Amélioration de la durée de vie des porteurs minoritaires dans les tranches de silicium de type n et p à l'aide de couches de nanoparticules d'argent

Amélioration de la durée de vie des porteurs minoritaires dans les tranches de silicium de type n et p à l'aide de couches de nanoparticules d'argent

La technique de photoconductance à l'état quasi-stationnaire est utilisée pour sonder les modifications effectives de la durée de vie des porteurs minoritaires (τ eff) après l'intégration de nanoparticules d'argent (Ag NP) sur des tranches de silicium de type n et de type p avec une surface d'oxyde natif. Nos observations révèlent que la modification de τ eff est très sensible à la taille des Ag NPs, à la couverture de surface et également au type de wafer. Avec un Ag NPs optimisé, τ eff passe de 4,4 μs à 10 μs pour untranche de silicium de type p, et de 8,1 μs à 14 μs pour untranche de silicium de type n. Nous avons attribué l'amélioration de τ eff à la passivation par effet de champ partiel de la surface du silicium par les champs proches de résonance plasmon de surface des NP Ag après excitation. Nos recherches démontrent qu'un Ag NPs optimisé sur n'importe quelle plaquette de silicium avec une couche d'oxyde natif peut fonctionner à la fois comme piégeage de la lumière et comme couche de passivation de surface.

source: iopscience

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