Masque photo

Offres PAM-XIAMENPhotomasks

Un masque photographique est un revêtement mince de matériau de masquage supporté par un substrat plus épais, et le matériau de masquage absorbe la lumière à des degrés divers et peut être configurée avec une conception personnalisée. Le modèle est utilisé pour moduler la lumière et transférer le motif à travers le processus de photolithographie qui est le processus fondamental utilisé pour construire la quasi-totalité des appareils numériques d'aujourd'hui.

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Description du produit

Masque photo

Offres PAM-XIAMENPhotomasks

Photomasque grande taille

Photomasque Middium et de petite taille

plaque photographique

Film photographique Typo

Film photographique

Unmasque photoest une mince couche de matériau de masquage supporté par un substrat plus épais, et les absorbe la lumière un matériau de masquage à des degrés divers et peuvent être modelé avec un design personnalisé. Le modèle est utilisé pour moduler la lumière et transférer le motif à travers le processus de photolithographie qui est le processus fondamental utilisé pour construire la quasi-totalité des appareils numériques d'aujourd'hui.

Qu'est-ce qu'un photomasque

Un photomasque est une plaque opaque avec des trous ou des transparents qui permettent à la lumière de briller à travers dans un motif défini. Ils sont couramment utilisés en photolithographie. Lithographiquephotomasquessont typiquement des ébauches en verre de silice transparent recouvert d'un motif défini par un film d'absorption de métal de chrome.Photomasks are used at wavelengths of 365 nm, 248 nm, and 193 nm. Photomasks have also been developed for other forms of radiation such as 157 nm, 13.5 nm (EUV), X-ray, electrons, and ions; but these require entirely new materials for the substrate and the pattern film. A set of photomask, each defining a pattern layer in integrated circuit fabrication, is fed into a photolithography stepper or scanner, and individually selected for exposure. In double patterning techniques, a photomask would correspond to a subset of the layer pattern. In photolithography for the mass production of integrated circuit devices, the more correct term is usually photoreticle or simply reticle. In the case of a photomask, there is a one-to-one correspondence between the mask pattern and the wafer pattern. This was the standard for the 1:1 mask aligners that were succeeded by steppers and scanners with reduction optics. As used in steppers and scanners, the reticle commonly contains only one layer of the chip. (However, some photolithography fabrications utilize reticles with more than one layer patterned onto the same mask). The pattern is projected and shrunk by four or five times onto the wafer surface. To achieve complete wafer coverage, the wafer is repeatedly “stepped” from position to position under the optical column until full exposure is achieved. Features 150 nm or below in size generally require phase-shifting to enhance the image quality to acceptable values. This can be achieved in many ways. The two most common methods are to use an attenuated phase-shifting background film on the mask to increase the contrast of small intensity peaks, or to etch the exposed quartz so that the edge between the etched and unetched areas can be used to image nearly zero intensity. In the second case, unwanted edges would need to be trimmed out with another exposure. The former method is attenuated phase-shifting, and is often considered a weak enhancement, requiring special illumination for the most enhancement, while the latter method is known as alternating-aperture phase-shifting, and is the most popular strong enhancement technique. As leading-edge semiconductor features shrink, photomask features that are 4× larger must inevitably shrink as well. This could pose challenges since the absorber film will need to become thinner, and hence less opaque. A recent study by IMEC has found that thinner absorbers degrade image contrast and therefore contribute to line-edge roughness, using state-of-the-art photolithography tools. One possibility is to eliminate absorbers altogether and use “chromeless” masks, relying solely on phase-shifting for imaging. The emergence of immersion lithography has a strong impact on photomask requirements. The commonly used attenuated phase-shifting mask is more sensitive to the higher incidence angles applied in “hyper-NA” lithography, due to the longer optical path through the patterned film.

