Antireflection-Coated Blue GaN Laser Diodes in an External Cavity and Doppler-Free Indium Absorption Spectroscopy

  • Home
  • News
  • Antireflection-Coated Blue GaN Laser Diodes in an External Cavity and Doppler-Free Indium Absorption Spectroscopy

Antireflection-Coated Blue GaN Laser Diodes in an External Cavity and Doppler-Free Indium Absorption Spectroscopy

Antireflection-Coated Blue GaN Laser Diodes in an External Cavity and Doppler-Free Indium Absorption Spectroscopy

 

Commercially available GaN-based laser diodes were antireflection coated in our laboratory and operated in an external cavity in a Littrow configuration. A total tuning range of typically 4 nm and an optical output power of up to 30 mW were observed after optimization of the external cavity. The linewidth was measured with a heterodyne technique, and 0.8 MHz at a sweep time of 50 ms was obtained. The mode-hop-free tuning range was more than 50 GHz. We demonstrated the performance of the laser by detecting the saturated absorption spectrum of atomic indium at 410 nm, allowing observation of well-resolved Lamb dips.

Source:OSA

If you need more information about Antireflection-Coated Blue GaN Laser Diodes in an External Cavity and Doppler-Free Indium Absorption Spectroscopy, please visit our website:https://www.powerwaywafer.com/, send us email at [email protected]  or [email protected]

2013-04-01

Share this post

Related Posts

GaAs Epiwafer with AlGaAs Multilayers for VCSEL Laser Application

PAM-XIAMEN can offer GaAs epiwafer (gallium arsenide epiwafer) with p-type & n-type AlGaAs multilayer for VCSEL laser application. The specifications of GaAs epiwafer are as follow: 1. Specifications of GaAs Epiwafer with AlGaAs Multilayers VCSEL, 980nm, GaAs epiwafer, 4″size PAM210208 Layer No. Material Group Repeat Mole Fraction(x) Strain(ppm) PL(nm) Thickness(nm) Dopant 32 GaAs  –  –  –  –  – 156 C 31 Al(x)GaAs  –  – 0.04  –  – 50.5 C 30 Al(x)GaAs  –  – 0.87->0.04  –  – 20 C 29 Al(x)GaAs  –  – 0.87  –  – 59.7 C 28 Al(x)GaAs  – 16 0.04->0.87  –  – 20 C 27 Al(x)GaAs  – 0.04  –  – 51.5 C 26 Al(x)GaAs  – 0.87->0.04  –  – 20 C 25 Al(x)GaAs  – 0.87  –  – 59.7 C 24 Al(x)GaAs  –  – 0.04->0.87  –  – 20 C 23 Al(x)GaAs  –  – 0.04  –  – 32.9 C 22 Al(x)GaAs  –  – 0.80->0.04  –  – 20 C 21 Al(x)GaAs  –  – 0.98  –  – 20 C 20 Al(x)GaAs  –  – 0.8  –  – 61.6 C 19 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 18 In(x)GaAs  –  –  –  – 970nm  – UD 17 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 16 In(x)GaAs  –  –  –  – 970nm  – UD 15 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 14 In(x)GaAs  –  –  –  – 970nm  – UD 13 GaAsP  –  –  –  –  –  – UD 12 Al(x)GaAs  –  – 0.87  –  – 59.7 Si 11 Al(x)GaAs  –  – 0.04->0.87  –  – 20 Si 10 Al(x)GaAs  –  – 0.04  –  – 51.5 Si 9 Al(x)GaAs  –  – 0.87->0.04  –  – 20 Si 8 Al(x)GaAs  – 6 0.87  –  – 59.7 Si 7 Al(x)GaAs  – 0.04->0.87  –  – 20 Si 6 Al(x)GaAs  – 0.04  –  – 51.5 Si 5 Al(x)GaAs  – 30 0.92->0.04  –  – 20 Si 4 Al(x)GaAs  – 0.92  –  – 59.8 Si 3 Al(x)GaAs  – 0.04->0.92  –  – 20 Si 2 Al(x)GaAs  – 0.04  –  – 51.5 Si 1 GaAs  –  –  –  –  – 500 Si 4 inch GaAs substrate Si doped; [...]

