Chi siamo

Chi Siamo

Emergendo da un background di ricerca in fisica, abbiamo fondato Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN). Ora è un produttore leader di materiali semiconduttori compositi in Cina.

PAM-XIAMEN sviluppa tecnologie avanzate di crescita dei cristalli ed epitassia, con competenze che spaziano dai semiconduttori composti basati su GaAs e InP ai materiali all'avanguardia SiC e GaN. Le nostre capacità includono la crescita del substrato e la deposizione epitassiale MBE/MOCVD di semiconduttori III-V (Ga, Al, In, As, P) per optoelettronica e dispositivi di potenza, posizionandoci come leader nell'innovazione dei materiali semiconduttori in Cina.

La qualità è la nostra prima priorità. PAM-XIAMEN ha ottenuto la certificazione ISO9001:2008 e ha ricevuto riconoscimenti dall'Amministrazione generale cinese per la supervisione, l'ispezione e la quarantena della qualità. Possediamo e condividiamo quattro stabilimenti moderni, che possono fornire una gamma piuttosto ampia di prodotti qualificati per soddisfare le diverse esigenze dei nostri clienti.

Tecnologia wafer a semiconduttore presso Xiamen Powerway (PAM-XIAMEN)

2009 anni di lavoro

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La nostra storia

2011 anni di lavoro

Fase I.

Pam-xiamenSoluzioni in carburo di silicio: Forniamo substrati 4H-SiC e 3C-SiC di tipo semi-isolante o conduttivo in gradi fittizi/ricerca/produzione e wafer omoepitassiali con controllo del drogaggio/spessore (650–1700 V), implementati in GaN-on-SiC RF, moduli di potenza EV e sensori per ambienti estremi.
2009 anni di lavoro

Fase II

Pam-xiamenSoluzioni di semiconduttori composti: Sviluppiamo e produciamo substrati ingegnerizzati (ad esempio GaAs, InP, InAs, InSb, GaSb) ed epitassia avanzata per sistemi fotonici/RF di nuova generazione. Il nostro MBE/MOCVD è in grado di fornire servizi di crescita epitassiale per strutture HEMT e laser basate su GaAs/InP, strutture QCL basate su Sb e così via, consentendo applicazioni fotoniche e RF critiche.
2007 anni di lavoro

Fase III

Pam-xiamenSoluzioni GAN: forniamo substrati GaN indipendenti a bassa densità di dislocazioni coltivati ​​in HVPE (2″-4″) ed epiwafer GaN su zaffiro, silicio, SiC, GaN, consentendo applicazioni LED, LD, HEMT.