Cristal de silicium de type P ou N avec une orientation de (100), (110) ou (111)

Cristal de silicium de type P ou N avec une orientation de (100), (110) ou (111)

PAM-XIAMEN vend des boules de silicium, qui sont une matière première pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs au silicium, la fabrication de redresseurs haute puissance, de transistors haute puissance, de diodes, de dispositifs de commutation, etc. Le cristal de silicium monocristallin avec une structure en treillis fondamentalement complète a une bande interdite de 1,11 eV. Le silicium monocristallin avec différentes directions a des propriétés différentes et c'est un bon matériau semi-conducteur. La pureté est requise pour atteindre 99,9999%, voire plus de 99,9999999%. Les méthodes de croissance des cristaux de silicium sont divisées en méthode de Czochralski (CZ), méthode de fusion de zone (FZ) et méthode d'épitaxie. La méthode de Czochralski et la méthode de fusion de zone font croître des tiges de silicium monocristallin et la méthode épitaxiale se développe couches minces de silicium monocristallin. La méthode CZ est la plus couramment utilisée. Voici une liste de vente de lingots de silicium monocristallin pour votre référence :

cristal de silicium

1. Liste des cristaux de Si

Numéro de lingot Diamètre du lingot Type, orientation Longueur de lingot (mm) Résistivité Durée de vie Quantité
PAM-XIAMEN-LINGOT-01 104 N(100) 73 167000 1700 1
PAM-XIAMEN-LINGOT-02 103 N(100) 123 >20000 1690 1
PAM-XIAMEN-LINGOT-09 103.8 N111 170 14000 1
PAM-XIAMEN-LINGOT-60 103.3 N111 90 15000 1
PAM-XIAMEN-LINGOT-61 103 N111 80 18700 1
PAM-XIAMEN-LINGOT-62 105 N100 165 810 1
PAM-XIAMEN-LINGOT-63 MC200 P110 253 0.355 2,82% 1
PAM-XIAMEN-LINGOT-64 MC200 P110 255 0.363 3,03% 1
PAM-XIAMEN-LINGOT-65 MC200 P110 215 0.355 3,66% 1
PAM-XIAMEN-LINGOT-66 MC200 P110 271 0.289 2,48% 1
PAM-XIAMEN-LINGOT-67 MC200 P110 243 0.313 3,51% 1
PAM-XIAMEN-LINGOT-95 79 N100 102 13000 1
PAM-XIAMEN-LINGOT-100 8 " 300mm 1
PAM-XIAMEN-LINGOT-101 8 " 530mm 1
PAM-XIAMEN-LINGOT-104 Face A 6″ et face B 8″ Ellipse 90mm 1
PAM-XIAMEN-LINGOT-105 240mm percer un trou au milieu 10mm 4
PAM-XIAMEN-LINGOT-120 6 " NP100 295 >5000 1
PAM-XIAMEN-LINGOT-121 6 " NP/N100 294 >5000 1
PAM-XIAMEN-LINGOT-122 6 " 47mm 1

2. Normes de l'industrie du cristal de silicium unique

The silicon crystal manufacturing process by PAM-XIAMEN meets the standards.

2.1 Classifications du monocristal de silicium

Selon le processus de production, les monocristaux de silicium sont divisés en deux types de monocristaux de silicium Czochralski et de monocristaux de silicium fondus par zone, à savoir CZ et FZ (y compris le dopage par transmutation neutronique et le dopage en phase gazeuse).

Les cristaux de silicium sont divisés en type P et type N selon le type de conductivité.

Le cristal de silicium pur peut être divisé en cristal (100), (111), (110) selon l'orientation du cristal, et l'orientation du cristal de silicium couramment utilisée est (100) ou (111).

Les monocristaux de silicium sont divisés en sept spécifications de diamètre nominal : moins de 50,8 mm, 50,8 mm, 76,2 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm et 200 mm et d'autres spécifications de diamètre non nominal.

2.2 Résistivité et durée de vie du porteur du cristal de silicium Czochralski

La plage de résistivité et le changement de résistivité radiale du monocristal de silicium de Czochralski doivent répondre aux exigences relatives.

Les exigences de durée de vie du transporteur de Czochralski silicon boule crystal shall be determined through negotiation between the supplier and the buyer.

2.3 Orientation et déviation du cristal de silicium

L'orientation cristalline du monocristal de silicium est <100> ou <111>.

