Epi wafer AlGaInP

2. Band gap di AlGaInP teso su substrato di GaAs

3. Informazioni sulla struttura AlGaInP/InGaP

Poiché i materiali quaternari InGaAlP possono avere un ampio intervallo di banda diretto, regolando la composizione di In, Al e Ga, possono essere accoppiati tramite reticolo con film sottili di GaAs di alta qualità e a basso costo. La gamma di emissione luminosa della struttura epitassiale può coprire la banda rossa, arancione, gialla, giallo-verde. Pertanto, nel diodo a emissione di luce visibile, il laser rosso da 650 nm ha una vasta gamma di applicazioni.

I materiali composti quaternari AlGaInP vengono utilizzati per far crescere wafer epitassiali GaAs, che sono ampiamente utilizzati nei diodi emettitori di luce rossa ad alta luminosità e nei laser a semiconduttore e sono diventati il ​​materiale principale per i dispositivi che emettono luce rossa. L'ordine della banda di conduzione delle eterogiunzioni AlGaInP/GaInP è molto piccolo, con un valore massimo di circa 270 meV, che è inferiore a quello dei materiali AlGaAs da 350 meV. La barriera elettronica è relativamente bassa e si forma la corrente di dispersione. La corrente di soglia del wafer epitassiale GaAs basato su laser è aumentata, il che è più evidente nel funzionamento ad alta temperatura e corrente elevata. Lo strato di AlGaInP si disperderà nella lega e la resistenza termica è molto superiore a quella di AlGaAs. Il calore in eccesso provoca la temperatura di giunzione e la temperatura superficiale della cavità. Pertanto, la temperatura caratteristica del laser AlGaInP è inferiore e l'efficienza di conversione elettro-ottica diminuisce durante il funzionamento continuo e viene generato più calore.