2009 yr work

Chi Siamo

Prima del 1990, si sono iscritti di proprietà centro di ricerca di Fisica della Materia. Nel 1990, il centro ha lanciato Xiamen Powerway avanzata Material Co., Ltd (PAM-Xiamen), ora è uno dei principali produttori di materiale semiconduttore composto in Cina. PAM-XIAMEN sviluppa crescita advanced cristallo e tecnologie epitassia, gamma dal wafer germanio prima generazione, seconda generazione Arsenide gallio crescita substrato e epitassia su ...

perché sceglierci

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Buon servizio post vendita

Il nostro obiettivo è quello di soddisfare tutte le vostre esigenze, non importa quanto piccolo ordini e quanto sia difficile le domande che possono essere, per mantenere una crescita sostenuta e redditizia per tutti i clienti attraverso i nostri prodotti qualificati e un servizio soddisfacente.
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25+ anni di esperienze

Con più di 25 + anni di esperienze in semiconduttori composti campo dei materiali e attività di esportazione, la nostra squadra posso assicurare che siamo in grado di capire le vostre esigenze e trattare con il vostro progetto professionale.
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Qualità affidabile

La qualità è la nostra priorità. PAM-XIAMEN è stata ISO9001: 2008, possiede e condivide quattro facories moderni in grado di fornire abbastanza una vasta gamma di prodotti qualificati per soddisfare le diverse esigenze dei nostri clienti, e ogni ordine deve essere gestita attraverso il nostro sistema di qualità rigoroso. Rapporto di prova è previsto per ogni spedizione, e ogni wafer sono garanzia.
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Supporto gratuito e professionale Tecnologia

È possibile ottenere il nostro servizio di tecnologia libera da richiesta alla dopo il servizio in base alle nostre esperienze 25+, in linea di semiconduttori.
Dopo più di 20 anni di accumulo e lo sviluppo, la nostra azienda ha un evidente vantaggio in innovazione tecnologica e pool di talenti.
In futuro, abbiamo bisogno di accelerare il ritmo di azione reale per fornire ai clienti prodotti e servizi migliori

Dottor Chan - CEO di Xiamen Powerway avanzata Material Co., Ltd

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(20-2-1) Substrato GaN autoportante U-GaN piano

(20-2-1) Plane U-GaN Freestanding GaN Substrate PAM-XIAMEN offers (20-2-1) Plane U-GaN Freestanding GaN Substrate Item PAM-FS-GAN(20-2-1)-U Dimension 5 x 10 mm2 Thickness 380+/-50um Orientation (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5° (20-21)/(20-2-1) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2° Conduction Type N-type Resistivity (300K) < 0.1 Ω·cm TTV ≤ 10 µm BOW BOW ≤ 10 µm Surface Roughness: Front side: Ra<0.2nm, epi-ready; Back side: Fine [...]

Domande frequenti