Croissance dépendante de la température de puits quantiques uniques InGaN/GaN Des structures de puits quantiques uniques (SQW) InGaN/GaN sous diverses températures de croissance d'InGaN ont été développées par dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD), les morphologies de surface et les propriétés optiques sont étudiées. Le rayon des creux en V typiques sur la surface SQW est affecté par le...
Analyse de fiabilité des diodes laser InGaN Blu-Ray Le but de ce travail est une analyse approfondie de la fiabilité des diodes laser Blu-Ray InGaN (LD) soumises à des contraintes CW à différents courants et températures. Lors des tests de fiabilité, les appareils LD présentent une augmentation progressive du courant de seuil, tandis que l'efficacité de la pente n'est presque pas affectée...
Croissance de couches d'InGaN sur des substrats de silicium (1 1 1) par pulvérisation réactive. Des films d'InGaN ont été développés sur des substrats de silicium (1 1 1) par pulvérisation magnétron réactive. Il a été démontré que la composition en indium dans les films InGaN peut être contrôlée en faisant varier le rapport entre la puissance radiofréquence appliquée de la cible d'indium et...