Analisi della caratterizzazione dei wafer

Progetto di prova: Rugosità superficiale

Progetto di test: Rugosità superficiale La ruvidità superficiale è solitamente abbreviata in ruvidità ed è un componente della struttura superficiale. Viene quantificato dalla deviazione della direzione vettoriale normale della superficie reale dalla sua forma ideale. Se queste deviazioni sono ampie, la superficie è ruvida; Se sono piccoli, la superficie...

Progetto di test: tipo

Progetto di test: tipo I semiconduttori non intrinseci drogati con atomi donatori di elettroni sono chiamati semiconduttori di tipo n perché la maggior parte dei portatori di carica nel cristallo sono elettroni negativi. L'accettore di elettroni drogante è un atomo che riceve elettroni dal reticolo, producendo spazi vuoti in cui gli elettroni dovrebbero essere chiamati lacune che possono...

Progetto di test: Resistività

Progetto di test: Resistività La resistività (nota anche come resistività, resistività specifica o volumetrica) è la proprietà fondamentale di quantificare la resistenza di un dato materiale al flusso di corrente. Una bassa resistività indica un materiale che consente alla corrente di fluire facilmente. La resistività è solitamente scritta nell'alfabeto greco, rho. Tasso SI...

Progetto di test: densità del microtubo

Progetto di test: densità dei microtubi I microtubi sono difetti cristallini in un substrato monocristallino. Oggi è ampiamente utilizzato nei substrati SiC utilizzati in una varietà di settori, come i dispositivi a semiconduttore di potenza per veicoli e i dispositivi di comunicazione ad alta frequenza. Tuttavia, durante la produzione di questi materiali, i cristalli subiscono...

Progetto di test: TTV/WARP/BOW:

Testing project: TTV/WARP/BOW: A wafer flatness is measured by TTV/WARP/BOW, low value shows better wafer flatness, and the epi wafer would be better quality and wafer flatness, therefore its measurement is necessary. Test equipment:  Polarizing microscope Test Standard:   GB/T 30867-2014;GB/T 6620-2009. Test result:  μm(micron)

Progetto di prova: Spessore

Progetto di test: spessore L'uniformità e la tolleranza dello spessore del wafer vengono misurate per ciascun wafer e spedizione. Attrezzatura di prova: Strumento di misurazione dello spessore Standard di prova: Risultato del test: 150um~1,5 mm

progetto di sperimentazione: Orientamento

progetto di test: Orientamento I wafer vengono coltivati ​​da cristalli con struttura cristallina regolare. Quando un wafer viene tagliato, la superficie viene allineata in una delle numerose direzioni relative chiamate orientamento del cristallo. L'orientamento è definito dall'indice di Miller, dove (0001) o (0001)4deg. sono le superfici più comuni nel carburo di silicio. orientamento...

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