Epitaxial Silicon Wafer
La plaquette épitaxiale de silicium (Epi Wafer) est une couche de monocristal de silicium épitaxié déposée sur une plaquette de silicium monocristallin (remarque : il est possible de faire croître une couche de silicium polycristallin au-dessus d'une plaquette de silicium monocristallin hautement dopée, mais il a besoin d'une couche tampon (telle que l'oxyde ou le poly-Si) entre le substrat en Si massif et la couche de silicium épitaxiale supérieure.Il peut également être utilisé pour un transistor à couche mince.
- Description
Description du produit
Silicon Wafer épitaxial
Plaquette épitaxiale de silicium(Épi Wafer)est une couche de monocristal de silicium épitaxié déposée sur un monocristalplaquette de silicium(remarque : il est possible de faire croître une couche de silicium polycristallin au-dessus d'une plaquette de silicium monocristallin hautement dopée, mais il faut une couche tampon (telle que de l'oxyde ou du poly-Si) entre le substrat de silicium en vrac et l'épitaxie supérieure couche de silicium.Il peut également être utilisé pour un transistor à couche mince.
Les procédés de préparation de plaquettes de silicium épitaxiales comprennent l'épitaxie en phase vapeur, l'épitaxie en phase liquide, l'épitaxie par faisceau moléculaire, etc. Parmi eux, l'épitaxie en phase vapeur basée sur le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est le principal processus de croissance épitaxiale du silicium. Les sources couramment utilisées sont SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2 et SiH4.
Afin de répondre aux besoins de divers dispositifs semi-conducteurs, diverses technologies d'épitaxie de silicium ont été générées pour la production de plaquettes de silicium épitaxial. En plus de la croissance épitaxiale du silicium en épitaxie à basse température et en épitaxie à pression réduite, il existe également une épitaxie sélective qui dépose une couche épitaxiale de silicium sur une partie spécifique de la plaquette de silicium.
La couche épitaxiale peut être dopée, au fur et à mesure de son dépôt, à la concentration de dopage précise tout en conservant la structure cristalline du substrat.
Résistivité épicouche : <1 ohm-cm jusqu'à 150 ohm-cm
Épaisseur de l'épicouche : < 1 um jusqu'à 150 um
Structure : N/N+, N-/N/N+, N/P/N+, N/N+/P-, N/P/P+, P/P+, P-/P/P+.
Application de plaquette : appareils numériques, linéaires, de puissance, MOS, BiCMOS.
Nos avantages en un coup d'oeil
Équipement de croissance épitaxiale 1.Advanced, équipement de test et technologie de silicium épitaxiale.
2.Offrez la plus haute qualité avec une faible densité de défauts et une bonne rugosité de surface.
3.Soutien solide de l'équipe de recherche et support technologique pour nos clients
6″(150mm) Spécification de la plaquette :
| Article | Spécification | |
| substrat | N° de sous-spéc. | |
| Méthode de croissance des lingots | CZ | |
| Type de conductivité | N | |
| dopant | Comme | |
| Orientation | (100) ± 0,5 ° | |
| Résistivité | 0.005Ohm.cm | |
| RRG | ≤15% | |
| [Oi] Contenu | 8~18 ppm | |
| Diamètre | 150±0,2 mm | |
| Plat Longueur primaire | 55~60 millimètres | |
| Emplacement plat principal | {110}±1° | |
| Deuxième longueur à plat | semi | |
| Deuxième emplacement plat | semi | |
| Épaisseur | 625±15 um | |
| Caractéristiques de la face arrière : | ||
| 1、BSD/Poly-Si(A) | 1.BSD | |
| 2、SIO2 | 2.LTO : 5000 ± 500 A | |
| 3、Exclusion de bord | 3.EE : ? 0,6 mm | |
| Marquage laser | AUCUN | |
| surface avant | Miroir poli | |
| Épi | Structure | N/N+ |
| dopant | Phos | |
| Épaisseur | 3±0,2 um | |
| Thk.Uniformité | ≤5 % | |
| Position de mesure | Centre (1 pt) à 10 mm du bord (4 pts à 90 degrés) | |
| Calcul | [Tmax-Tmin]÷[[Tmax+Tmin]X 100 % | |
| Résistivité | 2.5±0.2 Ohm.cm | |
| Rés.Uniformité | ≤5 % | |
| Position de mesure | Centre (1 pt) à 10 mm du bord (4 pts à 90 degrés) | |
| Calcul | [Rmax-Rmin]÷[[Rmax+Rmin]X 100 % | |
| Défaut de pile Densité | 2（ea/cm2） | |
| Brume | AUCUN | |
| Rayures | AUCUN | |
| Cratères (écorce d'orange) | AUCUN | |
| Couronne de bord | Épaisseur ≤1/3 Epi | |
| Glissement (mm) | Longueur totale ≤ 1Dia | |
| Matières étrangères | AUCUN | |
| Contamination de la surface arrière | AUCUN | |
| Défauts ponctuels totaux (particule) | ≤30@0.3um |
Plaquette de silicium EPI 2 de 4 pouces
Plaquette de silicium 3″ EPI-2
Plaquette de silicium épitaxiale 4 "
Croissance d'épitaxie de silicium avec dopant au bore par VPE
Epitaxy Wafer of Silicon for Integrated Waveguide Optics
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