Le matériau monocristallin de germanium (Ge) est un matériau optique infrarouge dur et cassant important, appartenant au semi-conducteur à transition indirecte avec une mobilité de trou et une mobilité électronique élevées. Il est largement utilisé dans l'aérospatiale, l'électronique ultra-haute fréquence haute fréquence, la communication par fibre optique, l'optique infrarouge, les cellules solaires et d'autres domaines.PAM-XIAMEN peut offrir un matériau de germanium monocristallin avec des tailles allant de 2 pouces à 8 pouces. Plus de plaquettes de germanium s'il vous plaît visitezhttps://www.powerwaywafer.com/germanium-wafer/germanium-single-crystals-and-wafers.html. Vous trouverez ci-joint les paramètres spécifiques de la plaquette semi-conductrice au germanium monocristallin de 8 pouces :
1. Substrat de germanium monocristallin de 8 pouces
PAM221222-GE
| Article | Plaquette Ge monocristalline de 8 pouces |
| Diamètre | 200 millimètres |
| Conductivité | N/A (non dopé) |
| Épaisseur | 725+/-25um |
| Encoche semi-standard | 110 |
| Résistivité | >1ohm.cm |
| GBIR/TTV | 15um max (base sur WEE : 5mm) |
| Arc/Chaîne | 50um max (base sur WEE : 5mm) |
| Particule(>=0.2um) | 30 maximum |
| Finition de surface | Double face polie |
| Contamination métallique (Al, Ca, Cr, Cu, Fe, Na, Ni, Zn) | Tous les métaux <2E10 atomes/cm2 |
2. Questions nécessitant une attention particulière lors du processus de coupe d'un matériau en germanium monocristallin
Dans le processus de coupe du germanium monocristallin, la chaleur de coupe générée a un impact important sur la tolérance d'usinage, la formation de copeaux, la durée de vie de l'outil et l'intégrité de la surface de traitement. Par conséquent, il est nécessaire de prêter attention à la température de coupe et à la distribution du germanium monocristallin dans le processus de coupe.
Grâce à l'étude et à l'analyse de la découpe de monocristaux de germanium par la technologie de micro-usinage par simulation variable à facteur unique, il a été constaté que :
- La température de coupe maximale diminue avec l'augmentation de la vitesse de la broche ; Avec l'augmentation de la vitesse d'avance, la température de coupe augmente également ; Avec l'augmentation de la profondeur de coupe, la température de coupe maximale augmentera également ;
- La température de coupe maximale diminue avec l'augmentation de l'angle de coupe de l'outil et la température de l'angle de coupe négatif de l'outil est supérieure à celle de l'angle de coupe positif ; La température de coupe ne diminue pas significativement avec l'augmentation de l'angle de recul de l'outil ; La température de coupe maximale augmente avec l'augmentation du rayon de la pointe de l'outil.
Par conséquent, nous vous rappelons de bien vouloir sélectionner des paramètres de traitement appropriés pour la vitesse de broche, la vitesse d'alimentation, la profondeur de coupe, etc. lors de l'utilisation de la technologie de micro-usinage pour traiter le matériau semi-conducteur au germanium.
Il est rapporté que la sélection de la valeur théorique suivante pour l'outil de coupe peut réduire efficacement la température de micro-coupe du germanium monocristallin, améliorant ainsi la précision de traitement et l'efficacité du semi-conducteur en matériau germanium monocristallin :
Vitesse de broche : 3000r/min
Vitesse d'avance : 12 mm/min
Profondeur de coupe : 3 μM
Rayon d'arc de la pointe de l'outil : 1 mm
Angle de coupe de l'outil : – 10°
Angle arrière de l'outil : 20°
Remarque:
Le gouvernement chinois a annoncé de nouvelles limites à l'exportation de matériaux au gallium (tels que GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs et GaSb) et aux matériaux au germanium utilisés pour fabriquer des puces semi-conductrices. À compter du 1er août 2023, l’exportation de ces matériaux n’est autorisée que si nous obtenons une licence du ministère chinois du Commerce. J'espère votre compréhension et votre coopération !
Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail àvictorchan@powerwaywafer.com et powerwaymaterial@gmail.com.