Conoscenza

1.2 Nitruro di gallio (GaN) -Definizione

1.2Gallium Nitride(GaN)-Definition Despite the fact that GaN has been studied far more extensively than the other group III nitrides, further investigations are still needed to approach the level of understanding of technologically important materials such as Si and GaAs. GaN growth often suffers from large background n-type carrier concentrations because of native defects and, [...]

2018-07-12 Per saperne di più ...

1.2.1 Chemical Properties of GaN

1.2.1 Chemical Properties of GaN Since Johnson et al. [139] first synthesized GaN in 1932, a large body of information has repeatedly indicated that GaN is an exceedingly stable compound exhibiting significant hardness. It is this chemical stability at elevated temperatures combined with its hardness that has made GaN an attractive material for [...]

2018-07-12 Per saperne di più ...

1.2.2 Mechanical Properties of GaN

1.2.2 Mechanical Properties of GaN GaNhas a molecular weight of 83.7267 g mol1 in the hexagonalwurtzite structure.The lattice constant of early samples of GaN showed a dependence on growth conditions, impurity concentration, and film stoichiometry [151]. These observations were attributed to a high concentration of interstitial and bulk extended defects. A case in point [...]

2018-07-12 Per saperne di più ...

1.2.3 Thermal Properties of GaN

1.2.3 Proprietà termiche di GaN In una vena simile, GaN e altri semiconduttori di nitruro di gruppo III alleati vengono coltivati ​​ad alte temperature e sottoposti anche a temperature di giunzione aumentate durante il funzionamento di dispositivi come amplificatori e dispositivi di emissione di luce. Come tale, anche le strutture sono soggette a variazioni termiche. In questo contesto, [...]

2018-07-12 Per saperne di più ...

1.1 Struttura cristallina dei nitruri

1.1 Struttura cristallina dei nitruri I nitruri del gruppo III possono essere di strutture cristalline: la wurtzite (Wz), la miscela di zinco (ZB) e il sale di roccia. In condizioni ambientali, la struttura termodinamicamente stabile è in wurtzite per AlN, GaN e InN. La struttura della miscela di zinco per GaN e InN è stata stabilizzata dalla crescita epitassiale di film sottili [...]

2018-07-10 Per saperne di più ...

Proprietà generali dei nitruri

Introduzione GaN come rappresentante dei suoi cugini binari, InN e AlN, e dei loro ternari insieme al quaternario, è considerato uno dei semiconduttori più importanti dopo Si. Non c'è da meravigliarsi che trovi ampie applicazioni nell'illuminazione e nei display di tutti i tipi, laser, rivelatori e amplificatori ad alta potenza. Queste applicazioni derivano [...]

2018-07-10 Per saperne di più ...

5-1 Introduzione

5-1 Introduzione Dispositivi e circuiti elettronici a semiconduttore a base di carburo di silicio (SiC) sono attualmente in fase di sviluppo per l'uso in condizioni di alta temperatura, alta potenza e radiazione elevata in cui i semiconduttori convenzionali non possono funzionare adeguatamente. La capacità del carburo di silicio di funzionare in condizioni così estreme dovrebbe consentire miglioramenti significativi a una vasta gamma di applicazioni e sistemi. Questi range [...]

2018-06-28 Per saperne di più ...

5-2-1 Proprietà del materiale SiC

I materiali SILICON CARBIDE (SiC) sono attualmente metamorfosi dalla ricerca e dallo sviluppo a un prodotto di produzione orientato al mercato. I substrati di SiC sono attualmente utilizzati come base per gran parte della produzione mondiale di diodi a emissione di luce verde (blu e ultravioletto (LED). I mercati emergenti per l'omoepitaxy SiC comprendono la commutazione ad alta potenza [...]

2018-06-28 Per saperne di più ...

5-2-1-1 SiC cristallografia

5-2-1-1 SiC cristallografia Il carburo di silicio si presenta in molte strutture cristalline diverse, chiamate politipi. Nonostante il fatto che tutti i politipi di SiC siano chimicamente costituiti per il 50% da atomi di carbonio legati in modo covalente con il 50% di atomi di silicio, ciascun politipo di SiC ha un proprio set distinto di proprietà elettriche a semiconduttore. Mentre ci sono oltre 100 noti [...]

2018-06-28 Per saperne di più ...

5-2-1-2 Proprietà elettriche

5-2-1-2 Proprietà elettriche A causa della diversa disposizione degli atomi Si e C all'interno del reticolo cristallino SiC, ciascun politipo SiC presenta proprietà elettriche e ottiche fondamentali uniche. Alcune delle più importanti proprietà elettriche dei semiconduttori dei polietipi SiC 3C, 4H e 6H sono riportate nella Tabella 5.1. Impianti elettrici molto più dettagliati [...]

2018-06-28 Per saperne di più ...