Marché des plaquettes de SiC

Marché des plaquettes de SiC

Silicon-based devices are approaching physical limits, and compound semiconductors have broad prospects. Meanwhile, in some high-power, high-voltage, high-frequency, and high-temperature applications (such as new energy and 5G communications), the performance of silicon-based devices has gradually failed to meet the requirements. Due to the excellent performance of compound semiconductors represented by SiC wafer, the compound semiconductors are gradually being used for large-scale commercial use in the fields of communication radio frequency, optical communication, and power electronics. PAM-XIAMEN can offer Substrat SiC. For SiC wafer market forecast, please refer to the diagram of SiC wafer demand in global market:

sic需求量

Fig. 1 Demande de plaquettes de SiC en 2017-2025 (dix mille pièces)

On peut voir sur la figure 2 que les matériaux SiC seront une base importante pour les dispositifs SiC et GaN dans le domaine des nouvelles énergies et des communications 5G à l'avenir.

Ligne de production de plaquettes SiC

Fig. 2 Chaîne de production de plaquettes de SiC

1. Marché des plaquettes de SiC dans la communication 5G

Pour la communication 5G, le GaN-sur-SiC est principalement utilisé dans le domaine des radiofréquences, principalement en raison de la conductivité thermique élevée et de la faible perte RF du substrat SiC, qui convient aux stations de base macro à haute puissance. Selon Yole, on s'attend à ce que le marché des dispositifs de radiofréquence GaN dans les infrastructures de communication atteigne 731 millions de dollars américains en 2025, et le taux de croissance composé de 2019 à 2025 atteindra 14,88 %. La taille globale du marché atteindra 2 milliards de dollars américains en 2025, et le taux de croissance composé de 2019 à 2025 atteindra 12 %. Par conséquent, la demande du marché des plaquettes de SiC continue d'augmenter. En savoir plus sur le marché mondial des plaquettes de SiC, en particulier du point de vue des nouvelles énergies :

2. La nouvelle énergie stimule le développement du marché des plaquettes de carbure de silicium

2.1 Dispositifs de puissance SiC pour les véhicules à énergie nouvelle

Il y aura une croissance de la part de marché des tranches de SiC dans le domaine des nouvelles énergies. Nous pouvons voir sur la figure 3 que le nouveau véhicule énergétique se développe rapidement, ce qui entraîne l'expansion rapide de la demande du marché des semi-conducteurs de puissance, et le dispositif de puissance fabriqué à partir d'un substrat en carbure de silicium 4H peut offrir de grandes opportunités.

Taux de croissance futur des véhicules à énergie nouvelle

Fig. 3-1 Taux de croissance futur des véhicules à énergie nouvelle

Composants pour applications de véhicules électriques

Fig.3-2 Composants pour les applications de véhicules électriques

Dans les conditions du même niveau de puissance, l'utilisation de dispositifs sur substrat SiC monocristallin peut réduire le volume des entraînements électriques et des commandes électroniques pour répondre aux besoins d'une densité de puissance plus élevée et d'une conception plus compacte, permettant aux véhicules électriques d'avoir une autonomie plus longue .

2.2 Génération photovoltaïque basée sur un dispositif d'alimentation SiC

À l'avenir, la production d'énergie photovoltaïque sera la principale direction du développement mondial des nouvelles énergies, et la capacité nouvellement installée continuera d'augmenter. Les onduleurs sont un élément indispensable de l'énergie photovoltaïque et sont l'une des clés de la pénétration efficace et rapide de la production d'énergie photovoltaïque. Les onduleurs photovoltaïques utilisant des SiC-MOSFET ou des modules de puissance combinés avec des SiC-MOSFET et des SiC-SBD peuvent augmenter le rendement de conversion de 96 % à plus de 99 %, ce qui entraîne une réduction des pertes d'énergie de plus de 50 %.

Prévision de la promotion des dispositifs SiC dans les dispositifs photovoltaïques

Fig. 4 Prévision de la promotion des dispositifs SiC dans les dispositifs photovoltaïques

Au total, avec la miniaturisation des dispositifs et les exigences d'amélioration de l'efficacité, les dispositifs électroniques de puissance constitués de semi-conducteurs composés peuvent couvrir des domaines de haute puissance, de haute fréquence et de contrôle total. En conséquence, l'émergence du substrat de carbure de silicium est conforme à la tendance de l'amélioration future de l'efficacité énergétique. À l'avenir, la taille du marché des plaquettes de carbure de silicium continuera de croître dans les domaines de l'alimentation PFC, du photovoltaïque, des véhicules électriques et hybrides purs, des alimentations sans coupure (UPS), des entraînements de moteur, de la production d'énergie éolienne et du transport ferroviaire. Par conséquent, les vendeurs du marché des plaquettes de SiC, y comprisPAM-XIAMEN, devrait accroître les investissements dans les capacités de production pour répondre à la demande future.

Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail à [email protected] et [email protected].

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