaires et non linéaires. Des monocristaux de niobate de lithium peuvent être cultivés à l'aide du procédé Czochralski. Une plaquette de niobate de lithium monocristallin découpée en Z. Une fois le cristal développé, il est découpé en tranches d’orientation différente. Les orientations courantes sont la coupe en Z, la coupe en X, la coupe en Y et les coupes avec des angles de rotation par rapport à l'axe précédent.

Powerway Wafer Co., Limitéecomplète la plate-forme de processus d'implantation ionique et de division + meulage et propose l'implantation, le collage et le pelage de tranches de 3 à 6 pouces.

Produits réguliers	La structure	Remarque
LNOI (Épaisseur de la couche supérieure 50-1000 nm)	Couche mince LN monocristalline SiO2(2μm) Substrat LN (500 μm)	Grande différence d'indice de réfraction Application : modulateurs électro-optiques, guides d'ondes optiques, résonateurs, dispositifs SAW, dispositifs de mémoire FRAM
LN sur Si avec SiO2 (Épaisseur de la couche supérieure 50-1000 nm)	Couche mince LN monocristalline SiO2 Substrat Si (400 ou 500 μm)	Grande différence d'indice de réfraction Intégration avec le silicium Application : modulateurs électro-optiques, guides d'ondes optiques, résonateurs, dispositifs SAW, dispositifs de mémoire FRAM
LT activéSje (Épaisseur de la couche supérieure 5-50 μm)	Couche mince monocristalline LT Substrat Si	Collage direct Intégration avec du silicium Application : appareils SAW
LN sur Si (Épaisseur de la couche supérieure 5-50 μm)	Couche mince LN monocristalline Substrat Si	Collage direct Intégration avec du silicium Application : appareils SAW
LT sur SiO2/Si (Épaisseur de la couche supérieure 50-1000 nm)	Couche mince monocristalline LT SiO2 Substrat Si	Propriétés pyroélectriques accrues Sensibilité accrue des dispositifs pyroélectriques Application : capteurs pyroélectriques, dispositifs SAW
LN dopé au MgO (Épaisseur de la couche supérieure 50-1000 nm)	Film mince LN dopé au MgO SiO2 Substrat LN	Résistant aux dommages optiques Capacité à supporter une intensité lumineuse élevée Inclinaison à la polarisation en couche mince Application : Modulateurs électro-optiques, génération Terahertz
LN avec électrode (Épaisseur de la couche supérieure 50-1000 nm)	Couche mince LN SiO2 Électrode (100 nm) Substrat LN	Application: Modulateurs électro-optiques Guides d'ondes optiques Résonateurs
	Couche mince LN Électrode SiO2 Substrat LN	Application: Appareils SAW Dispositifs de mémoire FARM

 

Spécification des produits de la série LNOI
Couche fonctionnelle supérieure d'Infor LN
Diamètre	3″(76,2 mm)/4″(100 mm)
Épaisseur	50 ~ 1000 nm
Indice de réflexion	non≈±2,2860
	ne≈±2,2024
Exclusion de bord	5 mm
Orientation	Z, X, Y, Y-128°etc.
Vides	<10
TTV	±5%
Couche d'isolation
Méthode de préparation	PECVD, oxyde thermique
Épaisseur	1000~4000nm
Indice de réflexion	1,46 ~ 1,48
TTV	±5%
Substrat optionnel
Si, LN, Quartz, Verre
Couche d'électrode en option (au-dessus ou en dessous de la couche d'isolation SiO2)
Matériel	Pt/Au
Plage d'épaisseur	100 ~ 400 nm

Veuillez consulter les spécifications détaillées ci-dessous :

Plaquette piézoélectrique LiNbO3

1. Exigences générales des plaquettes de cristal LN : piézocristal
Orientation : à correspondre à la demande ±0,20, sauf indication contraire.
Diamètre：(1)Φ76,2±0,5mm (2) Φ100,0±0,5mm
Épaisseur：(1)0,50±0,05 mm (2) 0,35±0,03 mm
Arc : ≤ 40um
Cône : ≤ 20 um

L'identification de la position à plat et de la longueur doit être la suivante
Emplacement principal à plat : doit être compris entre ±0,20, sauf indication contraire.
Longueur plate principale : （1）22±2 mm （2）32±2 mm sauf indication contraire.
Longueur plate secondaire : (1) 10 ± 3 mm (2) 12 ± 3 mm, sauf indication contraire.

Qualité du polissage de surface :
Polissage de surface : poli miroir 10 à 15 A.
Polissage arrière : rodé avec du sable diamanté GC240 ou GC1000 et gravé.
Puces de bord : arrondi des bords
Curie Temp. ：1142 ± 30C

2. Orientation individuelle des plaquettes ＂Spécial＂Exigence ：
1)Orientation : 127,860Y±0,20
Direction plate principale : axe X.
Appartement secondaire：aucun
Coupe 640Y

2)Orientation：640Y±0,20
Direction plate principale : axe X
Appartement secondaire : 1 800 dans le sens des aiguilles d'une montre à partir de l'appartement principal si nécessaire.

3) Coupe YZ
Orientation : axe Y ± 0,20
Direction plate principale : axe Z
Plat secondaire : axe X

3. Plaquette optique LiNbO3
Orientation du cristal : X, Z
Fluctuation d'orientation : ±0,30, les deux extrémités du cristal doivent être polies.
Diamètre : 76,2 ± 0,5 mm
Longueur : 50～80 mm.
Curie Temp.1142 ± 20C
Orientation du premier plat de référence : selon les besoins ±0,20.
Longueur du premier plat de référence : 22 ± 2 mm, poli d'inspection.
Deuxième plat de référence : disponible si nécessaire, la longueur doit être de 10 ± 3 mm
Aspect : Exempt de fissures, de pores et d'inclusions.

