Chip FET GaN da 650 V per ricarica rapida

PAM-XIAMEN offre chip FET GaN da 650 V per una ricarica rapida. Nel mercato attuale,fonti di ricarica rapida al nitruro di gallioutilizzano principalmente chip GaN da 650 V (FET GaN) come interruttori di alimentazione e le caratteristiche ad alta frequenza del nitruro di gallio vengono utilizzate per rendere i prodotti terminali a ricarica rapida di dimensioni più piccole e di maggiore efficienza.

I FET al nitruro di gallio (GaN) da 650 V, 150 mΩ della serie PAM65D150DNBI-TS sono dispositivi normalmente accesi. Il chip PAM-XIAMEN GaN offre una migliore efficienza grazie a una carica di gate inferiore, velocità di commutazione più elevate e una carica di recupero inverso più piccola, offrendo vantaggi significativi rispetto ai tradizionali dispositivi in ​​silicio (Si). PAM-XIAMEN è uno dei produttori di chip GaN all'avanguardia con innovazioni di livello mondiale.

1. Parametri del chip FET GaN da 650 V

Simbolo	Parametro	Valore limite	Unità
RθJC	Giunzione al caso	1.3	°C /W

 

1.1 Assoluto Massimo Valori nominali di 650 V GaN Chip FET (TC=25°C se non diversamente specificato)

Simbolo	Parametro		Valore limite	Unità
VDSS	Scaricare la tensione di alimentazione		650	V
VDSS	Porta alla tensione di origine		25~+2
ID	Corrente di drenaggio continua @TC=25°C		15	UN
	Corrente di drenaggio continua @TC=100°C		10
IDM	Corrente di assorbimento degli impulsi		65	UN
PD	Dissipazione di potenza massima @ TC=25°C		65	W
TC	Temperatura di esercizio	Caso	55~150	° C
TJ		Giunzione	55~175	° C
TS	Temperatura di conservazione		55~150	° C

 

 

 

 

 

 

SuperioreParte inferiore

1.2 Parametri Elettrici di 650VGaN patata frittaset (TJ=25°C se non diversamente specificato)

Simbolo	Parametro	Min	Typ	Max	Unità	Condizioni di prova
Caratteristiche del dispositivo in avanti
V(BL)DSs	Tensione drain-source	—	650	—	v	Vcs=-25V
Vasto)	Tensione di soglia del gate	—	-18	—	v	VD=Vas,ID=luA
RDS(attivo)	Resistenza on-source	—	150	180	mQ	Vcs=OV,ID-10A
		—	—	—		VG=OV, ID-10A,TJ=150'C
lDss	Perdita dallo scarico alla sorgente corrente	—	—	3	uA	VD=650 V,VG=-25 V
		—	—	30		VD=400 V,VG=-25 V, T=150'c
ragazza	Avanti dal gate alla sorgente corrente di dispersione	—	3.7	100	n / A	VGs=2V
	Inversione gate-source corrente di dispersione	—	-3.5	-100		VGS=-25V
CIss	Capacità di ingresso	—	650	—	pF	vGs=-25V,VDS=300V,f=1MHz
Coss	Capacità di uscita	—	40	—
CRSS	Capacità inversa	—	10	—
QG	Addebito totale al cancello	—	9	—	nC	VDS=200V,VGS=-25V a ov, ID=10A
QGS	Addebito gate-source	—	2	—
QGD	Tassa di scarico del gate	—	7	—
tn	Tempo di recupero inverso	—	4	—	ns	Is=da 0 A a 11 A,VDD=400V di/dt=1000A/uS
Q.	Carica di recupero inverso	—	17	—	nC	—
TIX (attivo)	Ritardo all'accensione	—	0.5	—	—	VDs=200VVG=-25V a ov, ID=10A
tR	Ora di alzarsi	—	9	—
tD(spento)	Ritardo di spegnimento	—	0.5	—
tF	Tempo di caduta	—	10	—
Caratteristiche del dispositivo inverso
VSD	Tensione inversa	—	7	—	v	VGS=-25V,Is=10A,Tc=25′ C

 

1.3 Caratteristiche tipiche del GaN a 650 VCaricabatterie Chip (TJ=25°C se non diversamente specificato)

                 

1.4 Circuito di prova e forme d'onda di 650 V GaNPotenza patata fritta

   

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1.5 DIMENSIONI IMBALLO da 650VChip GaN

           

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ARTICOLO	io.ow 1limitare (Mm)	Centro (Mm)	Superiore 1limitare (Mm)
UN	0.80	—	1.00
A1	0	—	0.05
A2	0.15	0.25	0.35
b	0.9	1	1.1
D	7.9	8	8.1
D1	6.9	7	7.1
re2	0.4	0.5	0.6
D3	7.1	7.2	7.3
D4	0.3	0.4	0.5
E	7.9	8	8.1
E1	0.3	0.4	0.5
E2	4.25	4.35	4.45
E3	2.65	2.75	2.85
e	1.9	—	2.1
L	0.4	0.5	0.6

 

2. Caratteristiche generali del GaN da 650 VPotere FET

Facile da guidare: compatibile con i driver per cancelli standard
Basse perdite di conduzione e di commutazione
Basso Qrr di 17nC: nessun diodo di ricircolo
necessario
Conforme alla direttiva RoHS e privo di alogeni

 

3. Automotive di chip FET GaN da 650 V

Caricabatterie veloce
Energia rinnovabile
Telecomunicazioni e datacom
Servomotori
Industriale
Settore automobilistico

4. Vantaggi del chip GaN da 650 V

Maggiore efficienza grazie alla commutazione rapida
Maggiore densità di potenza
Dimensioni e peso del sistema ridotti

Come rappresentante della terza generazione di materiali semiconduttori, quando il nitruro di gallio viene utilizzato nei dispositivi a ricarica rapida, la potenza di uscita dei dispositivi con chip GaN è tre volte quella dei materiali tradizionali nel caso della stessa dimensione. La tecnologia GaN FET sta ridefinendo lo standard per la ricarica rapida dei telefoni cellulari. Anche l’industria dei semiconduttori di terza generazione sta introducendo nuovi sviluppi grazie all’applicazione del nitruro di gallio.

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