semiconduttori composti

PAM-XIAMEN offre materiale per wafer semiconduttore composto tra cui wafer SiC e wafer del gruppo III-V: wafer InSb, wafer InP, wafer InAs, wafer GaSb, wafer GaP, wafer GaN, wafer AlN e wafer GaAs.
I materiali dei composti III-V includono BN, BP, BAs, BSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InAs, InN, InP e InSb. Tra questi, BN, AlN, GaN e InN sono strutture Wurtzite e le altre 12 sono strutture in blenda di zinco. Poiché gli atomi pentavalenti hanno un'elettronegatività maggiore rispetto agli atomi trivalenti, ci sono alcuni componenti del legame ionico. Per questo motivo, quando i materiali III-V sono posti nel campo elettrico, il reticolo è facile da polarizzare e lo spostamento ionico è utile per aumentare il coefficiente dielettrico, se la frequenza del campo elettrico è nella gamma dell'infrarosso. Tra i semiconduttori di tipo n dei materiali GaAs, la mobilità degli elettroni (mn-8500) è molto più alta di quella di Si (mn-1450), quindi la velocità di movimento è elevata e la sua applicazione nei circuiti integrati digitali ad alta velocità è superiore a quello dei semiconduttori Si.

  • InP wafer

    PAM-XIAMEN offre wafer VGF InP (fosfuro di indio) con grado primario o di prova, inclusi non drogati, di tipo N o semi-isolanti. La mobilità del wafer InP è diversa a seconda del tipo, non drogato> = 3000 cm2 / Vs, tipo N> 1000 o 2000 cm2V.s (dipende dalla diversa concentrazione di drogaggio), tipo P: 60 +/- 10 o 80 +/- 10 cm2 / Vs (dipende dalla diversa concentrazione di drogaggio di Zn) e semi-insulto> 2000 cm2 / V, l'EPD del fosfuro di indio è normalmente inferiore a 500 / cm2.

  • InAs wafer

    PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InAs wafer – indium arsenide wafer which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100). In addition, InAs single crystal has high electron mobility and is an ideal material for making Hall devices.

  • InSb wafer

    PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor InSb wafer – Indium antimonide wafer which is grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100). Indium antimonide doped with isoelectronic(such as N doping) can reduce the defect density during the indium antimonide thin films manufacturing process.

  • GaSb Wafer

    PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor GaSb wafer – gallium antimonide which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111) or (100).

  • GaP Wafer

    PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor GaP wafer – gallium phosphide wafer which is grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111)or(100).