epitassia

EPD for GaAs Substrate

PAM-XIAMEN can supply GaAs wafer with EPD less than 5000/cm2. Q: Could you please advise guaranteed EPD for below substrate and epi? Gallium Arsenide wafers, P/E 2″Ø×380±25µm, LEC SI c doped GaAs:-[100]±0.5°, n-type Ro=(0.8E8-0.9E8)Ohmcm, One-side-polished, back-side matte etched, 2 Flats, LT-GaAs EPI: 1-2µm, Resistivity >1E7 Ohm-cm, Carrier lifetime <1ps, Sealed under [...]

D: Il prezzo include la fabbricazione di P e n metallo contatti? In caso contrario, si può realizzare p e n contatti più SiO2 passivazione sulla base di mio disegno? Questo può rivolgersi a un progetto più grande.

D: Il prezzo include la fabbricazione di P e n metallo contatti? In caso contrario, si può realizzare p e n contatti più SiO2 passivazione sulla base di mio disegno? Questo può rivolgersi a un progetto più grande. A: Siamo spiacenti, ma non può offrire la fabbricazione di p e n contatti metallici, anche noi possiamo [...]

Q:For pss wafer, the light comes out from the p-GaN side not from sapphire, so I can’t do flipchip packaging. Also I don’t know whether laser liftoff is possible for pss wafer.

Q:For pss wafer, the light comes out from the p-GaN side not from sapphire, so I can’t do flipchip packaging. Also I don’t know whether laser liftoff is possible for pss wafer. A:LED light is sourcing from mqw light, emitting in all directions, p-GaN is positive(front side), it will naturally [...]