InAs wafer

Descrizione

PAM-XIAMEN offre wafer InAs a semiconduttore composto -arseniuro di indiowafer che viene coltivato da LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) come grado epi-ready o meccanico con tipo n, tipo p o semi-isolante con diverso orientamento(111)(100) o (110). Inoltre, il cristallo singolo di InAs ha un'elevata mobilità degli elettroni ed è un materiale ideale per realizzare dispositivi Hall.

L'arseniuro di indio, InAs, è un semiconduttore composto da indio e arsenico. Ha l'aspetto di cristalli cubici grigi con un punto di fusione di 942 °C e una costante reticolare di 0,6058 nm, e la struttura cristallina dell'arseniuro di indido è una struttura di blenda di zinco. Il wafer di arseniuro di indio viene utilizzato per la costruzione di rilevatori a infrarossi, per l'intervallo di lunghezze d'onda compreso tra 1 e 3,8 µm. I rilevatori sono solitamente fotodiodi fotovoltaici. I rilevatori raffreddati criogenicamente hanno un rumore inferiore, ma i rilevatori InAs possono essere utilizzati anche in applicazioni ad alta potenza a temperatura ambiente. A causa delle proprietà superiori dell'arseniuro di indio, i film sottili di arseniuro di indio vengono utilizzati anche per la realizzazione di laser a diodi.

Il gap di banda dell'arseniuro di indio è una transizione diretta, simile all'arseniuro di gallio, e la larghezza di banda proibita è (300K) 0,45 eV. L'arseniuro di indio viene talvolta utilizzato insieme al fosfuro di indio. Legato con arseniuro di gallio, forma arseniuro di indio e gallio, un materiale con band gap dipendente dal rapporto In/Ga, un metodo principalmente simile alla lega del nitruro di indio con nitruro di gallio per produrre nitruro di indio e gallio.

Ecco le specifiche dettagliate:

Specifiche wafer InAs da 2″ (50,8 mm).

Specifiche wafer InAs da 3″ (76,2 mm).

Specifiche wafer InAs da 4″ (100 mm).

Specifiche del wafer InAs da 2″

Voce	Specifiche
drogante	poco drogato	Stanno	Zolfo	Zinco
Tipo di conduzione	Tipo N	Tipo N	Tipo N	Tipo P
Diametro del wafer	2″
Orientamento dei wafer	(111)±0,5°, (110)±0,5°
Spessore del wafer	500±25um
Lunghezza piatta primaria	16±2mm
Lunghezza piatta secondaria	8±1 mm
Concentrazione del portatore	5×1016 cm-3	(5-20)x1017cm-3	(1-10)x1017cm-3	(1-10)x1017cm-3
Mobilità	≥2×104 cm2/Vs	7000-20000 cm2/Vs	6000-20000 cm2/Vs	100-400 cm2/Vs
EPD	<5×104 cm-2	<5×104 cm-2	<3×104 cm-2	<3×104 cm-2
TTV	<10um
ARCO	<10um
ORDITO	<12um
Marcatura laser	su richiesta
Finitura superficiale	P/E, P/P
Epi pronto	SÌ
Pacchetto	Contenitore o cassetta per wafer singolo

 

Specifiche del wafer InAs da 3″

Voce	Specifiche
drogante	poco drogato	Stanno	Zolfo	Zinco
Tipo di conduzione	Tipo N	Tipo N	Tipo N	Tipo P
Diametro del wafer	3″
Orientamento dei wafer	(111)±0,5°, (110)±0,5°
Spessore del wafer	600±25um
Lunghezza piatta primaria	22±2 mm
Lunghezza piatta secondaria	11±1 mm
Concentrazione del portatore	5×1016 cm-3	(5-20)x1017cm-3	(1-10)x1017cm-3	(1-10)x1017cm-3
Mobilità	≥2×104 cm2/Vs	7000-20000 cm2/Vs	6000-20000 cm2/Vs	100-400 cm2/Vs
EPD	<5×104 cm-2	<5×104 cm-2	<3×104 cm-2	<3×104 cm-2
TTV	<12um
ARCO	<12um
ORDITO	<15um
Marcatura laser	su richiesta
Finitura superficiale	P/E, P/P
Epi pronto	SÌ
Pacchetto	Contenitore o cassetta per wafer singolo

