SiC Wafer Substrate
La société dispose d'une ligne complète de production de substrats de plaquettes SiC (carbure de silicium) intégrant la croissance cristalline, le traitement des cristaux, le traitement des plaquettes, le polissage, le nettoyage et les tests. Aujourd'hui, nous fournissons des plaquettes SiC commerciales 4H et 6H avec semi-isolation et conductivité dans l'axe ou hors axe, tailles disponibles : 5x5 mm2, 10x10 mm2, 2", 3", 4", 6" et 8", révolutionnaires dans des technologies clés telles que la suppression des défauts, le traitement des germes de cristal et la croissance rapide, favorisant la recherche et le développement fondamentaux liés à l'épitaxie du carbure de silicium, aux dispositifs, etc.
- Description
Description
PAM-XIAMEN propose des semi-conducteursSubstrat de plaquette SiC,SiC 6Het4H SiC (carbure de silicium)dans différents niveaux de qualité pour les chercheurs et les fabricants industriels. Nous avons développéCroissance de cristaux de SiC la technologie etPlaquette de cristal SiCtechnologie de traitement, a établi une ligne de production pour fabriquer un substrat SiC, qui est appliqué dans les dispositifs d'épitaxie GaN (par exemple, repousse AlN/GaN HEMT), les dispositifs électriques, les dispositifs à haute température et les dispositifs optoélectroniques. En tant que société professionnelle de plaquettes de carbure de silicium investie par les principaux fabricants des domaines de la recherche sur les matériaux avancés et de haute technologie, des instituts d'État et du laboratoire de semi-conducteurs de Chine, nous nous engageons à améliorer continuellement la qualité des substrats SiC actuels et à développer des substrats de grande taille.
Voici les spécifications détaillées :
1. Spécifications des plaquettes SiC
1.1 Spécifications de la plaquette SiC 8″
|
Substrat SiC de type N de 8 pouces |
|||
| Article | Une note | Classe B | Classe C |
| Diamètre | 200 ± 0,2 mm | ||
| Épaisseur | 500±25μm | ||
| Polytype | 4H | ||
| Orientation des surfaces | 4°vers <11-20>±0.5º | ||
| Dopant | n type Azote | ||
| Orientation de l'encoche | [1-100]±5° | ||
| Profondeur d'encoche | 1~1.5mm | ||
| Résistivité | 0,015~0,025 ohm·cm | 0,01 ~ 0,03 ohm·cm | N / A |
| LTV | ≤5μm(10mm*10mm) | ≤10μm(10mm*10mm) | ≤15μm(10mm*10mm) |
| TTV | ≤10μm | ≤15μm | ≤20μm |
| ARC | -25μm~25μm | -45μm~45μm | -65μm~65μm |
| Chaîne | ≤35μm | ≤50μm | ≤70μm |
| Densité de microtuyaux | ≤2ea/cm2 | ≤10ea/cm2 | ≤50ea/cm2 |
| Teneur en métal | ≤1E11 atomes/cm2 | ≤1E11 atomes/cm2 | N / A |
| DNT | ≤500ea/cm2 | ≤1000ea/cm2 | N / A |
| TPL | ≤2000ea/cm2 | ≤5000ea/cm2 | N / A |
| TED | ≤7000ea/cm2 | ≤10000ea/cm2 | N / A |
| Rugosité de surface (Si-face) | Ra≤0.2nm | Ra≤0.2nm | Ra≤0.2nm |
| Surface avant finie | Si-face CMP | ||
| Particule | ≤100(taille≥0.3μm) | N / A | N / A |
| Rayures | ≤5,Longueur totale≤Diamètre | N / A | N / A |
| Éclats de bord/empreintes/fissures/taches/ contamination |
Aucun | Aucun | N / A |
| Zones de polytype | Aucun | ≤20% (zone cumulée) | ≤30% (zone cumulée) |
| Marquage avant | Aucun | ||
| Surface arrière finie | C-face polie | ||
| Rayures | N / A | N / A | N / A |
| Défauts arrière, éclats/empreintes de bord | Aucun | Aucun | N / A |
| Rugosité du dos | Ra≤5nm | Ra≤5nm | Ra≤5nm |
| Marquage arrière | Encoche (côté droit) | ||
| Bord | Chanfreiner | Chanfreiner | Chanfreiner |
| Emballage | Epi-ready avec emballage sous vide ; Conditionnement en cassette multi-wafers ou mono-wafers | ||
Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD.
