Des produits

  • Masque photo
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    Masque photo

    Offres PAM-XIAMENPhotomasques

    Un masque photo est une fine couche de matériau de masquage supportée par un substrat plus épais. Le matériau de masquage absorbe la lumière à des degrés divers et peut être structuré avec un motif personnalisé. Le motif est utilisé pour moduler la lumière et transférer le motif via le processus de photolithographie, processus fondamental utilisé pour construire presque tous les appareils numériques actuels.

  • Plaquette CdZnTe (CZT)
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    Plaquette CdZnTe (CZT)
    Le tellurure de cadmium et de zinc (CdZnTe ou CZT) est un nouveau semi-conducteur qui permet de convertir efficacement le rayonnement en électrons. Il est principalement utilisé dans les substrats d'épitaxie infrarouge en couches minces, les détecteurs de rayons X et les détecteurs de rayons gamma CdZnTe.
  • Détecteur CZT
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    Détecteur CZT

    PAM-XIAMEN fournit une série de produits CZT, qui comprennent des détecteurs, des modules, des sondes, des systèmes, des amplificateurs, des analyseurs, une alimentation et un four.

  • Plaquette de germanium
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    Monocristaux et plaquettes de Ge (germanium)
    PAM-XIAMEN propose des plaquettes de germanium de 2", 3", 4" et 6", qui est l'abréviation de plaquette Ge cultivée par VGF / LEC. Une plaquette de germanium de type P et N légèrement dopée peut également être utilisée pour l'expérience à effet Hall. À température ambiante, le germanium cristallin est fragile et peu plasticisé. Le germanium a des propriétés semi-conductrices. Le germanium de haute pureté est dopé avec des éléments trivalents (tels que l'indium, le gallium, le bore) pour obtenir des semi-conducteurs en germanium de type P ; et des éléments pentavalents (tels que l'antimoine, l'arsenic et le phosphore) sont dopés pour obtenir des semi-conducteurs en germanium de type N. Le germanium possède de bonnes propriétés semi-conductrices, telles qu'une mobilité élevée des électrons et une mobilité élevée des trous.
  • plaquette InPplaquette InP
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    plaquette InP

    PAM-XIAMEN propose des plaquettes VGF InP (phosphure d'indium) de qualité primaire ou de test, y compris à faible dopage, de type N ou semi-isolant. La mobilité de la plaquette InP est différente selon le type, faiblement dopée>=3000cm2/Vs, type N>1000 ou 2000cm2V.s (dépend de différentes concentrations de dopage), type P : 60+/-10 ou 80+/-10cm2 /Vs (dépend des différentes concentrations de dopage en Zn), et semi-insultant > 2000 cm2/Vs, l'EPD du phosphure d'indium est normalement inférieur à 500/cm2.

  • plaquette InAsplaquette InAs
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    plaquette InAs

    PAM-XIAMEN propose des plaquettes de semi-conducteur composé InAs – des plaquettes d'arséniure d'indium qui sont cultivées par LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) en tant que qualité épi-prête ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100). De plus, le monocristal InAs présente une mobilité électronique élevée et constitue un matériau idéal pour la fabrication de dispositifs Hall.

  • plaquette InSbplaquette InSb
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    plaquette InSb

    PAM-XIAMEN propose une plaquette InSb à semi-conducteur composé – une plaquette d'antimonide d'indium qui est cultivée par LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) en tant que qualité épi-prête ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100). L'antimonide d'indium dopé avec de l'isoélectronique (tel que le dopage N) peut réduire la densité des défauts pendant le processus de fabrication de couches minces d'antimonure d'indium.

  • Plaquette de GaSbPlaquette de GaSb
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    Plaquette de GaSb

    PAM-XIAMEN propose des plaquettes GaSb à semi-conducteur composé – antimoniure de gallium qui sont cultivées par LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) en qualité épi-prête ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).

  • Plaquette GaPPlaquette de GaSb
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    GaP Wafer – Impossible d'offrir temporairement
    PAM-XIAMEN propose une plaquette GaP à semi-conducteur composé – une plaquette de phosphure de gallium qui est cultivée par LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) en tant que qualité épi-prête ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
  • GaAs Wafer (Arséniure de gallium)
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    Plaquettes de GaAs (arséniure de gallium)

    En tant que principal fournisseur de substrats GaAs, PAM-XIAMEN fabrique des substrats de plaquettes GaAs (arséniure de gallium) prêts à l'emploi, notamment des semi-conducteurs de type n, des semi-conducteurs dopés C et des semi-conducteurs de type p avec qualité principale et qualité factice. La résistivité du substrat GaAs dépend des dopants, le Si dopé ou le Zn dopé est de (0,001 ~ 0,009) ohm.cm, celui dopé au C est >=1E7 ohm.cm. L'orientation des cristaux de la tranche de GaAs doit être (100) et (111). Pour l'orientation (100), il peut être éteint de 2°/6°/15°. L'EPD de la plaquette GaAs est normalement <5 000/cm2 pour les LED ou <500/cm2 pour les LD ou la microélectronique.

  • GaAs Epi Wafer
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    GaAs Epiwafer

    PAM-XIAMEN fabrique divers types de matériaux semi-conducteurs de type n dopés au silicium épi III-V à base de Ga, Al, In, As et P cultivés par MBE ou MOCVD. Nous fournissons des structures d'épiwafer GaAs personnalisées pour répondre aux spécifications des clients. Veuillez nous contacter pour plus d'informations.

  • Substrat GaN autoportant
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    Substrat GaN autoportant

    PAM-XIAMEN a établi la technologie de fabrication de plaquettes de substrat GaN autoportantes (nitrure de gallium), destinées aux UHB-LED et LD. Cultivé grâce à la technologie d'épitaxie en phase vapeur d'hydrure (HVPE), notre substrat GaN présente une faible densité de défauts.