plaquette SiC

PAM-XIAMEN propose SIC Wafer et Epitaxy: SIC Wafer est le matériau semi-conducteur de la troisième génération avec d'excellentes performances. Il présente les avantages de la bande interdite large, de la conductivité thermique élevée, du champ électrique élevé à haut débat, de la température intrinsèque élevée, de la résistance aux rayonnements, de la bonne stabilité chimique et du taux de dérive de saturation électronique élevée. SIC Wafer a également d'excellentes perspectives d'application dans l'aérospatiale, le transport ferroviaire, la production d'énergie photovoltaïque, la transmission de puissance, les véhicules énergétiques nouveaux et autres domaines, et apportera des modifications révolutionnaires à la technologie de l'électronique de puissance. SI Face ou C Face est CMP comme grade PI-PART, emballé de gaz d'azote, chaque plaquette est dans un conteneur de plaquette, sous 100 salles de classe propre.
Epi-ready SiC wafers has N type or Semi-insulating, its polytype are 4H or 6H in different quality grades, Micropipe Density (MPD): Free, <5/cm2, <10/cm2, <30/cm2,<100/cm2, and the available size is 2”,3”,4” and 6”.Regarding SiC Epitaxy, its Wafer to wafer thickness uniformity: 2% , and Wafer to wafer doping uniformity: 4%, available doping concentration are from undoped, E15,E16,E18,E18/cm3, n type and p type epi layer are both available, epi defects are below 20/cm2; All the substrate should be used production grade for epi growth;N-type epi layers <20 microns are preceded by n-type,  E18 cm-3, 0.5 μm buffer layer; N-type epi layers≥20 microns are preceded by n-type,  E18, 1-5 μm buffer layer; N-type doping is determined as an average value across the wafer (17 points) using Hg probe CV; Thickness is determined as an average value across the wafer (9 points) using FTIR.