PAM-XIAMEN offers PSS patterned sapphire substrate for high brightness GaN based LED EPI growing application. The patterned sapphire substrate wafer consiste à faire pousser un masque de gravure à sec sur le substrat en saphir. Le masque est gravé par un procédé de photolithographie standard. Ensuite, le saphir est gravé par la technologie de gravure ICP, et pendant ce temps, le masque est retiré. Après cela, le matériau GaN est développé sur le saphir, de sorte que l'épitaxie verticale du matériau GaN devient l'épitaxie horizontale. Les détails du substrat saphir à motifs sont ci-dessous:
1.Sspécifications de Substrat saphir à motifs
Paramètres | Spécification | Unité |
Matériel | MonocristallinAl2O3 de haute pureté | |
Diamètre | 50,8 ± 0,1 | ㎜ |
Épaisseur | 430 ± 10 | ㎛ |
Variation d'épaisseur totale | ≤10 | ㎛ |
Longueur à plat primaire | 16,0 ± 1,0 | ㎜ |
Orientation à plat primaire | Un avion ± 0,2 | |
Qualité de la surface avant | Prêt épitaxial | |
Rugosité de la surface arrière | 1,0 ± 0,1 | ㎛ |
Orientation de la surface A | 0˚off ± 0,1 | |
Orientation de la surface M | 0,2˚off ± 0,10 | |
Orientation de la surface R | R9 | |
ARC | -10 ~ 0 | ㎛ |
CHAÎNE | ≤15 | ㎛ |
Largeur du motif | 2,7 ± 0,15 | ㎛ |
Hauteur du motif | 1,7 ± 0,15 | ㎛ |
Pas de motif | 3,0 ± 0,05 | ㎛ |
2.Pourquoi choisir un substrat saphir à motifs pour LED?
On the one hand, the cone-shaped patterned sapphire substrate wafer can effectively reduce the dislocation density of the GaN epitaxial material(the patterned sapphire substrate dislocation is low), thereby reducing the non-radiative recombination of the active area, reducing the reverse leakage current, and improving the life of the LED. On the other hand, the light emitted from the active region is scattered multiple times by the interface of GaN and sapphire substrate, and the exit angle of total reflection light is changed, increasing the probability that the light of the flip-chip LED emerges from the sapphire substrate, thereby improving the extraction efficiency of the light.
En résumé, la luminosité de la lumière émise de la LED développée sur le substrat de saphir à motif nano est grandement améliorée par rapport à celle de la LED traditionnelle. Le courant de fuite inverse est réduit, prolongeant la durée de vie de la LED.
A patterned sapphire substrate belongs to the semiconductor industry. As a high-brightness epitaxial material, it is the source material of the LED lighting industry. Meanwhile, using PSS Al2O3 wafer to grow epitaxial wafers is the most effective way to improve the brightness of the chip. It is also the best choice for the high-power and high-brightness epitaxial wafers.
Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail à victorchan@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com.