4″CZ Prime Wafer di silicio Spessore 525 ± 25 µm-3

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4″CZ Prime Wafer di silicio Spessore 525 ± 25 µm-3

PAM XIAMEN offre uno spessore di wafer di silicio CZ Prime da 4″ 525 ± 25 µm.

PRIME WAFERS SILICIUM CZ
DIAMETRO 4 pollici (100 mm +/- 0,5 mm)
ORIENTAMENTO <1-0-0> +/-1°
SPESSORE: 525µm +/-25µm
SSP
TTV < 10µm – ARCO < 40µm
PIATTO: 32,5 mm
TIPO P
RESISTIVIT : 8 – 12 Ohm.cm – DOPING 10^15
CON LASER MARK CLASSE 100 :
Marchio laser – lungo la parte piatta sul lato anteriore
Pulizia dopo la marcatura
Camera bianca classe 100

Per ulteriori informazioni, visitare il nostro sito Web: https://www.powerwaywafer.com,
inviare e-mail a sales@powerwaywafer.com e powerwaymaterial@gmail.com

Fondata nel 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) è un produttore leader di materiale semiconduttore in Cina.PAM-XIAMEN sviluppa tecnologie avanzate per la crescita dei cristalli e l'epitassia, processi di produzione, substrati ingegnerizzati e dispositivi a semiconduttore.Le tecnologie di PAM-XIAMEN consentono prestazioni più elevate e costi inferiori di produzione di wafer a semiconduttore.

La qualità è la nostra prima priorità. PAM-XIAMEN ha ottenuto la certificazione ISO9001: 2008, possiede e condivide quattro moderne fabbriche in grado di fornire una vasta gamma di prodotti qualificati per soddisfare le diverse esigenze dei nostri clienti e ogni ordine deve essere gestito attraverso il nostro rigoroso sistema di qualità. Viene fornito un rapporto di prova per ogni spedizione, e ogni wafer sono garanzia.

2019-07-05

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