2021-04-02meta-author
Defect energy levels in p-type GaAsBi and GaAs grown by MBE at low temperatures

Deep level defects in p-type GaAs1−x Bi x (x < 1%) and GaAs grown by molecular beam epitaxy at substrate temperatures of 330 °C and 370 °C have been characterized by deep level transient spectroscopy. We find that incorporating Bi into GaAs at 330 [...]

2019-11-25meta-author
Global semiconductor market is forecasted to reach 327 billion dollar in 2016

Global semiconductor market is forecasted to reach 327 billion dollar in 2016     WSTS expects the world semiconductor market to be down 2.4% in 2016 at US$327 billion with growth returning in 2017 and 2018. For 2016, growth in Optoelectronics (1.8%), Sensors (7.6%), and Analog ICs (1%) [...]

2016-06-20meta-author
Polycrystalline Back Sealed Polished Wafer

Below is the regular standard specification of Polycrystalline back sealed polished wafer, please kindly note in this size, normally notch is used, rather than flat.   Parameter Unit PAM210305-SI　 Grade — Polycrystalline back sealed polished wafer General Characteristics — — Growth Method — CZ Diameter mm 200±0.2 Type — N Crystal Orientation — <100>±0.5 Dopant — AS Electrical Characteristics — — Resistivity Ω•cm 0.002-0.004 RRG 1 C-1/2R MAX % / RRG 2 C-6mm  MAX % ≤8 Life time msec / Chemical Characteristics — — Oxygen PPMA / ORG % / Carbon PPMA / Bulk metal #/cm3 / Surface metal #/cm2 ≤5E10(Na,K,Al,Ni,Ca;Cu,Zn,Cr,Fe) Structural Characteristics — — Dislocation #/cm2 None OISF #/cm2 / Mechanical [...]

2021-03-25meta-author
GALLIUM PHOSPHATE GAP CRYSTAL AND SUBSTRATES

PAM XIAMEN offers Gallium Phosphate GaP Crystal and Substrate. Main Parameters Crystal structure Cubic Growth method crystallization process Crystal lattice parameters a=5.642Å Density 2.16（g/cm3） Wave band 0.25~22.00um Index of refraction 1.54427 T 0.9 Nf 0.0127 Surface roughness <30A orientation <111>, <110>, <100> size 10×10×2.0mm, 20*20*2.0mm, other sizes available upon request polished One side or double For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at [email protected] and [email protected] Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) is a leading [...]

2019-03-12meta-author
2″ Silicon Wafer-1

PAM XIAMEN offers 2″ Silicon Wafer. Diameter (mm) Type Dopant Growth method Orientation Resistivity  Thickness Surface Grade 50.8 N Phos FZ (111) Off 2″ Towards (110) 2k-5k 350-400 P/E PRIME 50.8 N Phos CZ -100 1-20 10-30 P/P PRIME 50.8 N Phos CZ -100 1-20 40-60 P/P PRIME 50.8 N Phos CZ -100 1-20 80-100 P/P PRIME 50.8 N Phos CZ -100 1-20 140-160 P/P PRIME 50.8 N Phos FZ -100 >1000 200-500 P/E PRIME 50.8 N Phos FZ -100 >1000 200-500 P/P PRIME 50.8 N Phos CZ -100 225-275 P/P PRIME 50.8 N Phos FZ -100 >3000 225-275 P/P PRIME 50.8 N As CZ -100 .001-.005 250-300 P/E PRIME 50.8 N Sb CZ -100 .005-.02 250-300 P/P PRIME 50.8 N Phos FZ -100 >3000 250-300 P/E PRIME 50.8 N Phos CZ -100 1-20 250-300 P/E PRIME 50.8 N Phos CZ -100 1-20 250-300 P/E/DTOx PRIME 50.8 N Phos CZ -100 1-20 250-300 P/E/Ni PRIME 50.8 N Phos CZ -100 1-20 250-300 P/E/WTOx 50.8 N Phos FZ -100 2000-5000 275-325 P/P PRIME 50.8 N Phos CZ -100 450-500 P/P PRIME 50.8 N Phos CZ -100 43485 500-550 P/E PRIME 50.8 N Phos CZ -100 1000-1050 P/E PRIME 50.8 N Phos CZ -100 1-20 2900-3100 P/E PRIME For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at [email protected] and [email protected] Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) is a leading manufacturer of semiconductor material in China. PAM-XIAMEN develops advanced crystal [...]

2019-02-27meta-author