1.2 Substrat SiC Ultra-Prime de 200 mm
| Article | Plaquette SiC de type N de 200 mm, DSP |
| Grade | Qualité Ultra Prime |
| Diamètre | 200 ± 0,2 mm |
| Épaisseur | 350±25um |
| Polytype | 4H |
| Dopant | Azote de type N |
| Orientation | 4° vers <11-20>±0,15° |
| Orientation de l'encoche | {1-100}±5° |
| Profondeur d'encoche | 1~1.5mm |
| Résitivité | 0,015~0,025Ω·cm |
| LTV | ≤3μm(10*10mm) |
| TTV | ≤7μm |
| Arc | -20~20um |
| Chaîne | ≤30μm |
| Rugosité du visage Si | Ra≤0.2nm |
| MPD | <0,2 unité/cm2 |
| Impuretés métalliques | ≤1E11 atomes/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) |
| DNT | ≤200 unités/cm2 |
| TPL | ≤1000ea/cm2 |
| TED | ≤3000 unités/cm2 |
| Qualité avant | |
| Face avant | Si |
| Surface finie | Si-face CMP |
| Particules | ≤100ea/gaufrette (taille≥0,3um) |
| Rayures | ≤5ea/nm, longueur totale≤diamètre |
| Écailles/empreintes/fissures/taches/contamination des bords | Aucun |
| Zones polytypes | Aucun |
| Marquage laser frontal | Aucun |
| Qualité du dos | |
| Finition arrière | C-face polie |
| Rayures | N / A |
| Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun |
| Rugosité du dos | Ra≤5nm |
| Marquage laser au dos | Encoche à droite |
| Bord | Chanfreiner |
| Emballer | Epi-ready avec emballage sous vide, cassette multi-wafer/single-wafer |
1.3 Substrat SiC Ultra-Prime de 150 mm
| Article | Plaquette SiC de type N de 150 mm, DSP |
| Grade | Qualité Ultra Prime |
| Diamètre | 150 ± 0,2 mm |
| Épaisseur | 350±25um |
| Polytype | 4H |
| Dopant | Azote de type N |
| Orientation | 4° vers <11-20>±0,15° |
| Orientation principale à plat | {1-100}±5° |
| Longueur plate principale | 47,5 ± 1,5 mm |
| Appartement Secondaire | Aucun |
| Résitivité | 0,016~0,024Ω·cm |
| LTV | ≤2μm(10*10mm) |
| TTV | ≤5μm |
| Arc | -15~15um |
| Chaîne | ≤20μm |
| Rugosité du visage Si | Ra≤0,2nm(5*5um) |
| MPD | <0,15 unité/cm2 |
| Impuretés métalliques | ≤5E10 atomes/cm2 |
| TPL | ≤600 unités/cm2 |
| DNT | ≤100 unités/cm2 |
| Qualité avant | |
| Face avant | Si |
| Surface finie | Si-face CMP |
| Particules | ≤60ea/gaufrette (taille≥0,3um) |
| Rayures | ≤2ea/nm, longueur totale≤1/2*diamètre |
| Peau d'orange/piqûres/fissures/contamination/taches/striations | Aucun |
| Copeaux de bord/empreintes/fracture | Aucun |
| Zones polytypes | Aucun |
| Marquage laser frontal | Aucun |
| Qualité du dos | |
| Finition arrière | C-face polie |
| Rayures | ≤5ea/nm, longueur totale≤diamètre |
| Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun |
| Rugosité du dos | Ra≤0,2nm(5*5um) |
| Marquage laser au dos | 1 mm du bord supérieur |
| Bord | Chanfreiner |
| Emballer | Epi-ready avec emballage sous vide, cassette multi-wafer/single-wafer |
1.4 4H SIC, TYPE N, SPÉCIFICATIONS DE PLAQUETTE 6″
| PROPRIÉTÉ DU SUBSTRAT | S4H-150-N-PWAM-350 S4H-150-N-PWAM-500 | |
| Description | Substrat SiC factice de qualité 4H de qualité de production A/B C/D de qualité de recherche D | |
| Polytype | 4H | 4H |
| Diamètre | (150 ± 0,5) mm | (150 ± 0,5) mm |
| Épaisseur | (350 ± 25) μm (500 ± 25) μm | |
| Type de transporteur | type n | type n |
| Dopant | type n | type n |
| Résistivité (RT) | (0,015 – 0,028)Ω·cm | (0,015 – 0,028)Ω·cm |
| Rugosité de surface | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready) ; <1 nm (polissage optique face C) | |
| FWHM | A<30 secondes d'arc B/C/D <50 secondes d'arc | |
| Densité de microtuyaux | A≤0,5 cm-2 B≤2 cm-2 C≤15 cm-2 D≤50 cm-2 | |
| TTV | ＜15μm | ＜15μm |
| Arc | ＜ 40 μm | ＜ 40 μm |
| Chaîne | ＜60 μm | ＜60 μm |
| Orientation des surfaces | ||
| Hors axe | 4° vers <11-20>± 0,5° | 4° vers <11-20>± 0,5° |
