PAM-XIAMEN offers SiC(Silicon Carbide) Boule Crystal with available size:2”,3”,4”,6” with two available length:5~10mm or 10~15mm. Fix size is workable such as 10mm, please see below specification of 4”size and 6”size:

1. Specifications of SiC Boule Crystal

No.1: 4″ SiC Boule Crystal, Production Grade
Polytype : Production- 4H
Diameter: Production-100,0 mm+/-0,2 mm
Type de support : Type de production N
Résistivité : Production-0,015~0,028 Ohm-cm
Orientation : Production–4,0˚±0,5˚
Orientation primaire à plat : Production {10-10}±5,0˚
Primary Flat Length: Production 32,5 mm±2,5 mm
Secondary flat orientation (5%): Production-Si face 90˚ CCW from orientation flat/ C face 90˚ CCW from orientation flat
Secondary Flat Length: Production-18,0 mm±2,0mm.
Fissures par lumière à haute intensité : Production - ≤1 mm chacune avec une profondeur radiale
Plaques hexagonales par lumière à haute intensité : Production <5 % (Surface cumulée <5 %)
Densité de microtuyaux : Production-<5 /сm2
Option 1 : épaisseur : 10 ~ 15 mm
Option 2 : épaisseur : 5 ~ 10 mm

No.2 : 4″ SiC Boule Crystal, qualité factice
Polytype : Factice - 4H
Diamètre : -100,0 mm+/-0,2 mm
Type de support : type N
Résistivité : -0,015~0,028 Ohm-cm
Orientation :-4,0˚±0,5˚
Orientation plate principale :{10-10}±5,0˚
Longueur plate primaire : 32,5 mm ± 2,5 mm
Orientation plate secondaire (5 %) : Si face 90˚ CCW à partir de l'orientation plate/ C face 90˚ CCW à partir de l'orientation plate
Longueur plate secondaire : -18,0 mm±2,0mm.
Fissures par lumière à haute intensité :- 3 mm ≤ 4 mm de profondeur radiale
Plaques hexagonales par lumière à haute intensité : < 10 % (zone cumulée < 10 %)
Densité de microtuyaux :<5 0/сm2
Option 1 : épaisseur : 10 ~ 15 mm
Option 2 : épaisseur : 5 ~ 10 mm

No.3 : 6″ SiC Boule Crystal, qualité de production
Polytype : Production- 4H
Diamètre : Production-150,0 mm+/-0,2 mm
Type de support : Type de production N
Résistivité : Production-0,015~0,028 Ohm-cm
Orientation : Production–4,0˚±0,5˚
Orientation primaire à plat : Production {10-10}±5,0˚
Longueur plate primaire : Production 47,5 mm±2,5 mm
Orientation plate secondaire : N/A
Longueur plate secondaire : N/A
Fissures par lumière à haute intensité : Production - ≤1 mm chacune avec une profondeur radiale
Plaques hexagonales par lumière à haute intensité : Production <5 % (Surface cumulée <5 %)
Densité de microtuyaux : Production-<5 /сm2
Option 1 : épaisseur : 10 ~ 15 mm
Option 2 : épaisseur : 5 ~ 10 mm

No.4 : 6 ″ SiC Boule Crystal, catégorie factice
Polytype : Factice – 4H
Diamètre : 150,0 mm+/-0,2 mm
Type de support : type N
Résistivité : 0,015~0,028 Ohm-cm
Orientation : 4,0˚±0,5˚
Orientation primaire à plat : {10-10}±5,0˚
Longueur plate primaire : 47,5 mm±2,5 mm
Orientation plate secondaire : N/A
Longueur plate secondaire : N/A
Fissures par lumière à haute intensité : 3 mm
≤4 mm de profondeur radiale
Plaques hexagonales par lumière à haute intensité : < 10 % (zone cumulée < 10 %)
Densité de microtuyaux : -<50 /сm2
Option 1 : épaisseur : 10 ~ 15 mm
Option 2 : épaisseur : 5 ~ 10 mm

Cristal Boule SiC (carbure de silicium)

2. Pourquoi le lingot de SiC a-t-il besoin d'un recuit à haute température ?

Les cristaux de SiC préparés par sublimation PVT présentent généralement des défauts tels que des dislocations, des microcanaux, des défauts d'empilement, des inclusions multitypes et des inclusions. Et ces défauts, tels que la distorsion entre la structure de défaut ci-dessus et le point de réseau normal environnant, généreront un champ de contrainte autour. La croissance non uniforme du cristal de SiC produira également une contrainte. L'existence de contraintes peut facilement provoquer des fissures lors du traitement ultérieur (tels que l'arrondissage, le meulage de surface, la découpe multifilaire, etc.), ce qui réduit considérablement le rendement des plaquettes de SiC.

Afin d'améliorer la qualité du cristal de SiC et de réduire les défauts structuraux et les contraintes thermiques, le cristal de SiC doit être recuit à haute température. Ce processus peut être fondamentalement divisé en trois processus : chauffage - conservation de la chaleur - refroidissement, qui peuvent être répétés plusieurs fois. En raison de la résistance à haute température du cristal SiC, afin de minimiser la contrainte thermique, la température de recuit de la plaquette SiC est relativement élevée, généralement autour de 1800℃.

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