Plaquette de silicium dopé Sb de type N pour la fabrication de circuits intégrés

Plaquette de silicium dopé Sb de type N pour la fabrication de circuits intégrés

PAM-XIAMEN, l'un des principaux producteurs de plaquettes de silicium, peut proposer des plaquettes de silicium dopées Sb de type N de 4 pouces. En tant qu'important substrat pour la croissance épitaxiale, les plaquettes de silicium antimoine fortement dopées sont largement utilisées dans la fabrication de circuits intégrés.

Plaquette de silicium dopé Sb

1. Specification of 4 inch Sb Doped Si wafer (PAM210618-SI)

Article plaquette de silicium
Diamètre 100.0±0.5mm
Épaisseur 525±25µm
Type de conductivité De type N
dopant Si:Sb
Orientation [100]±0,5°
Résistivité 0,01-0,02 Ohm*cm
TTV <5µm
Surface finie Poli recto-verso
plat principal Appartements SEMI (deux)
Paquet Scellé dans Empak ou cassette équivalente

 

2. Étude sur la plaquette de silicium avec dopant d'antimoine

L'utilisation de monocristal de silicium dopé au Sb comme plaquette épitaxiale N/N présente de nombreux avantages, tels qu'une zone de transition étroite, un gradient de jonction abrupt et un faible coefficient de diffusion de l'antimoine à haute température, ce qui en fait un bon matériau de substrat.

2.1 Aperçu de la résistivité des plaquettes de silicium

Cependant, en raison du faible coefficient de ségrégation de l'antimoine dans la tranche de silicium, de la forte concentration d'antimoine fortement dopé et de la grande constante d'évaporation de l'antimoine, il est difficile de contrôler la résistivité de la tranche de silicium dopé Sb. A travers l'expérience de tirage du cristal par PAM-XIAMEN, l'influence du processus de tirage du cristal sur la résistivité est étudiée. En sélectionnant des paramètres de processus appropriés, la résistivité de la plaquette de silicium et l'uniformité longitudinale peuvent être contrôlées avec précision.

2.2 Déterminer la résistivité de la plaquette de silicium dopé au Sb

Des échantillons sont coupés à la tête, au milieu et à la queue de la tige monocristalline étirée, et la résistivité de l'échantillon est mesurée par la méthode à quatre sondes droites à température ambiante conformément à la norme ASTM F43-83.

Au cours de la croissance de cristaux d'antimoine fortement dopés, une partie de l'antimoine dans la masse fondue s'évapore dans l'atmosphère d'argon, et une partie se sépare dans le processus de croissance des plaquettes de silicium dopé Sb. L'impureté du donneur d'antimoine entrant dans le monocristal est gravement dégénérée et le donneur ionisé devient un porteur, ce qui détermine la résistivité ainsi que sa mobilité.

La valeur expérimentale de résistivité et la valeur calculée de la plaquette de silicium dopée au Sb sous différents processus de fabrication de plaquettes de silicium sont :

Non. E) P V(mm/h) g1 g2 Expérimental Calculé
P1(*10-2 ohm-cm) P2(*10-2 ohm-cm) P3(*10-2 ohm-cm) P1(*10-2 ohm-cm) P2(*10-2 ohm-cm) P3(*10-2 ohm-cm)
1 8.0 19.0 48 0.38 0.78 1.83 1.60 1.19 1.81 1.59 1.19
2 3.0 19.0 48 0.40 0.80 1.68 1.42 1.07 1.65 1.45 1.07
3 7.0 19.0 47 0.42 0.70 1.74 1.45 1.14 1.78 1.51 1.16
4 3.0 16.8 53 0.45 0.78 1.67 1.42 1.08 1.67 1.41 1.10
5 6.0 17.0 51 0.49 0.80 1.77 1.49 1.14 1.76 1.51 1.14
6 4.6 16.5 49 0.34 0.82 1.75 1.45 1.12 1.72 1.46 1.09
7 8.0 16.0 48 0.46 0.76 1.87 1.63 1.16 1.85 1.68 1.27
8 2.5 16.0 48   0.78 1.66 1.41 1.12 1.66 1.41 1.10

D'après le tableau ci-dessus, nous pouvons voir que plus le temps de cristallisation est court, plus la pression du four est élevée, plus la vitesse de tirage du cristal est élevée et plus la résistivité du monocristal est faible.

Par conséquent, le temps de cristallisation, la pression du four et la vitesse de croissance affectent sérieusement la résistivité de la plaquette de silicium dopée au Sb. Le choix des paramètres de croissance appropriés peut contrôler avec précision la résistivité et l'uniformité longitudinale du monocristal d'antimoine fortement dopé.

Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail à victorchan@powerwaywafer.com et powerwaymaterial@gmail.com.

Partager cet article