Masque Matériaux -Difference entre le quartz et Soda Lime en verre:

Les plupart des types communs de verre pour la fabrication de masques sont le quartz et Soda Lime. Quartz est plus cher, mais présente l'avantage d'un coefficient beaucoup plus faible de dilatation thermique (ce qui signifie qu'il se dilate moins si le masque devient chaud en cours d'utilisation) et est transparent aux longueurs d'onde de rayons ultraviolets profonds (DUV), où le verre de soude de chaux est opaque. Quartz doit être utilisé lorsque la longueur d'onde étant utilisée pour exposer le masque est inférieure ou égale à 365 nm (raie i) masque .Un de photolithographie est une plaque opaque ou un film avec des zones transparentes qui permettent à la lumière de briller à travers dans un motif défini. Ils sont couramment utilisés dans les processus de photolithographie, mais sont également utilisés dans de nombreuses autres applications par un large éventail d'industries et de technologies. Il existe différents types de masque pour différentes applications à savoir en fonction de la résolution nécessaire.

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Masque 1X maître

1X maître Masque Dimensions et matériaux de substrat

Produit Dimensions substrat Matériaux
1X Maître 4” x4” X0.060” ou 0,090” Quartz et Soda Lime
5” X5” X0.090” Quartz et Soda Lime
6” X6” X0.120” ou 0,250” Quartz et Soda Lime
7” x7” X0.120” ou 0,150” Quartz et Soda Lime
7.25” Round X 0,150” Quartz
9” X9” X0.120” ou 0,190” Quartz et Soda Lime

 

Spécifications communes pour masques 1X Master (Matériel Quartz)

Taille CD CD Moyenne à nominal CD uniformité Inscription Taille du défaut
2,0 um ≤0.25 um ≤0.25 um ≤0.25 um ≥2.0 um
4,0 um ≤0.30 um ≤0.30 um ≤0.30 um ≥3.5 um

 

Caractéristiques communes pour masques 1X Master (Soda Matériau Lime)

Taille CD CD Moyenne à nominal CD uniformité Inscription Taille du défaut
≤4 um ≤0.25 um ---- ≤0.25 um ≥3.0 um
> 4 um ≤0.30 um ---- ≤0.45 um ≥5.0 um

 

Masque UT1X

UT1X Masque Dimensions et matériaux de substrat

Produit Dimensions Matériau du substrat
UT1X 3 "X5" X0.090 " Quartz
5 "X5" X0.090 " Quartz
6 "X6" X0.120 "ou 0,250" Quartz

 

Caractéristiques communes pour Masques UT1X

Taille CD CD Moyenne à nominal CD uniformité Inscription Taille du défaut
1,5 um ≤0.15 um ≤0.15 um ≤0.15 um ≥0.50 um
3,0 um ≤0.20 um ≤0.20 um ≤0.20 um ≥0.60 um
4,0 um ≤0.25 um ≤0.25 um ≤0.20 um ≥0.75 um

 

Masques binaires standard

Masque binaire standard Dimensions et matériaux de substrat

Produit Dimensions substrat Matériaux
2X 6 "x 6" X0.250 " Quartz
2.5X
4X
5X 5 "X5" X0.090 " Quartz
6 "X6" X0.250 " Quartz

 

Caractéristiques communes pour masques binaires standard

Taille CD CD Moyenne à nominal CD uniformité Inscription Taille du défaut
2,0 um ≤0.10 um ≤0.15 um ≤0.10 um ≥0.50 um
3,0 um ≤0.15 um ≤0.15 um ≤0.15 um ≥0.75 um
4,0 um ≤0.20 um ≤0.20 um ≤0.20 um ≥1.00 um

 

Masques Medium Région

Masque moyen zone Dimensions et matériaux

Produit Dimensions substrat Matériaux
1X 9 "X9" 0,120 " Quartz Soda Lime (à la fois Chrome et d'oxyde de fer absorbeurs disponibles)
9 "X9" 0,190 " Quartz

 

Caractéristiques communes pour Masques moyen Area (Matériau Quartz)

Taille CD CD Moyenne à nominal CD uniformité Inscription Taille du défaut
0,50 um ≤0.20 um ---- ≤0.15 um ≥1.50 um

 

Caractéristiques communes pour Masques moyenne région (Soda Matériau Lime)

Taille CD CD Moyenne à nominal CD uniformité Inscription Taille du défaut
10 um ≤4.0 um ---- ≤4.0 um ≥10 um
4 um ≤2.0 um ---- ≤1.0 um ≥5 um
2,5 um ≤0.5 um ---- ≤0.75 um ≥3 um

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