| Orientation principale à plat | <11-20>±5,0° | <11-20>±5,0° |
| Longueur à plat primaire | 47,50 mm ± 2,00 mm | 47,50 mm ± 2,00 mm |
| Appartement secondaire | Aucun | Aucun |
| Finition de surface | Double face polie | Double face polie |
| Emballage | Boîte à plaquettes simples ou boîte à plaquettes multiples | Boîte à plaquettes simples ou boîte à plaquettes multiples |
| Fissures par liste de haute intensité | Aucun(AB) | Longueur cumulée ≤ 20 mm, longueur unique ≤ 2 mm (CD) |
| Plaques hexagonales par lumière haute intensité | Superficie cumulée≤0,05 % (AB) | Superficie cumulée≤0,1 % (CD) |
| Zones polytypes par lumière de haute intensité | Aucun(AB) | Superficie cumulée≤3 % (CD) |
| Inclusions visuelles de carbone | Superficie cumulée≤0,05 % (AB) | Superficie cumulée≤3 % (CD) |
| Rayures causées par une lumière de haute intensité | Aucun(AB) | Longueur cumulée≤1 x diamètre de la plaquette (CD) |
| Puce de bord | Aucun(AB) | 5 autorisés, ≤1 mm chacun (CD) |
| Contamination par une lumière de haute intensité | Aucun | – |
| Surface utilisable | ≥ 90 % | – |
| Exclusion de bord | 3mm | 3mm |
1,5 4H SIC, SEMI-ISOLANT DE HAUTE PURETÉ (HPSI), SPÉCIFICATIONS DE PLAQUETTE 6″
4H SIC, SEMI-ISOLANT DOPÉ V, SPÉCIFICATIONS WAFER 6″
| PROPRIÉTÉ DU SUBSTRAT | S4H-150-SI-PWAM-500 | ||
| Description | A : qualité de production, B : qualité de recherche, C : substrat SiC 4H de qualité factice | ||
| Polytype | 4H | ||
| Diamètre | 150 ± 0,2 mm | ||
| Épaisseur | 500 ± 25μm | ||
| Type de transporteur | Semi-isolant | ||
| Dopant | V dopé | ||
| Orientation des surfaces | |||
| Sur l'axe | <0001> | ||
| Hors axe | 0 ± 0,25 ° | ||
| Orientation | [1-100] ± 5,0 ° | ||
| Profondeur d'encoche | 1 ~ 1,25 mm | ||
| Résistivité (RT) | R: ≥1e8ohm.cm | B: 100% zone> 1e5ohm.cm | C: 50% de zone> 1e5ohm.cm |
| Rugosité de surface | ≤0,2 nm (5*5um, Si-face CMP Epi-ready) ; <1 nm (polissage optique face C) | ||
| FWHM | A: ≤45 arcsec | B: ≤arcsec | C: ≤100arcsec |
| Densité de microtuyaux | R: ≤ 1 ea / cm2 | B: ≤5 ea / cm2 | C: ≤10 ea / cm2 |
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| Arc | -25μm~25μm | -35 μm ~ 35 μm | -45μm~45μm |
| Chaîne | ≤35μm | ≤45μm | ≤55 μm |
| Vide hexagonal | Aucun | N / A | |
| Densité d'inclusion du carbone | ≤1 ea / cm2 | N / A | |
| Particules | ≤60 ea / plaquette (taille 0,3UM） | N / A | |
| Rayures | ≤5, longueur totale≤diamètre | Longueur totale≤2 * diamètre | N / A |
| Impuretés métalliques | ≤5e12 atomes / cm2 | ≤5e12 atomes / cm2 | N / A |
| Finition de surface | Si-face CMP | ||
| Emballage | Boîte à plaquettes simples ou boîte à plaquettes multiples | ||
1.6 4H SIC, TYPE N, SPÉCIFICATIONS DE PLAQUETTE 4″
| PROPRIÉTÉ DU SUBSTRAT | S4H-100-N-PWAM-350 S4H-100-N-PWAM-500 | |
| Description | Substrat SiC factice de qualité 4H de qualité de production A/B C/D de qualité de recherche D | |
| Polytype | 4H | 4H |
| Diamètre | (100 ± 0,5) mm | (100 ± 0,5) mm |
| Épaisseur | (350 ± 25) μm (500 ± 25) μm | |
| Type de transporteur | type n | type n |
| Dopant | Azote | Azote |
| Résistivité (RT) | (0,015 – 0,028)Ω·cm | (0,015 – 0,028)Ω·cm |
| Rugosité de surface | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready) ; <1 nm (polissage optique face C) | |
| FWHM | A<30 secondes d'arc B/C/D <50 secondes d'arc | |
| Densité de microtuyaux | A≤0,5 cm-2 B≤2 cm-2 C≤15 cm-2 D≤50 cm-2 | |
| TTV | ＜10 μm | ＜10 μm |
| Arc | ＜ 25 μm | ＜ 25 μm |
| Chaîne | ＜45μm | ＜45μm |
| Orientation des surfaces | ||
| Sur l'axe | <0001>± 0,5° | <0001>± 0,5° |
| Hors axe | 4°ou 8° vers <11-20>± 0,5° | 4°ou 8° vers <11-20>± 0,5° |