La déviation d'orientation cristalline du cristal Czochralski Si ne doit pas être supérieure à 2°.

La déviation de l'orientation cristalline du monocristal de silicium fondu dans la zone ne doit pas être supérieure à 5°.

2.4 Surface de référence ou coupe du lingot de cristal de silicium

L'orientation du plan de référence, la longueur ou la taille de l'encoche du lingot de silicium doivent répondre aux exigences de GB/T 12964.

2.5 Oxygen Content in Si Ingot Crystal

La teneur en oxygène interstitiel du cristal de silicium Czochralski ne doit pas être supérieure à 1,18X 1018atomes/cm3, et les exigences spécifiques sont déterminées par le fournisseur et l'acheteur par voie de négociation. Les exigences de teneur en oxygène des cristaux de Si Czochralski fortement dopés doivent être négociées et déterminées par les deux parties.

La teneur en oxygène interstitiel du cristal de silicium de type P ou de type N fondu ne doit pas être supérieure à 1,96X 1016atomes/cm3.

2.6 Carbon Content of Silicon Crystal Boule

La teneur en carbone de substitution du cristal de silicium par Czochralski ne doit pas dépasser 5 X 1016atomes/cm3. Les exigences de teneur en carbone du lingot de silicium monocristallin fortement dopé doivent être négociées et déterminées par le fournisseur et l'acheteur.

La teneur en carbone de substitution du monocristal de silicium fondu de la zone ne doit pas dépasser 3 X 1016atomes/cm3.

2.7 Silicon Crystal Integrity

La densité de dislocation des monocristaux de silicium ne doit pas être supérieure à 100/cm2, c'est-à-dire pas de luxations.

Le cristal de silicium doit être exempt de structures en forme d'étoile, de réseaux hexagonaux, de tourbillons, de trous et de fissures, etc.

Des cristaux de Si fortement dopés avec une résistivité inférieure à 0,02 ohm-cm permettent l'observation de franges d'impuretés.

La densité de micro-défauts et d'autres exigences de défauts du silicium monocristallin peuvent être négociées entre le fournisseur et l'acheteur.

2.8 Inspection Method for Silicon

La mesure du diamètre du cristal de Si et de l'écart admissible doit être effectuée conformément aux dispositions de GB/T 14140.

L'inspection du type de conductivité du cristal de silicium doit être effectuée conformément aux dispositions de GB/T 1550.

La mesure de la résistivité du monocristal de silicium doit être effectuée selon les règlements de GB/T 1551, ou selon les règlements de GB/T 6616. La méthode d'arbitrage doit être menée conformément aux dispositions de GB/T 1551 .

La mesure du changement de résistivité radiale du silicium monocristallin doit être effectuée conformément aux dispositions de GB/T 11073-2007.

La mesure de la durée de vie du porteur du cristal de silicium monocristallin est effectuée selon les dispositions de GB/T1553 ou GB/T 26068, et la méthode d'arbitrage est effectuée selon les dispositions de GB/T1553.

La méthode de contrôle des franges de résistivité des micro-zones monocristallines de silicium sera négociée et déterminée par le fournisseur et l'acheteur.

La mesure de l'orientation des cristaux de silicium et de l'écart d'orientation des cristaux doit être effectuée conformément aux dispositions de GB/T1555 ou négociées entre le fournisseur et l'acheteur.

La mesure de l'orientation du plan de référence des cristaux de silicium doit être effectuée conformément aux dispositions de GB/T 13388.

La mesure de la longueur de surface de référence du produit unique en silicium doit être effectuée conformément aux dispositions de GB/T 13387.

La mesure de la taille de l'encoche du cristal de silicium doit être effectuée conformément aux réglementations de GB/T 26067.

La mesure de la teneur en oxygène du cristal de silicium est effectuée conformément aux réglementations GB/T 1557. La méthode de mesure de la teneur en oxygène du cristal de silicium Czochralski fortement dopé est déterminée par négociation entre le fournisseur et l'acheteur.

La mesure de la teneur en carbone monocristallin de silicium est effectuée conformément aux dispositions de GB/T1558. La méthode de mesure de la teneur en carbone de la boule de cristal de silicium Czochralski fortement dopée est déterminée par négociation entre le fournisseur et l'acheteur.

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Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail à victorchan@powerwaywafer.com et powerwaymaterial@gmail.com.

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