Capteur de magnétorésistance (MR) InSb
La magnétorésistance à couche mince d'antimonide d'indium (InSb), qui est l'élément sensible central du capteur de magnétorésistance (MR), est fournie par PAM-XIAMEN avec des caractéristiques de mesure sans contact, de petite taille, de haute fiabilité, de rapport signal/bruit élevé et de réponse en fréquence large (0-100 kHz). La magnétorésistance InSb est un nouveau type d'élément sensible fabriqué en utilisant l'effet de magnétorésistance deFilm INSB. Il peut utiliser un champ magnétique comme moyen pour convertir diverses quantités non électriques (telles que divers déplacements et vitesses) en changements de valeurs de résistance, afin de mesurer ou de contrôler des quantités non électriques. Étant donné que cette conversion est effectuée dans une situation sans contact, le capteur à magnétorésistance présente les caractéristiques de haute fiabilité, de petite taille et de légèreté pour réaliser divers capteurs. Ce type de dispositif magnétique sensible a un large éventail d’utilisations dans l’industrie et dans de nombreux domaines scientifiques et technologiques. La magnétorésistance existante dePAM-XIAMENsont les suivants:
1. Spécifications de la magnétorésistance InSb
| Taper | Taille | Résistance | Sensibilité | Max. courant de travail | Asymétrie | Température de fonctionnement |
| Pam-l-1 | 3,8 × 1,8 mm | 1 × (100 ~ 2000) ohm | > 2.0 | <15 mA | – | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-L-2A | 4,5 × 3,5 mm | 2 × (300 ~ 3000) ohm | > 2.0 | <15 mA | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-L-2B | 3,0 × 2,5 mm | 2 × (300 ~ 3000) ohm | > 2.0 | <15 mA | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-L-2C | 7,6 × 1,8 mm | 2 × (300 ~ 3000) ohm | > 2.0 | <15 mA | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
| Pam-r-2 | 5,0 × 4,0 mm | 2 × (800 ~ 3000) ohm | > 2.0 | <15 mA | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
| PAM-L-4 | 4,6 × 4,0 mm | 4 × (300 ~ 3000) ohm | > 2.0 | <15 mA | <10% | -20 ~ 80 ℃ |
Structure magnétorésistante:
Marque:La production de magnétorésistances à couches minces InSb adopte une technologie avancée de production de couches minces et de photogravure planaire, et son motif, sa taille et sa résistance peuvent être conçus de manière flexible en fonction des besoins.
Il existe trois paramètres principaux du capteur magnétorésistif :
- Rapport de magnétorésistance : il fait référence au rapport entre la valeur de résistance de la magnétorésistance et la valeur de résistance sous induction magnétique nulle sous une intensité d'induction magnétique spécifiée.
- Coefficient magnétorésistif : il fait référence au rapport entre la valeur de résistance d'un capteur magnétique et sa valeur de résistance nominale sous une certaine intensité d'induction magnétique.
- Sensibilité magnétorésistive : elle fait référence au taux de variation relatif de la valeur de résistance d'un capteur de champ magnétorésistif avec la densité de flux magnétique sous une densité de flux magnétique spécifiée.
2. Principe de fonctionnement du capteur de magnétorésistance
Lacapteur magnétoresistiffabriqué sur une couche mince d'InSb est souvent une solution idéale pour la mesure à grande vitesse, le contrôle d'angle, le contrôle de position, le suivi de signal, etc. Sa résistance R change avec le changement de la densité de flux magnétique B le traversant perpendiculairement : lorsque B<0,1T, R∝ ; lorsque B>0,1T, R∝B ; lorsque B=0,3T>2,0, comme le montre la figure ci-dessous.
Grâce à cette fonctionnalité, il est pratique d'utiliser le champ magnétique comme moyen pour convertir la non-électricité (telle que le déplacement, la position, la vitesse, le déplacement angulaire, la pression, l'accélération, etc.) en énergie électrique sans contact, de manière à mesurer et contrôler la non-électricité.
3. Effet magnéto-résistant dans la couche mince InSb
Le matériau InSb est un matériau semi-conducteur composé typique. Comparé à l'arséniure de silicium, de germanium et de gallium, il a un effet magnétorésistance significatif. Par conséquent, les capteurs à magnétorésistance utilisent des matériaux InSb pour produire l'effet de magnétorésistance des matériaux semi-conducteurs, y compris l'effet de magnétorésistance physique et l'effet de magnétorésistance géométrique. L'effet de magnétorésistance physique est également appelé effet de magnétorésistance. Dans une puce semi-conductrice rectangulaire, lorsqu'un courant circule dans le sens de la longueur, si un champ magnétique est appliqué dans le sens de l'épaisseur perpendiculaire au courant, la résistivité augmente dans le sens de la longueur de la puce SMR. Ce phénomène est appelé effet magnétorésistif physique ou effet magnétorésistif.
4. Applications des capteurs à magnétorésistance
En tant que capteur MR, les principes de fonctionnement des différents capteurs à éléments à résistance magnétique qui utilisent la magnétorésistance comme élément central sont les mêmes, mais les types sont différents selon l'objectif et la structure. Par conséquent, il peut être utilisé dans un capteur magnétique, destiné à l'instrument de mesure du magnétisme résiduel d'un champ magnétique constant et d'un champ magnétique alternatif ou de machines électriques, ainsi que dans les équipements de navigation et d'aviation. De plus, le capteur à magnétorésistance peut être destiné à un capteur de vitesse, un capteur de déplacement angulaire et un capteur ferromagnétique. La combinaison de magnétorésistances et de composants électroniques peut former un convertisseur AC-DC, un multiplicateur de fréquence, un modulateur et un oscillateur.
Pour en savoir plus sur le capteur à magnétorésistance, veuillez lire :https://www.powerwaywafer.com/magnetoresistive-sensor.html
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