| Orientation principale à plat | <11-20>±5,0° | <11-20>±5,0° |
| Longueur à plat primaire | 32,50 mm ± 2,00 mm | 32,50 mm ± 2,00 mm |
| Orientation plate secondaire | Face Si : 90° CW. à partir du plan d'orientation ± 5°- | |
| Face C : 90 ° ccw. à partir du plan d'orientation ± 5°- | ||
| Longueur à plat secondaire | 18,00 ± 2,00 mm | 18,00 ± 2,00 mm |
| Finition de surface | Double face polie | Double face polie |
| Emballage | Boîte à plaquettes simples ou boîte à plaquettes multiples | Boîte à plaquettes simples ou boîte à plaquettes multiples |
| Fissures par liste de haute intensité | Aucun(AB) | Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unique ≤ 2 mm (CD) |
| Plaques hexagonales par lumière haute intensité | Superficie cumulée≤0,05 % (AB) | Superficie cumulée≤0,1 % (CD) |
| Zones polytypes par lumière de haute intensité | Aucun(AB) | Superficie cumulée≤3 % (CD) |
| Inclusions visuelles de carbone | Superficie cumulée≤0,05 % (AB) | Superficie cumulée≤3 % (CD) |
| Rayures causées par une lumière de haute intensité | Aucun(AB) | Longueur cumulée≤1 x diamètre de la plaquette (CD) |
| Puce de bord | Aucun(AB) | 5 autorisés, ≤1 mm chacun (CD) |
| Contamination par une lumière de haute intensité | Aucun | – |
| Surface utilisable | ≥ 90 % | – |
| Exclusion de bord | 2 mm | 2 mm |
1.7 4H SIC, SEMI-ISOLANT DE HAUTE PURETÉ (HPSI), SPÉCIFICATION DE PLAQUETTE 4″
4H SIC, SEMI-ISOLANT DOPÉ V, SPÉCIFICATIONS WAFER 4″
| PROPRIÉTÉ DU SUBSTRAT | S4H-100-SI-PWAM-350 S4H-100-SI-PWAM-500 | |
| Description | Substrat SiC factice de qualité 4H de qualité de production A/B C/D de qualité de recherche D | |
| Polytype | 4H | 4H |
| Diamètre | (100 ± 0,5) mm | (100 ± 0,5) mm |
| Épaisseur | (350 ± 25) μm (500 ± 25) μm | |
| Type de transporteur | Semi-isolant | Semi-isolant |
| Dopant | V dopé | V dopé |
| Résistivité (RT) | >1E7 Ω·cm | >1E7 Ω·cm |
| Rugosité de surface | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready) ; <1 nm (polissage optique face C) | |
| FWHM | A<30 secondes d'arc B/C/D <50 secondes d'arc | |
| Densité de microtuyaux | A≤1 cm-2 B≤5 cm-2 C≤30 cm-2 D≤50 cm-2 | |
| TTV | ＜10 μm | ＜10 μm |
| Arc | ＜ 25 μm | ＜ 25 μm |
| Chaîne | ＜45μm | ＜45μm |
| Orientation des surfaces | ||
| Sur l'axe | <0001>± 0,5° | <0001>± 0,5° |
| Hors axe | Aucun | Aucun |
| Orientation principale à plat | <11-20>±5,0° | <11-20>±5,0° |
| Longueur à plat primaire | 32,50 mm ± 2,00 mm | 32,50 mm ± 2,00 mm |
| Orientation plate secondaire | Face Si : 90° CW. à partir du plan d'orientation ± 5°- | |
| Face C : 90 ° ccw. à partir du plan d'orientation ± 5°- | ||
| Longueur à plat secondaire | 18,00 ± 2,00 mm | 18,00 ± 2,00 mm |
| Finition de surface | Double face polie | Double face polie |
| Emballage | Boîte à plaquettes simples ou boîte à plaquettes multiples | Boîte à plaquettes simples ou boîte à plaquettes multiples |
| Fissures par liste de haute intensité | Aucun(AB) | Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unique ≤ 2 mm (CD) |
| Plaques hexagonales par lumière haute intensité | Superficie cumulée≤0,05 % (AB) | Superficie cumulée≤0,1 % (CD) |
| Zones polytypes par lumière de haute intensité | Aucun(AB) | Superficie cumulée≤3 % (CD) |
| Inclusions visuelles de carbone | Superficie cumulée≤0,05 % (AB) | Superficie cumulée≤3 % (CD) |
| Rayures causées par une lumière de haute intensité | Aucun(AB) | Longueur cumulée≤1 x diamètre de la plaquette (CD) |
| Puce de bord | Aucun(AB) | 5 autorisés, ≤1 mm chacun (CD) |
| Contamination par une lumière de haute intensité | Aucun | – |
| Surface utilisable | ≥ 90 % | – |