4. Caractéristiques optiques :
Plage transparente : 370 à 5 000 nm
Indice de réfraction : (633 nm) non = 2,286 ne = 2,200.
Dégradé de réfraction (633 nm) ≤ 5 × 10-5/cm
Transmittivité (633 nm) ≥ 68 %
Indice de briefringence : △n= non – ne≈0,08
Plaquette de quartz piézoélectronique

5. Exigences générales en matière de plaquettes de quartz :
Diamètre : (1) Φ76,2 ± 0,5 mm.
Épaisseur：(1)0,35±0,05 mm (2) 0,40±0,05 mm (3)0,50±0,05 mm
Arc : ≤ 40um
Cône : ≤ 20 um
Orientation : à correspondre à la demande ±0,20, sauf indication contraire.
La position et la longueur à plat d'identification doivent être les suivantes :
Emplacement principal à plat : doit être compris entre ±0,20, sauf indication contraire.
Longueur plate primaire : 22 ± 2 mm, sauf indication contraire.
Longueur plate secondaire : 10 ± 3 mm, sauf indication contraire.
Qualité du polissage de surface :
Polissage de surface : poli miroir 10 à 15 A.
Polissage arrière : rodé avec du sable diamanté GC600 ou GC1200 et gravé.
Puces de bord : arrondi des bords
Emplacement de la graine : doit être au centre de 6,5 mm de la plaquette ou non requis.
Facteur Q : ≥ 2 millions min.

6. Orientation individuelle des plaquettes ＂Spécial＂Exigence：
1)360Y-cu
Orientation：360Y±0,20
Direction plate principale : axe X.
Appartement secondaire：Deux appartements, 90 et 270 de l'appartement principal si nécessaire.
Coupe 340Y

2)Orientation：340Y±0,20
Direction plate principale : axe X
Appartement secondaire : 900 dans le sens des aiguilles d'une montre à partir de l'appartement principal si nécessaire.
42.750Ycoupe

3)Orientation：42,750Y±0,20
Direction plate principale : axe X

7. tantalate de lithium
1) Exigences générales relatives aux plaquettes de cristal LT :
Diameter：　(1)Φ76.2±0.5mm      　(2) Φ100.0±0.5mm
Thickness：　(1)0.50±0.03mm       　(2) 0.40±0.03mm
Arc : ≤ 40um
Cône : ≤ 20 um
Orientation : à correspondre à la demande ±0,20, sauf indication contraire.

La position et la longueur à plat d'identification doivent être les suivantes :
Emplacement principal à plat : doit être compris entre ±0,20, sauf indication contraire.
Primary Flat Length：　　(1)22±2mm         　　(2)32±2mm   unless specified.
Secondary Flat Length：   (1)10±3mm       　　  (2)12±3mm   unless specified.

8. Qualité du polissage de Surface :
Polissage de surface : poli miroir 10 à 15 A.
Polissage arrière : rodé avec du sable diamanté GC1200 et gravé.
Puces de bord : arrondi des bords
Curie Temp. ：605 ± 30C

Orientation de la plaquette individuelle ＂Spécial＂Exigence ：
1) coupe 360Y
Orientation：360Y±0,20
Direction plate principale : axe X.
Appartement secondaire：aucun

2)420Y-coupe
Orientation：420Y±0,20

Direction plate principale : axe X.
Appartement secondaire : 1 800 dans le sens des aiguilles d'une montre à partir de l'appartement principal si nécessaire.
X-1120Ycoupe
Orientation : axe X ± 0,20
Direction plate principale：+1120Y

9. Plaquette de quartz piézoélectronique
Exigences générales des plaquettes de quartz :
Diamètre : (1) Φ76,2 ± 0,5 mm.
Épaisseur：(1)0,35±0,05 mm (2) 0,40±0,05 mm (3)0,50±0,05 mm
Arc : ≤ 40um
Cône : ≤ 20 um
Orientation : à correspondre à la demande ±0,20, sauf indication contraire.
La position et la longueur à plat d'identification doivent être les suivantes :
Emplacement principal à plat : doit être compris entre ±0,20, sauf indication contraire.
Longueur plate primaire : 22 ± 2 mm, sauf indication contraire.
Longueur plate secondaire : 10 ± 3 mm, sauf indication contraire.

10.Surface Polish Quality：
Polissage de surface : poli miroir 10 à 15 A.
Polissage arrière : rodé avec du sable diamanté GC600 ou GC1200 et gravé.
Puces de bord : arrondi des bords
Emplacement de la graine : doit être au centre de 6,5 mm de la plaquette ou non requis.
Facteur Q : ≥ 2 millions min.

Individual wafer Orientation ＂Special＂Requirement：
1)360Y-cu
Orientation：360Y±0,20
Direction plate principale : axe X.
Appartement secondaire：Deux appartements, 90 et 270 de l'appartement principal si nécessaire.

2)340Y-cut
Orientation：340Y±0.20
Direction plate principale : axe X
Appartement secondaire : 900 dans le sens des aiguilles d'une montre à partir de l'appartement principal si nécessaire.

3)42.750Ycut
Orientation：42.750Y±0.20
Direction plate principale : axe X

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