LT GaAs Thin Film pour photodétecteurs et photomélangeurs

LT GaAs Thin Film pour photodétecteurs et photomélangeurs

Une couche mince d'arséniure de gallium (GaAs) à croissance à basse température (LTG) sur un substrat GaAs est disponible pour les photodétecteurs et les photomélangeurs. De plus, nous pouvons fournir des tranches d'épi de Gaas, pour plus de tranches de couches minces de GaAs, veuillez consulterhttps://www.powerwaywafer.com/gaas-wafers/gaas-epiwafer.html. Le LTG-GaAs est du GaAs cultivé à basse température de 250 à 300 degrés Celsius à l'aide de MBE. LT-GaAs a une durée de vie inférieure à la picoseconde et une résistance élevée après recuit, avec une résistivité de 107Ω*cm, which can prevent the formation of oxides and prevent the pinning effect of the metal-semiconductor interface. Moreover, low temperature grown gallium arsenide thin film has high breakdown electric fields and relatively large mobility. These properties make LT-GaAs one of the preferred materials for fast and sensitive various optoelectronic devices, such as photodetectors and photoemixers. For more GaAs thin film data sheet, please refer to the table below:

GaAs thin film wafer

1. LT GaAs Thin Film Grown for Photodetectors and Photomixers

PAMP16051-LTGAAS

Layer Material Thickness Note
LT GaAs Can do with short life time <1ps
AlAs 500nm
2” GaAs Substrate

 

Note:

Compared with GaAs, AlAs layer has higher lattice constant, which enables the growth of LT-GaAs with larger lattice constant. The photocurrent generation in low-temperature grown GaAs can be significantly improved by inter-insertion growth of AlAs. The AlAs layer allows more arsenic to be incorporated into the LT GaAs layer, preventing current diffusion into the GaAs substrate.

2. Development of Optoelectronic Devices Fabricated on LTG GaAs Film

Marsch reported the fabrication and high-frequency performance of free-standing LT GaAs-based photoconductors and photomixers. The photoresponse of the devices showed transient electrical effects with a width of 0ps~55ps and an amplification voltage of 1.3V.

Malooci reported LTG GaAs as a waveguide optical mixer in mmWave and THz applications.

Mayorga utilise l'absorption LTG CaAs pour mélanger deux lasers (proche infrarouge) afin de produire des signaux haute fréquence, qui peuvent être utilisés comme signaux de référence pour les oscillateurs de masse THz pour des applications telles que ALMA (Atacama Large Millimeter Aray Research Project).

Wingender a utilisé un mélangeur optique en fabrication de couches minces LT GaAs pour créer un laser à diode à régime permanent avec rétroaction optique.

Han Qin et al. a fabriqué un photodétecteur à base de GaAs 1. 55um amélioré par résonateur (RCE) en utilisant un matériau LTG GaAs comme couche d'absorption de la lumière, et a analysé et étudié ses propriétés photoélectriques. Le courant d'obscurité de l'appareil est de 8,0x 10-12A ; la longueur d'onde maximale du spectre photocourant est de 1563 nm ; la demi-largeur du spectre de réponse est de 4 nm, avec une bonne sélectivité en longueur d'onde.

Les principales applications et les progrès de la recherche de l'épicouche LT GaAs dans les dispositifs optoélectroniques sont brièvement présentés, ce qui est très significatif pour améliorer les performances des dispositifs à couche mince LT GaAs. Lorsque le dispositif entre dans le niveau submicronique, un contact ohmique non allié peut être formé, évitant le processus de traitement thermique du contact ohmique pour le dispositif, et l'efficacité et les performances du dispositif seront également grandement améliorées. On pense que le LT-GaAs deviendra un matériau fonctionnel d'information indispensable dans les dispositifs à base de GaAs dans un avenir proche.

Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail à[email protected] et [email protected].

Partager cet article