| Exclusion de bord | 2 mm | 2 mm |
SIC DE TYPE N 1,8 4H, SPÉCIFICATIONS DE PLAQUETTE 3″ (76,2 mm)
| PROPRIÉTÉ DU SUBSTRAT | S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| Description | Substrat SiC factice de qualité 4H de qualité de production A/B C/D de qualité de recherche D |
| Polytype | 4H |
| Diamètre | (76,2 ± 0,38) mm |
| Épaisseur | (350 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| Type de transporteur | type n |
| Dopant | Azote |
| Résistivité (RT) | 0,015 – 0,028Ω·cm |
| Rugosité de surface | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready) ; <1 nm (polissage optique face C) |
| FWHM | A<30 secondes d'arc B/C/D <50 secondes d'arc |
| Densité de microtuyaux | A≤0,5 cm-2 B≤2 cm-2 C≤15 cm-2 D≤50 cm-2 |
| TTV/Arc/Warp | ＜25μm |
| Orientation des surfaces | |
| Sur l'axe | <0001>± 0,5° |
| Hors axe | 4°ou 8° vers <11-20>± 0,5° |
| Orientation principale à plat | <11-20>±5,0° |
| Longueur à plat primaire | 22,22 mm ± 3,17 mm |
| 0,875″±0,125″ | |
| Orientation plate secondaire | Face Si : 90° CW. par rapport à l'orientation à plat ± 5° |
| Face C : 90 ° ccw. par rapport à l'orientation à plat ± 5° | |
| Longueur à plat secondaire | 11,00 ± 1,70 mm |
| Finition de surface | Simple ou double face polie |
| Emballage | Boîte à plaquettes simples ou boîte à plaquettes multiples |
| Se gratter | Aucun |
| Surface utilisable | ≥ 90 % |
| Exclusion de bord | 2 mm |
| Copeaux de bordure par éclairage diffus (max) | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Fissures causées par une lumière de haute intensité | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Surface cumulée des inclusions de carbone visuelles | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Rayures causées par une lumière de haute intensité | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Contamination par une lumière de haute intensité | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
1,9 4H SIC SEMI-ISOLANT, SPÉCIFICATIONS DE PLAQUETTE 3″ (76,2 mm)
(Un substrat SiC semi-isolant de haute pureté (HPSI) est disponible)
| PROPRIÉTÉ UBSTRATE | S4H-76-N-PWAM-330 S4H-76-N-PWAM-430 |
| Description | Substrat SiC factice de qualité 4H de qualité de production A/B C/D de qualité de recherche D |
| Polytype | 4H |
| Diamètre | (76,2 ± 0,38) mm |
| Épaisseur | (350 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| Type de transporteur | semi-isolant |
| Dopant | V dopé |
| Résistivité (RT) | >1E7 Ω·cm |
| Rugosité de surface | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready) ; <1 nm (polissage optique face C) |
| FWHM | A<30 secondes d'arc B/C/D <50 secondes d'arc |
| Densité de microtuyaux | A≤1 cm-2 B≤5 cm-2 C≤30 cm-2 D≤50 cm-2 |
| TTV/Arc/Warp | ＜25μm |
| Orientation des surfaces | |
| Sur l'axe | <0001>± 0,5° |
| Hors axe | 4°ou 8° vers <11-20>± 0,5° |
| Orientation principale à plat | <11-20>±5,0° |
| Longueur à plat primaire | 22,22 mm ± 3,17 mm |
| 0,875″±0,125″ | |
| Orientation plate secondaire | Face Si : 90° CW. par rapport à l'orientation à plat ± 5° |
| Face C : 90 ° ccw. par rapport à l'orientation à plat ± 5° | |
| Longueur à plat secondaire | 11,00 ± 1,70 mm |
| Finition de surface | Simple ou double face polie |
| Emballage | Boîte à plaquettes simples ou boîte à plaquettes multiples |
| Se gratter | Aucun |
| Surface utilisable | ≥ 90 % |
| Exclusion de bord | 2 mm |
