Epi Wafer pour diode laser

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Description du produit

Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) se concentre sur les plaquettes d'épi de diode laser à base de GaAs et d'InP pour la communication par fibre optique, les applications industrielles et l'utilisation à des fins spéciales en utilisant les réacteurs MOCVD pour la croissance épitaxiale de matériau semi-conducteur composé .

Matériau du substrat capacité matériel Longueur d'ondes Application
GaAs GaAs / GaInP / AlGaInP / GaInP 635nm  
GaAs Based Epi-plaquette 650nm Laser à émission de surface à cavité verticale (VCSEL)
RCLED
GaAs / GaInP / AlGaInP / GaInP 660nm  
GaAs / AlGaAs / GaInP / AlGaAs / GaAs 703nm  
GaAs / GaInP / AlGaInP / GaInP 780nm  
GaAs / GaInP / AlGaInP / GaInP 785nm  
GaAs Based Epi-plaquette 800-1064nm LD infrarouge
GaAs / GaInP / AlGaInP / GaInP 808nm LD infrarouge
GaAs Based Epi-plaquette 850nm Laser à émission de surface à cavité verticale (VCSEL)
RCLED
GaAs Based Epi-plaquette <870nm Photo-détecteur
GaAs Based Epi-plaquette 850-1100nm Laser à émission de surface à cavité verticale (VCSEL)
RCLED
GaAs / AlGaAs / GaInAs / AlGaAs / GaAs 905nm  
GaAs / AlGaAs / InGaAs / AlGaAs / GaAs 950nm  
GaAs Based Epi-plaquette 980nm LD infrarouge
InP à base Epi-plaquette 1250-1600nm Avalanche photo-détecteur
GaAs Based Epi-plaquette 1250-1600nm /> 2.0um
(Couche absorbante InGaAs)
Photo-détecteur
GaAs Based Epi-plaquette 1250 à 1600 nm / <1,4 μm
(Couche absorbante InGaAsP)
Photo-détecteur
InP à base Epi-plaquette 1270-1630nm laser DFB
substrat GaAsP / GaAs / GaAs 1300nm  
InP à base Epi-plaquette 1310nm laser FP
substrat GaAsP / GaAs / GaAs 1550nm laser FP
  1654nm  
InP à base Epi-plaquette 1900nm laser FP
  2004nm  

 

S'il vous plaît voir ci-dessous les spécifications de détail de plaquette epi pour diode laser:

Puce de plaquette laser VCSEL

diode laser à 703nm plaquette epi

diode laser 808nm epi plaquette-1

diode laser à 780nm plaquette epi

diode laser à 650nm plaquette epi

diode laser à 785nm plaquette epi

Plaquettes épi à diode laser 808 nm-2

diode laser à 850nm plaquette epi

diode laser à 905nm plaquette epi

diode laser à 950nm plaquette epi

diode laser 1550nm plaquette epi

diode laser 1654nm plaquette epi

diode laser 2004nm plaquette epi

 

Chips EMETTEUR simples

Un seul émetteur LD Chip 755nm @ 8W

Un seul émetteur LD Chip 808nm @ 8W

Un seul émetteur LD Chip 808nm @ 10W

Un seul émetteur LD Chip 830nm @ 2W

Un seul émetteur LD Chip 880nm @ 8W

Un seul émetteur LD Chip 900 nm + @ 10W

Un seul émetteur LD Chip 900 nm + @ 15W

Un seul émetteur LD Chip 905nm @ 25W

Un seul émetteur LD Chip 1470nm @ 3W

PAM XIAMEN propose une seule puce laser haute puissance 1470 / 1550nm comme suit:

LD Bare Bar

LD Bar nu pour 780nm @ cavité 2.5mm

LD Bar nu pour cavité 808nm @ 2 mm

LD Bar nu pour 808nm @ cavité 1,5mm

LD Bar nu pour la cavité 880nm de 2 mm @

LD Bar nu pour cavité 940nm @ 2 mm

LD Bar nu pour cavité 940nm @ 3 mm

LD Bare Bar pour 940nm @ cavité 4 mm

LD Bar nu pour cavité 940nm @ 2 mm

LD Bare Bar pour 976nm @ cavité 4 mm

LD Bar nu pour la cavité 1470nm de 2 mm @

LD Bar nu pour cavité 1550nm @ 2 mm