12″ Prime Grade Silicon Wafer

PAM-XIAMEN propose des plaquettes de silicium nu de 300 mm (12 pouces) de qualité supérieure, de type n ou de type p, et l'épaisseur de la plaquette de silicium de 300 mm est de 775 ± 15. Comparé à d'autres fournisseurs de plaquettes de silicium, le prix des plaquettes de silicium de Powerway Wafer est plus compétitif avec une qualité supérieure. Les tranches de silicium de 300 mm ont un rendement par tranche plus élevé que les tranches de silicium de grand diamètre perméables.

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Description du produit

PAM-XIAMEN propose des plaquettes de silicium nu de 300 mm (12 pouces) de qualité supérieure, de type n ou de type p, et l'épaisseur de la plaquette de silicium de 300 mm est de 775 ± 15. Comparé à d'autres fournisseurs de plaquettes de silicium, le prix des plaquettes de dispositif de silicium de Powerway Wafer est plus compétitif avec une qualité supérieure. Les tranches de silicium de 300 mm ont un rendement par tranche plus élevé que les tranches de silicium de grand diamètre perméables. Une taille supérieure à 8 pouces (200 mm) est appelée une grande plaquette de silicium. La technologie de production de grandes tranches de silicium n'est pas seulement l'augmentation de la complexité du processus en raison de l'augmentation de la surface, mais aussi les exigences plus élevées sur de nombreux autres facteurs de contrôle. Par exemple : la teneur en oxygène et son uniformité radiale dans la tranche, le contrôle des impuretés, le contrôle OISF, etc. Les exigences de la tranche de silicium pour le contrôle des défauts, le contrôle de la précipitation de l'oxygène, la quantification de la résistance, le dopage et l'uniformité radiale sont également plus élevées. En particulier pour les tranches de silicium de qualité supérieure de 300 mm, certains paramètres sont requis de manière critique, pour l'instant, le TTV de la tranche est inférieur à 1,5 um et la densité de défauts ~ 0/cm2. La prochaine étape est un lingot ou une plaquette de silicium de 450 mm.

 

1. Paramètres de la plaquette de silicium de 300 mm

Paramètres Valeur(PAM210512-300-SIL)
Type de lingot Cultivé selon la méthode Czochralski
Diamètre, mm 300 ± 0,2
dopant B (bore)
Type de conductivité P
Oxigène max, OLD-PPMA 40
Carbone, PPMA 1
Orientation cristallographique <100>
Écart par rapport à l'orientation de surface prédéterminée du plan cristallin, deg 1
Résistivité volumique, Ohm · cm 8-12
Encoche principale Oui
Emplacement de l'encoche 110
Taille de l'encoche, mm 2,3
Forme d'encoche V
Épaisseur de la plaquette, microns 775 ± 15
Type de marquage Laser
Emplacement de marquage face arrière
Profil de bord par SEMI T / 4
Rayures sur la face avant absent
Polissage de la face avant oui
Polissage de la face arrière oui
Changement total d'épaisseur de plaquette (TTV), micromètres 1,5
Déviation (WARP), microns 30
Le nombre de particules sur une surface supérieure à 0,05 microns 50
Le nombre de particules sur une surface supérieure à 0,09 microns 30
Teneur en aluminium, E10AT/CM2 1
Teneur superficielle en calcium, E10AT/CM2 1
Teneur en surface de chrome, E10AT/CM2 1
Teneur en surface de cuivre, E10AT/CM2 1
Teneur en fer en surface, E10AT/CM2 1
Teneur en surface de potassium, E10AT/CM2 1
Teneur en surface de sodium, E10AT/CM2 1
Teneur en nickel surfacique, E10AT/CM2 1
Teneur superficielle en zinc, E10AT/CM2 1

Exigences d'emballage:

Paramètres
Genre d'emballage MW300GT-A
Matériau du conteneur intérieur Polyéthylène
Matériel d'emballage extérieur Aluminium
Nombre de pièces dans un colis 25
Réutilisabilité Oui

2. Foire aux questions :

Q:Veuillez prendre note que nous proposons "Le nombre de particules sur une surface supérieure à 0,09 microns 50" uniquement pour le substrat de silicium.

Normalement, l'exigence de particules est pour le substrat de silicium.

Pour assurer la conformité, pourriez-vous s'il vous plaît vérifier?

UNE:Nous avons revérifié : Oui, les informations indiquées sont correctes.

 

PAM-XIAMEN peut vous proposer un support technologique et wafer.

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