| Copeaux de bordure par éclairage diffus (max) | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Fissures causées par une lumière de haute intensité | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Surface cumulée des inclusions de carbone visuelles | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Rayures causées par une lumière de haute intensité | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Contamination par une lumière de haute intensité | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
1.10 SIC DE TYPE N 4H, SPÉCIFICATIONS DE PLAQUETTE 2″ (50,8 mm)
| PROPRIÉTÉ DU SUBSTRAT | S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430 |
| Description | Substrat SiC factice de qualité 4H de qualité de production A/B C/D de qualité de recherche D |
| Polytype | 4H |
| Diamètre | (50,8 ± 0,38) mm |
| Épaisseur | (250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| Type de transporteur | type n |
| Dopant | Azote |
| Résistivité (RT) | 0,012 – 0,0028 Ω·cm |
| Rugosité de surface | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready) ; <1 nm (polissage optique face C) |
| FWHM | A<30 secondes d'arc B/C/D <50 secondes d'arc |
| Densité de microtuyaux | A≤0,5 cm-2 B≤2 cm-2 C≤15 cm-2 D≤50 cm-2 |
| Orientation des surfaces | |
| Sur l'axe | <0001>± 0,5° |
| Hors axe | 4°ou 8° vers <11-20>± 0,5° |
| Orientation principale à plat | Parallèle {1-100} ± 5° |
| Longueur à plat primaire | 16,00 ± 1,70) mm |
| Orientation plate secondaire | Face Si : 90° CW. par rapport à l'orientation à plat ± 5° |
| Face C : 90 ° ccw. par rapport à l'orientation à plat ± 5° | |
| Longueur à plat secondaire | 8,00 ± 1,70 mm |
| Finition de surface | Simple ou double face polie |
| Emballage | Boîte à plaquettes simples ou boîte à plaquettes multiples |
| Surface utilisable | ≥ 90 % |
| Exclusion de bord | 1 mm |
| Copeaux de bordure par éclairage diffus (max) | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Fissures causées par une lumière de haute intensité | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Surface cumulée des inclusions de carbone visuelles | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Rayures causées par une lumière de haute intensité | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Contamination par une lumière de haute intensité | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
1.11 SPÉCIFICATIONS SIC SEMI-ISOLANT 4H, 2″ (50,8 mm) WAFER
(Un substrat SiC semi-isolant de haute pureté (HPSI) est disponible)
| PROPRIÉTÉ DU SUBSTRAT | S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430 |
| Description | Substrat SEMI factice de qualité 4H de qualité de production A/B C/D de qualité de recherche D |
| Polytype | 4H |
| Diamètre | (50,8 ± 0,38) mm |
| Épaisseur | (250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| Résistivité (RT) | >1E7 Ω·cm |
| Rugosité de surface | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready) ; <1 nm (polissage optique face C) |
| FWHM | A<30 secondes d'arc B/C/D <50 secondes d'arc |
| Densité de microtuyaux | A≤1 cm-2 B≤5 cm-2 C≤30 cm-2 D≤50 cm-2 |
| Orientation des surfaces | |
| Sur axe <0001>± 0,5° | |
| Hors axe 3,5° vers <11-20>± 0,5° | |
| Orientation principale à plat | Parallèle {1-100} ± 5° |
| Longueur à plat primaire | 16,00 ± 1,70 mm |
| Orientation plate secondaire Face Si : 90° cw. par rapport à l'orientation à plat ± 5° | |
| Face C : 90 ° ccw. par rapport à l'orientation à plat ± 5° | |
| Longueur à plat secondaire | 8,00 ± 1,70 mm |
| Finition de surface | Simple ou double face polie |
| Emballage | Boîte à plaquettes simples ou boîte à plaquettes multiples |
| Surface utilisable | ≥ 90 % |
| Exclusion de bord | 1 mm |
