plaquette SiC

PAM-XIAMEN propose des plaquettes SiC et l'épitaxie : la plaquette SiC est le matériau semi-conducteur à large bande interdite de troisième génération avec d'excellentes performances. Il présente les avantages d'une large bande interdite, d'une conductivité thermique élevée, d'un champ électrique de claquage élevé, d'une température intrinsèque élevée, d'une résistance aux radiations, d'une bonne stabilité chimique et d'un taux de dérive de saturation électronique élevé. La plaquette SiC présente également de grandes perspectives d'application dans l'aérospatiale, le transport ferroviaire, la production d'énergie photovoltaïque, la transmission d'énergie, les véhicules à énergie nouvelle et dans d'autres domaines, et apportera des changements révolutionnaires à la technologie de l'électronique de puissance. La face Si ou la face C est CMP de qualité épi-prête, emballée dans de l'azote gazeux, chaque tranche se trouve dans un conteneur de tranches, dans une salle de classe blanche inférieure à 100.
Epi-ready SiC wafers has N type or Semi-insulating, its polytype are 4H or 6H in different quality grades, Micropipe Density (MPD): Free, <5/cm2, <10/cm2, <30/cm2,<100/cm2, and the available size is 2”,3”,4” and 6”.Regarding SiC Epitaxy, its Wafer to wafer thickness uniformity: 2% , and Wafer to wafer doping uniformity: 4%, available doping concentration are from undoped, E15,E16,E18,E18/cm3, n type and p type epi layer are both available, epi defects are below 20/cm2; All the substrate should be used production grade for epi growth;N-type epi layers <20 microns are preceded by n-type,  E18 cm-3, 0.5 μm buffer layer; N-type epi layers≥20 microns are preceded by n-type,  E18, 1-5 μm buffer layer; N-type doping is determined as an average value across the wafer (17 points) using Hg probe CV; Thickness is determined as an average value across the wafer (9 points) using FTIR.