PAM-XIAMEN offre una dimensione maggiore del substrato GaN FS di tipo N, incluso uno drogato con Si e uno non drogato come segue:

1. Scheda tecnica del substrato GaN di tipo N

1.1 Substrato GaN autoportante da 4 "(100 mm) non dopato

1.2 Substrato GaN autoportante da 4″ (100 mm) drogato con N

2. Domande frequenti sul substrato GaN autoportante

Q1:Ho una domanda sul tuo substrato GaN autoportante. L'RMS su Ga polare è di circa 2 nm. Qual è la dimensione della scansione AFM del valore RMS? Oppure puoi fornirmi immagini AFM?

E il substrato è lucidato su entrambi i lati. È possibile farlo lucidare solo sul lato polare Ga?

Qual è il tuo metodo di crescita per i substrati autoportanti (es. HVPE)?

A:1/vedi AFM allegato.

Sono disponibili entrambi lucidati su due lati e lucidati su un lato, è possibile richiedere solo la lucidatura su un lato.

3/Metodo di crescita: HVPE.

Q2:Il problema principale con i wafer di nitruro di gallio lucidato su entrambi i lati è il riflesso della radiazione di riscaldamento e quindi il manipolatore MBE dovrebbe essere riscaldato a una temperatura più alta per ottenere la temperatura desiderata sulla faccia opposta del substrato (quella dove avviene la crescita stessa ). una faccia a terra assorbe il calore in modo più efficiente.
UN:Una soluzione è rivestire il molibdeno nella parte posteriore del GaN autoportante per far fronte all'assorbimento della riflessione ottica.

Q3:In MBE è una procedura personalizzata per degassare i wafer nella camera tampone prima di introdurli nella camera di crescita. Il degasaggio può essere effettuato a diverse temperature, maggiore è la migliore e minore è la durata. Tuttavia, l'aumento della temperatura potrebbe deteriorare la superficie (i wafer di GaAs vengono degasati a 400 gradi Celsius nel buffer ma potrebbero essere riscaldati a 600 sotto l'atmosfera di As nella camera di crescita; il silicio potrebbe essere degasato a 850 gradi nel buffer ecc.). Il punto è: qual è la temperatura massima a cui si può degassare il substrato di GaN indipendente nella camera tampone senza intaccarne la superficie (forse nella camera di crescita la temperatura di rimozione dell'ossido potrebbe essere effettuata a una temperatura più elevata in atmosfera di azoto)? Hai tale conoscenza?
UN:La temperatura migliore per il GaN degassato è compresa tra 750 gradi e 800 gradi. Tuttavia, a 800 gradi è necessario un operatore molto esperto per assicurarsi che la superficie non si decomponga, quindi la nostra temperatura proposta è di 750 gradi. Si prega di vedere le due immagini allegate, che mostrano il motivo RHEED in superficie a temperature diverse (si prega di rivedere queste due in ordine).

Q4：In mancanza di un processo ICP, come potrei pulire il wafer FS GaN prima sia della deposizione di Ti sul lato posteriore sia per la successiva crescita da parte di MBE?
UN:Il processo di mordenzatura A-IBE è adatto anche per la pulizia delle superfici; tuttavia lo spessore di incisione del wafer GaN dovrebbe essere inferiore a 100 nm.

Q5: Could you please tell me the name of the measuring instrument that measures TTV and Warp of GaN wafer?
A: We use a capacitive sensor back pressure measurement system to measure TTV and Warp of GaN wafer, the system has two probes, one is used to measure the front of the wafer, the other is used to measure the back of the wafer. When it comes close to touching the surface of the wafer, it measures it by air pressure. The accuracy can be controlled within 1 micron.

Q6: What is the XRD of freestanding GaN substrate?
A: The typical value of XRD(0002) of FS GaN substrate is 40arcsec; the typical value of XRD(10-12) is 48arcsec.

Q7: I would like to ask what is the corresponding Si doping concentration when the resistivity of  Si doped freestanding GaN substrate is less than 0.04 ohm.cm?
A: Too much doping of Si for FS GaN substrate has an impact on its surface quality, while too little doping will result in high resistivity. To obtain specific doping concentration value, please contact victorchan@powerwaywafer.com.

Q8: I am ready to place an order for two 4″ n-doped Freestanding GaN wafers, but wanted to check if you guys could make one of them N-face CMP instead of the standard Ga-face CMP? Or both sides CMP would be acceptable…
A: Please kindly order GaN FS substrate with Ga face CMP. For N face CMP quality is not as good as Ga face.

Q9: This is my first time using free-standing GaN (as opposed to templates). We would first like to cut one wafer into pieces (1cm x 1cm). But eventually we would like to do some cleaving of those pieces to get good sidewalls for our laser research.
Do you have any guidance on the best process to cleave the wafer, and in which direction(s) it is possible?
A: If using laser cutting, there are burning marks on the edge of freestanding GaN substrate. It’s better to scribble with a blade.

Per ulteriori informazioni, contattaci tramite e-mail all'indirizzo victorchan@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com.