| Copeaux de bordure par éclairage diffus (max) | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Fissures causées par une lumière de haute intensité | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Surface cumulée des inclusions de carbone visuelles | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Rayures causées par une lumière de haute intensité | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Contamination par une lumière de haute intensité | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
1.12 SIC DE TYPE N 6H, SPÉCIFICATIONS DE TRANCHE 2″ (50,8 mm)
| PROPRIÉTÉ DU SUBSTRAT | S6H-51-N-PWAM-250 S6H-51-N-PWAM-330 S6H-51-N-PWAM-430 |
| Description | Substrat SiC factice de qualité 6H de qualité de production A/B C/D de qualité de recherche D |
| Polytype | 6H |
| Diamètre | (50,8 ± 0,38) mm |
| Épaisseur | (250 ± 25) μm (330 ± 25) μm (430 ± 25) μm |
| Type de transporteur | type n |
| Dopant | Azote |
| Résistivité (RT) | 0,02 ~ 0,1 Ω·cm |
| Rugosité de surface | < 0,5 nm (Si-face CMP Epi-ready) ; <1 nm (polissage optique face C) |
| FWHM | A<30 secondes d'arc B/C/D <50 secondes d'arc |
| Densité de microtuyaux | A≤0,5 cm-2 B≤2 cm-2 C≤15 cm-2 D≤50 cm-2 |
| Orientation des surfaces | |
| Sur l'axe | <0001>± 0,5° |
| Hors axe | 3,5° vers <11-20>± 0,5° |
| Orientation principale à plat | Parallèle {1-100} ± 5° |
| Longueur à plat primaire | 16,00 ± 1,70 mm |
| Orientation plate secondaire | Face Si : 90° CW. par rapport à l'orientation à plat ± 5° |
| Face C : 90 ° ccw. par rapport à l'orientation à plat ± 5° | |
| Longueur à plat secondaire | 8,00 ± 1,70 mm |
| Finition de surface | Simple ou double face polie |
| Emballage | Boîte à plaquettes simples ou boîte à plaquettes multiples |
| Surface utilisable | ≥ 90 % |
| Exclusion de bord | 1 mm |
| Copeaux de bordure par éclairage diffus (max) | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Fissures causées par une lumière de haute intensité | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Surface cumulée des inclusions de carbone visuelles | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Rayures causées par une lumière de haute intensité | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
| Contamination par une lumière de haute intensité | Veuillez consulter notre équipe d'ingénieurs |
1.13 12 inch SiC Substrate Wafer
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12 inch (300mm) 4H-SiC Substrate Specification (PAM07282026) |
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| Paramètre | Évaluer |
| Diamètre | 300.0±0.5mm |
| Épaisseur | 700±50μm |
| Polytype | 4H |
| Dopant | n-type Nitrogen |
| Surface orientation | N / A |
| Notch orientation | <1-100>±5° |
| Profondeur d'encoche | 1-1.25mm |
| Résistivité | N / A |
| TTV | N / A |
| Arc | N / A |
| Chaîne | N / A |
| Micropipe density | N / A |
| Visible carbon inclusions | N / A |
| Impuretés métalliques | N / A |
| DNT | N / A |
| TPL | N / A |
| TED | N / A |
| SF(2mm*2mm) | N / A |
| Total usable area(2mm*2mm) | N / A |
| Front side quality | |
| Front | Si |
| Finition de surface | Si-face CMP |
| Particules | N / A |
| Rayures | N / A |
| Orange peel/pits/stains/striations/cracks/contamination/pinholes | N / A |
| Edge chips/indents | N / A |
| Zones polytypes | N / A |
| Front Roughness | N / A |
| Marquage laser frontal | Aucun |
| Back side quality | |
| Finition arrière | C-face polie |
| Rayures | N / A |
| Edge chips/indents | N / A |
| Rugosité du dos | N / A |
| Marquage laser au dos | Directly above the notch |
| Bord | Chanfreiner |
| Emballage | Multi/single-wafer cassette with Nitrogen filled or vacuum, epi-ready |
Note: “NA” means no requirements.
