Dépôt de métal sur plaquette de silicium

Dépôt de métal sur plaquette de silicium

Plaquettes de silicium avec divers dépôts métalliques sont en vente dans des tailles allant de 2 pouces à 12 pouces. Le dépôt de métal sur une plaquette de silicium est généralement traité sur la surface du substrat, et l'épaisseur du substrat est généralement de 300 um ~ 700 um. Une liste de plaquettes est présentée ci-dessous pour votre référence :

1. Liste de plaquettes de dépôt de métal sur plaquette de silicium

Non. Matériel Taille (pouces) surface finie Type Epaisseur (um) Épaisseur du film (nm) Résis.(ohm.cm) Arête de référence
M2 Plaquette de silicium enduite d'or 4 SSP N100 450±15 10nmCr+100nmAu 0,01~0,02 2
M4 Plaquette de silicium enduite d'or 2 SSP P100 430±10 20nmTi+100nmAu 0~0,005
M5 Plaquette De Silicium Plaqué Or 2 SSP N100 430±10 20nmTi+1200nmAu 0~0,05 1
M14 Plaquette de silicium enduit de cuivre 6 SSP N100 675 ± 25 2000nmCu 1~100
M15 Plaquette de silicium enduite d'aluminium 8 SSP P100 700±25 500 nmAl 1~100
M18 Plaquette Si Cuivrée 12 SSP P100 700±25 1000nmCu 1~100
M19 Plaquette Si revêtue de cuivre 12 SSP P100 700±25 500nmCu 1~100
M20 Plaquette Si Cuivrée 6 SSP N100 625 ± 25 125nmCu 0,01~0,02
M21 Plaquette de silicium enduite d'or 2 SSP P100 400 ± 15 10nmCr+100nmAu 0~0.0015
M22 Plaquette De Silicium Plaqué Or 2 SSP N100 280±15 10nmCr+100nmAu 0~0,05
M33 Plaquette de silicium revêtue de platine 2 SSP P100 430±15 30nmTi+150nmPt 0~0.0015
M34 Plaquette Si Plaqué Or 4 DSP 100 110±25 10nmCr-+50nmAu 0,01~0,05
M35 Plaquette Si Plaqué Or 6 DSP 100 200±25 10nmCr+50nmAu 0,005~0,01
M36 Plaquette Si revêtue d'or 6 SSP N100 625 ± 25 10nmCr+50nmAu 0,01~0,02
M37 Plaquette Si revêtue d'or 4 DSP P100 200±10 50nmCr+10nmAu 2~3
M40 Plaquette Si Platiné 4 SSP P100 515±15 300nmSi02+30nmTi+300nmPt 0,008~0,012 2
M41 Plaquette Si Platiné 4 SSP P100 525±25 300nmSi02+30nnTi+300nmPt 0,01~0,02 2
M42 Plaquette Si revêtue d'Au 6 DSP 100 200±25 10nmCr+50nmAu 0,005~0,01
M43 Plaquette Si revêtue de Pt 4 SSP P100 500±15 300nmSi02+30nmTi+150nmPt 0~0.0015 2
M44 Plaquette Si Plaqué Pt 4 SSP P100 500±15 500nmSi02+30nmTi+150nmPt 0~0.0015 2
M46 Wafer Si Plaqué Au 4 SSP N100 525±15 30nmCr+125nmAu 0~0,005
M47 Plaquette Si Plaqué Cu 4 SSP N100 525±15 30nmCr+100nmCu 0~0,005
M49 Plaquette Si Plaqué Cu 4 SSP P100 525±15 30nmCr+100nmCu 8 ~ 12 2
M50 Wafer Si Plaqué Au 4 SSP N100 450±15 90nmSi02+10nmCr+100nmAu 0,012~0,018
M51 Plaquette Si revêtue de Pt 4 SSP P100 500±10 280nmSi02+150nmPt 0~0.0015 1
M52 Plaquette Si revêtue de Cr 4 SSP N100 525±25 200nmCr 0,01~0,02 2
M54 Plaquette Si revêtue d'Ag 4 SSP P100 500±10 30nmCr+200nmAg 0~0,05 2
M55 Plaquette de silicium enduite de cuivre 4 DSP P100 500±10 20nmTi+100nmAu 0~0,05 2
M56 Plaquette de silicium plaqué cuivre 4 DSP P100 500±10 20nmNi+100nmAu 0~0,05 2
M57 Plaquette de silicium enduite de cuivre 4 SSP N100 500±10 Surface non polie 20nnTi+100nmAu 1~3 2
M58 Plaquette de silicium recouverte d'or 4 DSP N100 525±25 20nmTi+100nmAu 0~0,01 2
M59 Plaquette de silicium plaquée or 4 SSP P100 525±20 Surface non polie 20nmNi+100nmAu 1-3 2

 

Prenons l'exemple de la plaquette de silicium revêtue de platine (Pt) : étant donné que la couche de platine a une dureté élevée, une faible résistance et une bonne soudabilité, la conductivité, la dureté et la résistance à la corrosion de la plaquette de silicium platiné sont augmentées, ce qui permet de l'utiliser comme substrat.

2. À propos du revêtement de platine sur une plaquette de silicium

Le dépôt de métal sur une plaquette de silicium fait référence à un processus de métallisation selon lequel des couches minces métalliques se déposent sur la plaquette pour former un circuit conducteur. Les métaux sont généralement l'or, le platine, l'aluminium, le cuivre, l'argent, etc. Des alliages métalliques peuvent également être utilisés.

La technologie de dépôt sous vide est souvent utilisée dans le processus de métallisation. Alors que pour le processus de dépôt, la pulvérisation cathodique, l'évaporation par faisceau d'électrons, l'évaporation flash et l'évaporation par induction sont les méthodes habituelles de fabrication d'un film de platine sur une plaquette de Si.

La plaquette de silicium est couramment utilisée pour déposer et faire croître un film mince ferroélectrique à partir de sources de pulvérisation cathodique. La température de frittage peut généralement atteindre 650 ~ 850°C. Pendant le frittage, la contrainte change considérablement et la tension ou la compression diminue lorsqu'elle atteint les gigapascals. Après cela, la contrainte typique d'un film mince ferroélectrique est d'environ 10o gigapascal. Le film mince de Pt apparaîtra de petites fissures lorsque la température est supérieure à 750°C. Par conséquent, la couche de métal Pt dans le traitement des tranches de silicium doit être déposée à une température inférieure à 750°C.

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