Nous avons réussi à produire et caractérisé mince monocristalline Ge films sur des substrats de saphir (de GEOS). un modèle de ce type GEOS offre une alternative économique aux substrats de germanium en vrac pour des applications où seule une faible épaisseur (<2 pm) couche Ge est nécessaire pour le fonctionnement du dispositif. Les modèles de GEOS ont été réalisés en utilisant le Smart CutTMtechnique. 100 mm de diamètre GEOS modèles ont été fabriqués et caractérisés pour comparer les Ge propriétés de film mince avec Ge vrac. inspection des défauts de surface, SEM, AFM, gravure défaut, XRD et spectroscopie Raman ont été toutes réalisées. Les résultats obtenus pour chaque technique de caractérisation utilisées ont mis en évidence que les propriétés du matériau du film mince Ge transférés étaient très proches de celles d'une référence en vrac Ge. Un deux épitaxiale AlGaInP / GaInP / AlGaInP hétérostructure a été cultivé au sommet le modèle GEOS pour démontrer la stabilité du modèle dans les conditions rencontrées dans la réalisation de dispositif typique. Le comportement photoluminescent de cette structure épitaxiale était presque identique à celle d'une structure similaire développée sur un substrat massif Ge. Les modèles de GEOS offrent donc une alternative viable aux substrats en vrac Ge dans la fabrication de dispositifs dont le fonctionnement est compatible avec une structure de film mince.
Source: IOPscience
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