1.14 SiC Seed Crystal Wafer:
| Article | Taille | Taper | Orientation | Épaisseur | MPD | État de polissage |
| N°1 | 105mm | 4H, type N | C(0001)4deg.off | 500+/-50um | <=1/cm-2 | – |
| N°2 | 153mm | 4H, type N | C(0001)4deg.off | 350+/-50um | <=1/cm-2 | – |
Type N 4H ou SIC semi-isolant, 5 mm * 5 mm, 10 mm * 10 mm SPÉCIFICATIONS DE LA PLAQUETTE : Épaisseur : 330 μm/430 μm
Type N 4H ou SIC semi-isolant, 15 mm * 15 mm, 20 mm * 20 mm SPÉCIFICATIONS DE LA PLAQUETTE : Épaisseur : 330 μm/430 μm
Plaquette SiC plan a, taille : 40 mm * 10 mm, 30 mm * 10 mm, 20 mm * 10 mm, 10 mm * 10 mm, spécifications ci-dessous :
Type 6H/4H N Épaisseur : 330 μm/430 μm ou personnalisé
Épaisseur semi-isolante 6H/4H : 330 μm/430 μm ou personnalisée
1.15 SILICON CARBIDE MATERIAL PROPERTIES
| PROPRIÉTÉS DU MATÉRIAU EN CARBURE DE SILICIUM | ||
| Polytype | Monocristal 4H | Monocristal 6H |
| Paramètres de réseau | a = 3,076 Å | a = 3,073 Å |
| c = 10,053 Å | c = 15,117 Å | |
| Séquence d'empilement | ABCB | ABCACB |
| Bande interdite | 3,26 eV | 3,03 eV |
| Densité | 3,21 · 103 kg/m3 | 3,21 · 103 kg/m3 |
| Thermie. Coefficient de dilatation | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Indice de réfraction | non = 2,719 | non = 2,707 |
| ne = 2,777 | ne = 2,755 | |
| Constante diélectrique | 9.6 | 9.66 |
| Conductivité thermique | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Champ électrique de panne | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Vitesse de dérive de saturation | 2,0 · 105 m/s | 2,0 · 105 m/s |
| Mobilité électronique | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| trou Mobilité | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Dureté de Mohs | ~9 | ~9 |
2. À propos de la plaquette SiC
Les plaquettes de carbure de silicium possèdent d'excellentes propriétés thermodynamiques et électrochimiques.
En termes de thermodynamique, la dureté du carbure de silicium atteint 9,2-9,3 sur le Mohs à 20°C. C’est l’un des matériaux les plus durs et peut être utilisé pour tailler des rubis. La conductivité thermique de la plaquette de SiC dépasse celle du cuivre, qui est 3 fois celle du Si et 8 à 10 fois celle du GaAs. Et la stabilité thermique des plaquettes de SiC est élevée, il est impossible de les fondre sous une pression normale.
En termes d'électrochimie, la plaquette nue en carbure de silicium présente les caractéristiques d'une large bande interdite et d'une résistance au claquage. La bande interdite de la tranche de substrat SiC est 3 fois supérieure à celle du Si, le champ électrique de claquage est 10 fois supérieur à celui du Si et sa résistance à la corrosion est extrêmement forte.
Par conséquent, les SBD et MOSFET basés sur SiC sont plus adaptés au travail dans des environnements à haute fréquence, haute température, haute tension, haute puissance et résistants aux rayonnements. Dans des conditions de même niveau de puissance, les dispositifs SiC peuvent être utilisés pour réduire le volume des entraînements électriques et des commandes électroniques, répondant ainsi aux besoins d'une densité de puissance plus élevée et d'une conception compacte. D'une part, la technologie de fabrication de plaquettes de substrat en carbure de silicium est mature et le coût des plaquettes de SiC est actuellement compétitif. En revanche, la tendance à l’intelligence et à l’électrification continue d’évoluer. Les voitures traditionnelles ont généré une énorme demande de semi-conducteurs de puissance SiC. Ainsi, le marché mondial des plaquettes SiC connaît une croissance rapide.
3. Questions et réponses sur la plaquette SiC
3.1 Quelle est la barrière de la plaquette de SiC qui devient une application aussi large que celle de la plaquette de silicium ?
1. En raison de la stabilité physique et chimique du SiC, la croissance cristalline du SiC est extrêmement difficile, ce qui entrave sérieusement le développement de dispositifs semi-conducteurs SiC et de leurs applications électroniques.
2. Puisqu'il existe de nombreux types de structures SiC avec différentes séquences d'empilement (également connues sous le nom de polymorphisme), la croissance du cristal SiC de qualité électronique est entravée. Les polymorphes du SiC, tels que le SiC 3C, le SiC 4H et le SiC 6h.
3.2 Quel type de plaquette SiC proposez-vous ?
Ce dont vous avez besoin appartient à la phase cubique, il existe la phase cubique (c), hexagonale (H) et rhombique (R). ce que nous avons est hexagonal, comme 4H et 6h, C est cubique, comme le carbure de silicium 3C.
4. Veuillez consulter le sous-catalogue ci-dessous :
4HN Type SiC
SiC semi-isolant 4H
Lingots SiC
Plaquettes rodées
Plaquette de polissage
Plaquettes SiC 200 mm (8 pouces)
PAM-XIAMEN propose un substrat SiC semi-isolant de haute pureté
SiC (carbure de silicium) Boule Cristal
Plaquette HPSI SiC pour la croissance du graphène
Substrat épais en carbure de silicium
Pourquoi avons-nous besoin d'une plaquette SiC semi-isolante de haute pureté ?
Propriétés phononiques de la plaquette de SiC
Pourquoi la plaquette SiC affiche-t-elle une couleur différente ?