Specifiche del wafer InAs da 4″

Voce	Specifiche
drogante	poco drogato	Stanno	Zolfo	Zinco
Tipo di conduzione	Tipo N	Tipo N	Tipo N	Tipo P
Diametro del wafer	4″
Orientamento dei wafer	(111)±0,5°, (110)±0,5°
Spessore del wafer	900±25um
Lunghezza piatta primaria	16±2mm
Lunghezza piatta secondaria	8±1 mm
Concentrazione del portatore	5×1016 cm-3	(5-20)x1017cm-3	(1-10)x1017cm-3	(1-10)x1017cm-3
Mobilità	≥2×104 cm2/Vs	7000-20000 cm2/Vs	6000-20000 cm2/Vs	100-400 cm2/Vs
EPD	<5×104 cm-2	<5×104 cm-2	<3×104 cm-2	<3×104 cm-2
TTV	<15um
ARCO	<15um
ORDITO	<20um
Marcatura laser	su richiesta
Finitura superficiale	P/E, P/P
Epi pronto	SÌ
Pacchetto	Contenitore o cassetta per wafer singolo

 

Mappa di planarità cucita di InAs Wafer

 

 

Specifiche wafer (esempio):

1)2"(50,8 mm)InAs
Tipo/Drogante:N/S
Orientamento:[111B]±0,5°
Spessore:500±25um
Epi-pronto
SSP

2)2”(50,8 mm)InAs
Tipo/Drogante: N/basso drogaggio
Orientamento: (111)B
Spessore: 500um±25um
SSP

3)2”(50,8 mm)InAs
Tipo/Drogante:N / basso drogato
Orientamento: <111>A ±0,5°
Spessore: 500um±25um
pronto per l'epi
Ra<=0,5 nm
Concentrazione del vettore (cm-3): 1E16~3E16
Mobilità(cm -2 ):>20000
EPD（cm -2）:<15000
SSP

4)2”(50,8 mm)InAs
Tipo/Drogante: N/basso drogaggio
Orientamento: <100> con [001]OF
Spessore: 2 mm
Taglio AS

5)2”(50,8 mm)InAs
Tipo/Drogante:N/P
Orientamento:(100),
Concentrazione del trasportatore(cm-3):(5-10)E17,
Spessore: 500 µm
SSP

6) Wafer di arseniuro di indio,
2″Ø×500±25μm,
tipo p InAs:Zn
(110)±0,5°,
NC=(1-3)E18/cc ,
Entrambi i lati lucidati,
Sigillato sotto azoto in cassetta per wafer singola.

 

Tutti i wafer sono offerti con finitura pronta per l'epitassia di alta qualità. Le superfici sono caratterizzate da tecniche interne di metrologia ottica avanzate che includono il monitoraggio della foschia e delle particelle Surfscan, l'ellissometria spettroscopica e l'interferometria di incidenza radente

L'influenza della temperatura di ricottura sulle proprietà ottiche degli strati superficiali di accumulo di elettroni nei wafer InAs di tipo n (1 0 0) è stata studiata mediante spettroscopia Raman. Mostra che i picchi Raman dovuti alla diffusione da parte di fononi LO non schermati scompaiono con l'aumento della temperatura, il che indica che lo strato di accumulo di elettroni nella superficie di InAs viene eliminato mediante ricottura. Il meccanismo coinvolto è stato analizzato mediante spettroscopia fotoelettronica a raggi X, diffrazione di raggi X e microscopia elettronica a trasmissione ad alta risoluzione. I risultati mostrano che fasi amorfe In2O3 e As2O3 si formano sulla superficie di InAs durante la ricottura e, nel frattempo, viene generato anche un sottile strato di As cristallino all'interfaccia tra lo strato ossidato e il wafer che porta ad una diminuzione dello spessore dello strato di accumulo di elettroni superficiali poiché gli adatomi di As introducono stati superficiali di tipo accettore.

La lunghezza d'onda di emissione di InAs è 3,34μm e materiali multi-epitassiali In-GaAsSb, InAsPSb e InAsSb abbinati a reticolo possono essere coltivati ​​sui substrati di arseniuro di indio, che possono produrre laser e rilevatori per la comunicazione in fibra ottica nella banda 2~4μm.

Offriamo anche il servizio InAs wafer epi, prendiamo di seguito come esempio:

Wafer epi InAs da 2” (PAM190730-INAS):
Strato epi: spessore 0,5 um, strato epi InAs (non drogato, tipo n),
Substrato: GaAs semiisolante da 2 pollici

Maggiori dettagli sul wafer epi InAs, fare riferimento a:

InAs eteroepitassia

Crescita della pellicola epitassiale di InAs su (001) InAs

Prodotti relativi:
InAs wafer
InSb wafer
InP wafer
Wafer GaAs
GaSb wafer
Wafer GaP

Lingotto di arseniuro di indio con struttura di miscela di zinco coltivata da VGF